H | ELECTRICITY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s)
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01 | BASIC ELECTRIC ELEMENTS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [7]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L | SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR (use of semiconductor devices for measuring G01; resistors in general H01C; magnets, inductors, transformers H01F; capacitors in general H01G; electrolytic devices H01G 9/00; batteries, accumulators H01M; waveguides, resonators, or lines of the waveguide type H01P; line connectors, current collectors H01R; stimulated-emission devices H01S; electromechanical resonators H03H; loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R; electric light sources in general H05B; printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K; use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [2010.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [2]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/02 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/027 | • • Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L 21/18 or H01L 21/34 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/033 | • • • comprising inorganic layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/04 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/06 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/08 | • • • • Preparation of the foundation plate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/10 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/103 | • • • • • Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/105 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/108 | • • • • • Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/12 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/14 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/145 | • • • • • Ageing [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/16 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/18 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• • • Note(s) [7] | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/20 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/203 | • • • • • using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/205 | • • • • • using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/208 | • • • • • using liquid deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/22 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/223 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/225 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/228 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/24 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/26 | • • • • Bombardment with wave or particle radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/261 | • • • • • to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/263 | • • • • • with high-energy radiation (H01L 21/261 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/265 | • • • • • • producing ion implantation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/266 | • • • • • • • using masks [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/268 | • • • • • • using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/28 | • • • • Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/268 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/283 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/285 | • • • • • • from a gas or vapour, e.g. condensation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/288 | • • • • • • from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/30 | • • • • Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/301 | • • • • • to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions (cutting H01L 21/304) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/302 | • • • • • to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/304 | • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/306 | • • • • • • Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/31; after-treatment of insulating layers H01L 21/3105) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3063 | • • • • • • • Electrolytic etching [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3065 | • • • • • • • Plasma etching; Reactive-ion etching [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/308 | • • • • • • • using masks (H01L 21/3063, H01L 21/3065, take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/31 | • • • • • to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3105 | • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/311 | • • • • • • • Etching the insulating layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3115 | • • • • • • • Doping the insulating layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/312 | • • • • • • Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/314 | • • • • • • Inorganic layers (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/316 | • • • • • • • composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/318 | • • • • • • • composed of nitrides [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/32 | • • • • • • using masks [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3205 | • • • • • • Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers, on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/321 | • • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3213 | • • • • • • • • Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/3215 | • • • • • • • • Doping the layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/322 | • • • • • to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/324 | • • • • • Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/322 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/326 | • • • • • Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/324 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/328 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/329 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/33 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/331 | • • • • • • Transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/332 | • • • • • • Thyristors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/334 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/335 | • • • • • Field-effect transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/336 | • • • • • • with an insulated gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/337 | • • • • • • with a PN junction gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/338 | • • • • • • with a Schottky gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/339 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/34 | • • • the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L 21/06, H01L 21/16, and H01L 21/18 with or without impurities, e.g. doping materials [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/36 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/363 | • • • • • using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/365 | • • • • • using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/368 | • • • • • using liquid deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/38 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/383 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/385 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/388 | • • • • • using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/40 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/42 | • • • • Bombardment with radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/423 | • • • • • with high-energy radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/425 | • • • • • • producing ion implantation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/426 | • • • • • • • using masks [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/428 | • • • • • • using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/44 | • • • • Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/441 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/443 | • • • • • • from a gas or vapour, e.g. condensation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/445 | • • • • • • from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/447 | • • • • • involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/449 | • • • • • involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/46 | • • • • Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/44) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/461 | • • • • • to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/463 | • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/465 | • • • • • • Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/469) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/467 | • • • • • • • using masks [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/469 | • • • • • • to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/47 | • • • • • • • Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/471 | • • • • • • • Inorganic layers (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/473 | • • • • • • • • composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/475 | • • • • • • • using masks [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/4757 | • • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/4763 | • • • • • • Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/477 | • • • • • Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/475 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/479 | • • • • • Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/477 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/48 | • • • Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/50 | • • • Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/52 | • • • • Mounting semiconductor bodies in containers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/54 | • • • • Providing fillings in containers, e.g. gas fillings [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/56 | • • • • Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/58 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/60 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/603 | • • • • • involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/607 | • • • • • involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/62 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/64 | • Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not specially adapted for a single type of device provided for in groups H01L 31/00-H01L 51/00 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/66 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/67 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/673 | • • using specially adapted carriers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/677 | • • for conveying, e.g. between different work stations [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/68 | • • for positioning, orientation or alignment [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/683 | • • for supporting or gripping (for positioning, orientation or alignment H01L 21/68) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/687 | • • • using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/70 | • Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H05K 3/00, H05K 13/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/71 | • • Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/74 | • • • Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/76 | • • • Making of isolation regions between components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/761 | • • • • PN junctions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/762 | • • • • Dielectric regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/763 | • • • • Polycrystalline semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/764 | • • • • Air gaps [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/765 | • • • • by field-effect [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/768 | • • • Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/77 | • • Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate (electrically programmable read-only memories or multistep manufacturing processes therefor H01L 27/115) [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/78 | • • • with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H01L 21/304) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/782 | • • • • to produce devices, each consisting of a single circuit element (H01L 21/82 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/784 | • • • • • the substrate being a semiconductor body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/786 | • • • • • the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/82 | • • • • to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/822 | • • • • • the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H01L 21/8258 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8222 | • • • • • • Bipolar technology [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8224 | • • • • • • • comprising a combination of vertical and lateral transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8226 | • • • • • • • comprising merged transistor logic or integrated injection logic [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8228 | • • • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8229 | • • • • • • • Memory structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8232 | • • • • • • Field-effect technology [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8234 | • • • • • • • MIS technology [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8236 | • • • • • • • • Combination of enhancement and depletion transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8238 | • • • • • • • • Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8239 | • • • • • • • • Memory structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8242 | • • • • • • • • • Dynamic random access memory structures (DRAM) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8244 | • • • • • • • • • Static random access memory structures (SRAM) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8246 | • • • • • • • • • Read-only memory structures (ROM) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8247 | (transferred to H01L 27/115-H01L 27/11597) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8248 | • • • • • • Combination of bipolar and field-effect technology [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8249 | • • • • • • • Bipolar and MOS technology [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8252 | • • • • • the substrate being a semiconductor, using III-V technology (H01L 21/8258 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8254 | • • • • • the substrate being a semiconductor, using II-VI technology (H01L 21/8258 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8256 | • • • • • the substrate being a semiconductor, using technologies not covered by one of groups H01L 21/822, H01L 21/8252 or H01L 21/8254 (H01L 21/8258 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/8258 | • • • • • the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 or H01L 21/8256 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/84 | • • • • • the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/86 | • • • • • • the insulating body being sapphire, e.g. silicon on sapphire structure, i.e. SOS [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 21/98 | • • Assembly of devices consisting of solid state components formed in or on a common substrate; Assembly of integrated circuit devices (H01L 21/50 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s)
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/02 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/04 | • • characterised by the shape [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/043 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/045 | • • • • the other leads having an insulating passage through the base [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/047 | • • • • the other leads being parallel to the base [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/049 | • • • • the other leads being perpendicular to the base [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/051 | • • • • another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/053 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/055 | • • • • the leads having a passage through the base [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/057 | • • • • the leads being parallel to the base [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/06 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/08 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/10 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/12 | • Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/13 | • • characterised by the shape [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/14 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/15 | • • • Ceramic or glass substrates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/16 | • Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings (H01L 23/42, H01L 23/552 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/18 | • • Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• • Note(s) [2]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/20 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/22 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/24 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/26 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/28 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/29 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/31 | • • characterised by the arrangement [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/32 | • Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures (H01L 23/40 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/34 | • Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/36 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/367 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/373 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/38 | • • Cooling arrangements using the Peltier effect [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/40 | • • Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/42 | • • Fillings or auxiliary members in containers selected or arranged to facilitate heating or cooling [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/427 | • • • Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/433 | • • • Auxiliary members characterised by their shape, e.g. pistons [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/44 | • • the complete device being wholly immersed in a fluid other than air (H01L 23/427 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/46 | • • involving the transfer of heat by flowing fluids (H01L 23/42, H01L 23/44 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/467 | • • • by flowing gases, e.g. air [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/473 | • • • by flowing liquids [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/48 | • Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/482 | • • consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/485 | • • • consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/488 | • • consisting of soldered or bonded constructions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/49 | • • • wire-like [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/492 | • • • Bases or plates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/495 | • • • Lead-frames [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/498 | • • • Leads on insulating substrates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/50 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/52 | • Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/522 | • • including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/525 | • • • with adaptable interconnections [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/528 | • • • Layout of the interconnection structure [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/532 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/535 | • • including internal interconnections, e.g. cross-under constructions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/538 | • • the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/544 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/552 | • Protection against radiation, e.g. light [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/556 | • • against alpha rays [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/58 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/60 | • • Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/62 | • • Protection against overcurrent or overload, e.g. fuses, shunts [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/64 | • • Impedance arrangements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 23/66 | • • • High-frequency adaptations [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/00 | Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00; photovoltaic modules or arrays of photovoltaic cells H01L 31/042) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/03 | • all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L 27/00-H01L 51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/04 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/065 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/07 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/075 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/10 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/11 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/13 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/16 | • the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L 27/00-H01L 51/00, e.g. forming hybrid circuits [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 25/18 | • the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L 27/00-H01L 51/00 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/00 | Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate (details thereof H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; assemblies consisting of a plurality of individual solid state devices H01L 25/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [2017.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/01 | • comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/02 | • including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/04 | • • the substrate being a semiconductor body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/06 | • • • including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/07 | • • • • the components having an active region in common [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/08 | • • • including only semiconductor components of a single kind [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/082 | • • • • including bipolar components only [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/085 | • • • • including field-effect components only [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/088 | • • • • • the components being field-effect transistors with insulated gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/092 | • • • • • • complementary MIS field-effect transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/095 | • • • • • the components being Schottky barrier gate field-effect transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/098 | • • • • • the components being PN junction gate field-effect transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/10 | • • • including a plurality of individual components in a repetitive configuration [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/102 | • • • • including bipolar components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/105 | • • • • including field-effect components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/108 | • • • • • Dynamic random access memory structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11 | • • • • • Static random access memory structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/112 | • • • • • Read-only memory structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/115 | • • • • • • Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11502 | • • • • • • • with ferroelectric memory capacitors [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11504 | • • • • • • • • characterised by the top-view layout [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11507 | • • • • • • • • characterised by the memory core region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11509 | • • • • • • • • characterised by the peripheral circuit region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11512 | • • • • • • • • characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11514 | • • • • • • • • characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11517 | • • • • • • • with floating gate [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11519 | • • • • • • • • characterised by the top-view layout [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11521 | • • • • • • • • characterised by the memory core region (three-dimensional arrangements H01L 27/11551) [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11524 | • • • • • • • • • with cell select transistors, e.g. NAND [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11526 | • • • • • • • • characterised by the peripheral circuit region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11529 | • • • • • • • • • of memory regions comprising cell select transistors, e.g. NAND [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11531 | • • • • • • • • • Simultaneous manufacturing of periphery and memory cells [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11534 | • • • • • • • • • • including only one type of peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11536 | • • • • • • • • • • • with a control gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11539 | • • • • • • • • • • • with an inter-gate dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11541 | • • • • • • • • • • • with a floating-gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11543 | • • • • • • • • • • • with a tunnel dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11546 | • • • • • • • • • • including different types of peripheral transistor [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11548 | • • • • • • • • characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11551 | • • • • • • • • characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11553 | • • • • • • • • • with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11556 | • • • • • • • • • • the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11558 | • • • • • • • • the control gate being a doped region, e.g. single-poly memory cells [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/1156 | • • • • • • • • the floating gate being an electrode shared by two or more components [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11563 | • • • • • • • with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11565 | • • • • • • • • characterised by the top-view layout [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11568 | • • • • • • • • characterised by the memory core region (three-dimensional arrangements H01L 27/11578) [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/1157 | • • • • • • • • • with cell select transistors, e.g. NAND [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11573 | • • • • • • • • characterised by the peripheral circuit region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11575 | • • • • • • • • characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11578 | • • • • • • • • characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/1158 | • • • • • • • • • with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11582 | • • • • • • • • • • the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11585 | • • • • • • • with the gate electrodes comprising a layer used for its ferroelectric memory properties, e.g. metal-ferroelectric-semiconductor [MFS] or metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor [MFMIS] [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11587 | • • • • • • • • characterised by the top-view layout [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/1159 | • • • • • • • • characterised by the memory core region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11592 | • • • • • • • • characterised by the peripheral circuit region [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11595 | • • • • • • • • characterised by the boundary region between core and peripheral circuit regions [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/11597 | • • • • • • • • characterised by three-dimensional arrangements, e.g. cells on different height levels [2017.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/118 | • • • • Masterslice integrated circuits [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/12 | • • the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/13 | • • • combined with thin-film or thick-film passive components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/14 | • including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation (radiation-sensitive components structurally associated with one or more electric light sources only H01L 31/14; couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/142 | • • Energy conversion devices (photovoltaic modules or arrays of single photovoltaic cells comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices H01L 31/0443; photovoltaic modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate H01L 31/046) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/144 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/146 | • • • Imager structures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/148 | • • • • Charge coupled imagers [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/15 | • including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/16 | • including thermoelectric components with or without a junction of dissimilar materials; including thermomagnetic components (using the Peltier effect only for cooling of semiconductor or other solid state devices H01L 23/38) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/18 | • including components exhibiting superconductivity [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/20 | • including piezo-electric components; including electrostrictive components; including magnetostrictive components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/22 | • including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effect; using similar magnetic field effects [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/24 | • including solid state components for rectifying, amplifying, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/26 | • including bulk negative resistance effect components [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/28 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/30 | • • with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 27/32 | • • with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/00 | Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof (H01L 31/00-H01L 47/00, H01L 51/05 take precedence; details other than of semiconductor bodies or of electrodes thereof H01L 23/00; devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [2]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/02 | • Semiconductor bodies [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/04 | • • characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes (characterised by physical imperfections H01L 29/30) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/06 | • • characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/08 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/10 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/12 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/15 | • • • Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices (such structures applied for the control of light G02F 1/017; applied in semiconductor lasers H01S 5/34) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• • Note(s) [6]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/16 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/161 | • • • • including two or more of the elements provided for in group H01L 29/16 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/165 | • • • • • in different semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/167 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/18 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/20 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/201 | • • • • including two or more compounds [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/205 | • • • • • in different semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/207 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/22 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/221 | • • • • including two or more compounds [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/225 | • • • • • in different semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/227 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/24 | • • • including, apart from doping materials or other impurities, only inorganic semiconductor materials not provided for in groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 or H01L 29/22 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/26 | • • • including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/267 | • • • • in different semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/30 | • • characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/32 | • • • the imperfections being within the semiconductor body [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/34 | • • • the imperfections being on the surface [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/36 | • • characterised by the concentration or distribution of impurities [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/38 | • • characterised by combination of features provided for in two or more of the groups H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/40 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/41 | • • characterised by their shape, relative sizes or dispositions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/417 | • • • carrying the current to be rectified, amplified or switched [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/423 | • • • not carrying the current to be rectified, amplified or switched [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/43 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/45 | • • • Ohmic electrodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/47 | • • • Schottky barrier electrodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/49 | • • • Metal-insulator semiconductor electrodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/51 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/66 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/68 | • • controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/70 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/72 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/73 | • • • • • Bipolar junction transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/732 | • • • • • • Vertical transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/735 | • • • • • • Lateral transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/737 | • • • • • • Hetero-junction transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/739 | • • • • • controlled by field effect [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/74 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/744 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/745 | • • • • • • with turn-off by field effect [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/747 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/749 | • • • • • with turn-on by field effect [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/76 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/762 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/765 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/768 | • • • • • • with field effect produced by an insulated gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/772 | • • • • Field-effect transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/775 | • • • • • with one-dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/778 | • • • • • with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/78 | • • • • • with field effect produced by an insulated gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/786 | • • • • • • Thin-film transistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/788 | • • • • • • with floating gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/792 | • • • • • • with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistor [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/80 | • • • • • with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/808 | • • • • • • with a PN junction gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/812 | • • • • • • with a Schottky gate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/82 | • • controllable by variation of the magnetic field applied to the device (H01L 29/96 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/84 | • • controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure (H01L 29/96 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/86 | • • controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/8605 | • • • Resistors with PN junction [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/861 | • • • Diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/862 | • • • • Point contact diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/864 | • • • • Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/866 | • • • • Zener diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/868 | • • • • PIN diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/87 | • • • • Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/872 | • • • • Schottky diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/88 | • • • • Tunnel-effect diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/885 | • • • • • Esaki diodes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/92 | • • • Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/93 | • • • • Variable-capacitance diodes, e.g. varactors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/94 | • • • • Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 29/96 | • • of a type covered by more than one of groups H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/00 | Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/42 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/02 | • Details [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0203 | • • Containers; Encapsulations (for photovoltaic devices H01L 31/048; for organic photosensitive devices H01L 51/44) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0216 | • • Coatings (H01L 31/041 takes precedence) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0224 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0232 | • • Optical elements or arrangements associated with the device (H01L 31/0236 takes precedence; for photovoltaic cells H01L 31/054; for photovoltaic modules H02S 40/20) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0236 | • • Special surface textures [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/024 | • • Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation (for photovoltaic devices H01L 31/052) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0248 | • characterised by their semiconductor bodies [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0256 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0264 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0272 | • • • • Selenium or tellurium [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/028 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0288 | • • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0296 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0304 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0312 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/032 | • • • • including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L 31/0272-H01L 31/0312 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0328 | • • • • including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L 31/0272-H01L 31/032 [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0336 | • • • • • in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero-junctions, X being an element of Group VI of the Periodic System [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0352 | • • characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/036 | • • characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0368 | • • • including polycrystalline semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0376 | • • • including amorphous semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0384 | • • • including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material (H01L 31/0392 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0392 | • • • including thin films deposited on metallic or insulating substrates [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/04 | • adapted as photovoltaic [PV] conversion devices (testing thereof during manufacture H01L 21/66; testing thereof after manufacture H02S 50/10) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/041 | • • Provisions for preventing damage caused by corpuscular radiation, e.g. for space applications [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/042 | • • PV modules or arrays of single PV cells (supporting structures for PV modules H02S 20/00) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/043 | • • • Mechanically stacked PV cells [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/044 | • • • including bypass diodes (bypass diodes in the junction box H02S 40/34) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0443 | • • • • comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0445 | • • • including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/046 | • • • • PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0463 | • • • • • characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0465 | • • • • • comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module (H01L 31/0463 takes precedence) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0468 | • • • • • comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/047 | • • • PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0475 | • • • PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays (PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate H01L 31/046) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/048 | • • • Encapsulation of modules [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/049 | • • • • Protective back sheets [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/05 | • • • Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells (electrodes H01L 31/0224; electrical interconnection of thin film solar cells formed on a common substrate H01L 31/046; particular structures for electrical interconnecting of adjacent thin film solar cells in the module H01L 31/0465; electrical interconnection means specially adapted for electrically connecting two or more PV modules H02S 40/36) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/052 | • • Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells (cooling means in combination with the PV module H02S 40/42) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0525 | • • • including means to utilise heat energy directly associated with the PV cell, e.g. integrated Seebeck elements [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/053 | • • Energy storage means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. a capacitor integrated with a PV cell (energy storage means associated with the PV module H02S 40/38) [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/054 | • • Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/055 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/056 | • • • the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type [2014.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/06 | • • characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/061 | • • • the potential barriers being of the point-contact type (H01L 31/07 takes precedence) [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/062 | • • • the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/065 | • • • the potential barriers being only of the graded gap type [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/068 | • • • the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0687 | • • • • Multiple junction or tandem solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0693 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/07 | • • • the potential barriers being only of the Schottky type [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/072 | • • • the potential barriers being only of the PN heterojunction type [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0725 | • • • • Multiple junction or tandem solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/073 | • • • • comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0735 | • • • • comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/074 | • • • • comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic System, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0745 | • • • • comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0747 | • • • • • comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/0749 | • • • • including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/075 | • • • the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/076 | • • • • Multiple junction or tandem solar cells [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/077 | • • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/078 | • • • including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L 31/061-H01L 31/075 [2012.