Распоряжение Федерального министра по экономическим вопросам «О регистрации топологий интегральных микросхем полупроводниковых продуктов и о реестре полупроводниковых продуктов, подлежащих охране» (Распоряжение «Об охране полупроводников»), Австрия, WIPO Lex

Основной(ые) текст(ы)

Немецкий Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelenheiten betreffend die Anmeldung von Topographien mikroelektronischer Halbleiterzeugnisse und das Halbeiterschutzregister. (Halbleiterschutz-Verordnung - HISchV)

Английский Decree of the Federal Minister for Economic Affairs concerning the Registration of Topographies of Microelectronic Semiconductor Products and the Semiconductor Protection Register (Semiconductor Protection Decree)

Anmeldung § 1
Antrag § 2
Unterlagen § 3
Betriebs- oder Geschäftsgeheimnisse enthaltende Unterlagen § 4
Halbleiterschutzregister § 5
Inkrafttreten § 6

528. Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten vom 12. September 1988 betreffend die Anmeldung von Topographien mikroelektronischer Halbleitererzeugnisse und das

Halbleiterschutzregister (Halbleiterschutz-Verordnung - HISchV)

Auf Grund der §§ 9 Abs.4 und 10 Abs.4 des Halbleiterschutzgesetzes, BGBI. Nr. 372/1988, wird verordnet:

Anmeldung

§ 1. Bei der Anmeldung der Topographie (§ 9 Abs. 1 HISchG) muß der Antrag auf Eintragung des Schutzes der Topographie in das Halbleiterschutzregister mit den übrigen im § 9 Abs. 2 Z 1, 3 und 4 vorgeschriebenen Angaben getrennt von den Unterlagen zur Identifizierung oder Veranschaulichung der Topographie (§ 9 Abs.2 Z 2 HISchG) eingebracht werden.

Antrag

§ 2. (1) Der Antrag auf Eintragung des Schutzes der Topographie in das Halbleiterschutzregister (§ 9 Abs. 2 Z 1 HISchG) muß enthalten

den Namen und die Anschrift des Anmelders sowie gegebenenfalls seines inländischen Vertreters
bei natürlichen Personen die Staatsangehörigkeit oder, wenn der Anmelder nicht österreichischer Staatsbürger ist, seinen Wohnsitz bzw. bei juristischen Personen und Personengesellschaften des Handelsrechtes die tatsächliche Niederlassung.

(2): Als kurze und gen aue Bezeichnung (Titel der Topographie) (§ 9 Abs.2 Z 1 HISchG) kann der Name oder die Produktbezeichnung der Topographie unter Angabe des Produktionsbereiches dienen.
(3): Das Datum des Tages der ersten nicht nur vertraulichen Verwertung der Topographie, wenn dieser Tag vor der Anmeldung liegt (§ 9 Abs. 2 Z 3 HISchG), ist anzugeben.
(4): Wenn die Anspruchsberechtigung auf § 3 Abs. 3 des Halbleiterschutzgesetzes gestützt wird, sind Angaben über die Staatsangehörigkeit und den ständigen Wohnsitz bzw. über den Ort der Niederlassung des nach § 3 Abs. 1 oder 2 des Halbleiterschutzgesetzes ursprünglich Anspruchsberechtigten und über die von diesem eingeräumte ausschließliche Zustimmung, die Topographie erstmals in Österreich nicht nur vertraulich geschäftlich zu verwerten, erforderlich.

Unterlagen

§ 3. (1) Zur Identifizierung oder Veranschaulichung der Topographie sind folgende Unterlagen einzureichen:

1. Zeichnungen oder Photographien von Layouts zur Herstellung des Halbleitererzeugnisses,

oder

2. Zeichnungen oder Photographien von Masken oder ihren Teilen zur Herstellung des Halbleitererzeugnisses, oder

3. Zeichnungen oder Photographien von einzelnen Schichten des Halbleitererzeugnisses.

(2) Zusätzlich zu den in Abs. 1 genannten Unterlagen können Datenträger oder Ausdrucke davon oder das Halbleitererzeugnis selbst, für dessen Topographie Schutz beantragt wird, oder eine erläuternde Beschreibung eingereicht werden.

Betriebs- oder Geschäftsgeheimnisse enthaltende Unterlagen

§ 4. (1) Unterlagen, die Betriebs- oder Geschäftsgeheimnisse enthalten und vom Anmelder als solche gekennzeichnet worden sind, sind bei der Anmeldung getrennt von den übrigen Teilen der Unterlagen einzureichen. Die Unterlagen können auch in einem Originalexemplar und in einem weiteren Exemplar (Zweitexemplar) mit unkenntlichgemachten Teilen eingereicht werden; in diesem Fall unterliegt das Zweitexemplar der Akteneinsicht im Umfang des § 18 Abs. 2 erster Satz des Halbleiterschutzgesetzes.

(2): Die Unterlagen nach Abs. 1 sind vom Patentamt unter Verschluß gesondert aufzubewahren.
(3): Ist Akteneinsicht in die Unterlagen nach Abs. 1 auf Anordnung der Nichtigkeitsabteilung oder des Gerichtes zu gewähren (§ 18 Abs. 2 zweiter Satz HlSchG), so sind diese Teile vom Patentamt unmittelbar an die Nichtigkeitsabteilung bzw. an das Gericht unter Verschluß und unter Hinweis auf die Geheimhaltungsbestimmungen zu übermitteln.
(4): Wird das Begehren auf Akteneinsicht in die Unterlagen nach Abs. 1 auf § 18 Abs. 3 des Halbleiterschutzgesetzes gestützt, so hat hierüber das nach der Geschäftsverteilung zuständige rechtskundige Mitglied der Rechtsabteilung (§ 16 Abs. 3 HlSchG) nach Anhörung des Schutzrechtsinhabers zu entscheiden.

Halbleiterschutzregister

§ 5. (1) In das Halbleiterschutzregister sind außer den im § 10 Abs. 2 des Halbleiterschutzgesetzes angeführten Angaben auch der Tag der Eintragung sowie ein Hinweis, welche Unterlagen nach § 9 Abs. 2 Z 2 des Halbleiterschutzgesetzes vorgelegt wurden, einzutragen.

(2): Die Einsicht in die gemäß § 9 Abs. 2 Z 2 des Halbleiterschutzgesetzes vorgelegten Unterlagen umfaßt nicht auch das Recht, Kopien davon anzufertigen.
(3): Auszüge aus dem Halbleiterschutzregister umfassen nicht die gemäß § 9 Abs. 2 Z 2 des Halbleiterschutzgesetzes vorgelegten Unterlagen.

Inkrafttreten

§ 6. Diese Verordnung tritt mit 1. Oktober 1988 in Kraft.