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/08 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/09 | • • Devices sensitive to infra-red, visible or ultra- violet radiation (H01L 31/101 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/10 | • • characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/101 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/102 | • • • • characterised by only one potential barrier or surface barrier [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/103 | • • • • • the potential barrier being of the PN homojunction type [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/105 | • • • • • the potential barrier being of the PIN type [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/107 | • • • • • the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/108 | • • • • • the potential barrier being of the Schottky type [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/109 | • • • • • the potential barrier being of the PN heterojunction type [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/11 | • • • • characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/111 | • • • • characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/112 | • • • • characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/113 | • • • • • being of the conductor-insulator- semiconductor type, e.g. metal- insulator-semiconductor field-effect transistor [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/115 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/117 | • • • • of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/118 | • • • • of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/119 | • • • • characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/12 | • structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (electroluminescent light sources per se
H05B 33/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/14 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/147 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/153 | • • • • formed in, or on, a common substrate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/16 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/167 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/173 | • • • • formed in, or on, a common substrate [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/18 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 31/20 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/00 | Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/50 takes precedence; devices consisting of a plurality of semiconductor components formed in or on a common substrate and including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission H01L 27/15; semiconductor lasers H01S 5/00) [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [2010.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/02 | • characterised by the semiconductor bodies [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/04 | • • with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/06 | • • • within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/08 | • • with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body (H01L 27/15 takes precedence) [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/10 | • • with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/12 | • • with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/14 | • • with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/16 | • • with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/18 | • • • within the light emitting region [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• • • Note(s) [2010.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/20 | • • with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/22 | • • • Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/24 | • • • of the light emitting region, e.g. non-planar junction [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/26 | • • Materials of the light emitting region [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/28 | • • • containing only elements of group II and group VI of the periodic system [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/30 | • • • containing only elements of group III and group V of the periodic system [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/32 | • • • • containing nitrogen [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/34 | • • • containing only elements of group IV of the periodic system [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/36 | • characterised by the electrodes [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/38 | • • with a particular shape [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/40 | • • Materials therefor [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/42 | • • • Transparent materials [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/44 | • characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/46 | • • Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/48 | • characterised by the semiconductor body packages [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• Note(s) [2010.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/50 | • • Wavelength conversion elements [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/52 | • • Encapsulations [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/54 | • • • having a particular shape [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/56 | • • • Materials, e.g. epoxy or silicone resin [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/58 | • • Optical field-shaping elements [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/60 | • • • Reflective elements [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/62 | • • Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. leadframe, wire-bond or solder balls [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 33/64 | • • Heat extraction or cooling elements [2010.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/00 | Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/02 | • Details [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/04 | • • Structural details of the junction; Connections of leads [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/06 | • • • detachable, e.g. using a spring [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/08 | • • • non-detachable, e.g. cemented, sintered, soldered [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/10 | • • • Connections of leads [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/12 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/14 | • • using inorganic compositions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/16 | • • • comprising tellurium or selenium or sulfur [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/18 | • • • comprising arsenic or antimony or bismuth (H01L 35/16 takes precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/20 | • • • comprising metals only (H01L 35/16, H01L 35/18 take precedence) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/22 | • • • comprising compounds containing boron, carbon, oxygen, or nitrogen [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/24 | • • using organic compositions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/26 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/28 | • operating with Peltier or Seebeck effect only [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/30 | • • characterised by the heat-exchanging means at the junction [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/32 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 35/34 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 37/00 | Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using Nernst-Ettinghausen effect; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 37/02 | • using thermal change of dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 37/04 | • using thermal change of magnetic permeability, e.g. working above and below the Curie point [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/00 | Devices using superconductivity or hyperconductivity; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00; superconductors characterised by the ceramic-forming technique or the ceramic composition C04B 35/00; superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines H01B 12/00; superconductive coils or windings H01F; amplifiers using superconductivity H03F 19/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/02 | • Details [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/04 | • • Containers; Mountings [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/06 | • • characterised by the current path [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/08 | • • characterised by the shape of the element [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/10 | • • characterised by the means for switching [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/12 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/14 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/16 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/18 | • • Cryotrons [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/20 | • • • Power cryotrons [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/22 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 39/24 | • Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of devices provided for in group H01L 39/00 or of parts thereof [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/00 | Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (devices consisting of a plurality of solid-state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Note(s) [6]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/02 | • Details [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/04 | • • of piezo-electric or electrostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/047 | • • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/053 | • • • Mounts, supports, enclosures or casings [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/06 | • • of magnetostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/08 | • Piezo-electric or electrostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/083 | • • having a stacked or multilayer structure [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/087 | • • formed as coaxial cables [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• Note(s) [6]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/09 | • • with electrical input and mechanical output [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/107 | • • with electrical input and electrical output [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/113 | • • with mechanical input and electrical output [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/12 | • Magnetostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/16 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/18 | • • for piezo-electric or electrostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/187 | • • • Ceramic compositions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/193 | • • • Macromolecular compositions [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/20 | • • for magnetostrictive elements [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/22 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/23 | • • Forming enclosures or casings [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/25 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/253 | • • Treating devices or parts thereof to modify a piezo-electric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/257 | • • • by polarising [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/27 | • • Manufacturing multilayered piezo-electric or electrostrictive devices or parts thereof, e.g. by stacking piezo-electric bodies and electrodes [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/273 | • • • by integrally sintering piezo-electric or electrostrictive bodies and electrodes [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/277 | • • • by stacking bulk piezo-electric or electrostrictive bodies and electrodes [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/29 | • • Forming electrodes, leads or terminal arrangements [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
• • Note(s) [2013.01]
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/293 | • • • Connection electrodes of multilayered piezo-electric or electrostrictive parts [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/297 | • • • Individual layer electrodes of multilayered piezo-electric or electrostrictive parts [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/31 | • • Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/311 | • • • Mounting of piezo-electric or electrostrictive parts together with semiconductor elements, or other circuit elements, on a common substrate [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/312 | • • • by laminating or bonding of piezo-electric or electrostrictive bodies [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/313 | • • • • by metal fusing or with adhesives [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/314 | • • • by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/316 | • • • • by vapour phase deposition [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/317 | • • • • by liquid phase deposition [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/318 | • • • • • by sol-gel deposition [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/319 | • • • • using intermediate layers, e.g. for growth control [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/33 | • • Shaping or machining of piezo-electric or electrostrictive bodies [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/331 | • • • by coating or depositing using masks, e.g. lift-off [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/332 | • • • by etching, e.g. lithography [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/333 | • • • by moulding or extrusion [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/335 | • • • by machining [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/337 | • • • • by polishing or grinding [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/338 | • • • • by cutting or dicing [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/339 | • • • • by punching [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/35 | • • Forming piezo-electric or electrostrictive materials [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/37 | • • • Composite materials [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/39 | • • • Inorganic materials [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/41 | • • • • by melting [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/43 | • • • • by sintering [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/45 | • • • Organic materials [2013.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 41/47 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/00 | Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/02 | • Details [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/04 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/06 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/08 | • Magnetic-field-controlled resistors [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/10 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/12 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 43/14 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 45/00 | Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00; devices using superconductivity or hyperconductivity H01L 39/00; piezo-electric elements H01L 41/00; bulk negative resistance effect devices H01L 47/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 45/02 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 47/00 | Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 47/02 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 49/00 | Solid state devices not provided for in groups H01L 27/00-H01L 47/00 and H01L 51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 49/02 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/00 | Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof (devices consisting of a plurality of components formed in or on a common substrate H01L 27/28; thermoelectric devices using organic material H01L 35/00, H01L 37/00; piezo-electric, electrostrictive or magnetostrictive elements using organic material H01L 41/00) [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/05 | • specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/10 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/30 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/40 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/42 | • specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/44 | • • Details of devices [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/46 | • • Selection of materials [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/48 | • • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/50 | • | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/52 | • • Details of devices [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/54 | • • Selection of materials [2006.01] | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
H01L 51/56 | • • |