ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРАВИТЕЛЬСТВА КЫРГЫЗСКОЙ РЕСПУБЛИКИ
г.Бишкек, от 29 ноября 2011 года N 748
Об утверждении Правил рассмотрения и регистрации авторских договоров на объекты авторского права,
договоров в области объектов смежных прав, договоров о передаче прав на топологии интегральных микросхем,
Правил оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию
топологии интегральной микросхемы, Правил составления, подачи и рассмотрения заявки на
регистрацию объекта авторского права и объекта смежных прав
В соответствии с законами Кыргызской Республики "Об авторском праве и смежных правах", "О правовой охране программ для электронно-вычислительных машин и баз данных" и "О правовой охране топологий интегральных микросхем" Правительство Кыргызской Республики постановляет:
1. Утвердить прилагаемые: - Правила рассмотрения и регистрации авторских договоров на объекты авторского права,
договоров в области объектов смежных прав, договоров о передаче прав на топологии интегральных микросхем;
- Правила оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы;
- Правила составления, подачи и рассмотрения заявки на регистрацию объекта авторского права и объекта смежных прав.
2. Настоящее постановление вступает в силу со дня официального опубликования. Опубликовано в приложении к газете "Эркин Тоо" "Нормативные акты Правительства
Кыргызской Республики" от 29 декабря 2011 года N 23-24 (404-405)
Премьер-министр Кыргызской Республики А.Атамбаев
Утверждены постановлением Правительства
Кыргызской Республики от 29 ноября 2011 года N 748
ПРАВИЛА оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии
интегральной микросхемы
Настоящие Правила регламентируют порядок составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы в соответствии с Законом Кыргызской Республики "О правовой охране топологий интегральных микросхем".
1. Подача заявки
1. Автор топологии или иной правообладатель может по своему желанию зарегистрировать топологию в уполномоченном государственном органе в области интеллектуальной собственности (далее - Кыргызпатент) путем подачи заявки.
2. Заявка должна относиться к одной топологии. 3. Заявка на регистрацию топологии базового матричного кристалла может включать
материалы, относящиеся как к топологии самого базового матричного кристалла, так и к топологии заказных интегральных микросхем, реализуемых на его основе.
4. Лица, имеющие право на подачу заявки. Правом на подачу заявки и регистрацию топологии имеют автор или любой
правообладатель (далее заявитель). Заявка подается непосредственно заявителем либо через представителя. Полномочия
представителя подтверждаются доверенностью, оформленной в соответствии с законодательством Кыргызской Республики.
5. Процедура подачи заявки. Заявка подается в срок, не превышающий двух лет с даты первого использования
топологии, если оно имело место. Заявка подается в Кыргызпатент непосредственно или направляется по почте. 6. Заявка должна содержать: - заявление на официальную регистрацию топологии интегральных микросхем (далее -
ТИМС) с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого использования топологии, если оно имело место;
- депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат с указанием оригинальности топологии;
- схему пространственно-геометрического расположения элементов топологии интегральных микросхем;
- документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основание для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также уменьшение его размера.
Документы, прилагаемые к заявке: - заверенная копия документа, подтверждающая дату первого использования топологии в
коммерческих целях, если эта топология использовалась в коммерческих целях ранее даты ее подачи в Кыргызпатент;
- надлежаще заверенная копия документа, подтверждающая передачу имущественных прав, если правообладатель не является автором;
- надлежаще оформленная доверенность на представительство, если заявка подается через представителя.
7. Документы заявки представляются на государственном или официальном языке. Если документы заявки представлены на ином языке, то к ним прилагается надлежаще заверенный перевод на государственный или официальный язык депонируемых материалов.
8. Документы заявки представляются в одном экземпляре.
2. Содержание и оформление документов заявки
9. Требования к оформлению документов заявки. Документы заявки оформляются таким образом, чтобы их можно было непосредственно
репродуцировать фотографически, электростатически, офсетно и микрофильмировать. Документы заявки выполняются на листах прочной, белой, гладкой, непрозрачной, не
глянцевой бумаги формата А4 (210x297 мм) и начинаются на отдельных листах, если их установленной формой не предусмотрено иное. Размеры полей на листах документов заявки должны быть не менее (мо( �
- левое - 20; - верхнее - 17; - правое и нижнее - 7. В каждом документе заявки второй и последующие листы пронумеровываются арабскими
цифрами и отпечатаны шрифтом черного цвета. 10. Заявление на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы
представляется по форме КТ (приложение 1 к настоящим Правилам). Фамилии, имена и отчества (если имеются) в документах заявки на регистрацию
указываются в именительном падеже. Иностранные имена и названия предприятий указываются в кыргызской или русской
транслитерации. Графы заявления, расположенные над словом "Заявление", предназначены для внесения
реквизитов после поступления заявки в Кыргызпатент и заявителем не заполняются. В графе "Заявитель(и)" указывается полное имя или наименование заявителя, его
местожительство или местонахождение. Данные о местожительстве автора - заявителя указываются в графе "Автор".
Графа "Основания возникновения прав на данное произведение" заполняется в случае, когда заявитель не является автором. В ней путем простановки знака "X" в соответствующей клетке указывается правообладатель.
В графе "Название интегральной микросхемы с данной топологией" указывается сокращенное и полное название топологии.
Графа "Альтернативное название" заполняется в том случае, если существует дополнительное название для регистрируемой топологии, под которым мог быть ранее записан документ, относящийся к топологии.
В графе "Сведения о ближайшем аналоге данной топологии" приводится аналог, если таковой имеется. В качестве аналога может быть указана топология, как не использованная, так и использованная ранее в коммерческих целях. В последнем случае в графе "Дата и место первого использования топологии в коммерческих целях" указывается полная дата (число, месяц, год) и страна первого использования этой топологии в коммерческих целях.
В графе "Данные о правообладателе на дату первого использования данной топологии в коммерческих целях" приводятся сведения о ее правообладателе на дату первого использования.
В графе "Сведения об охраняемых топологиях" приводятся сведения о топологиях, используемых при создании представленной на регистрацию топологии. В понятие охраняемой топологии входит как зарегистрированная, так и незарегистрированная топология, используемая в коммерческих целях не более двух лет. Это могут быть ближайшие аналоги заявляемой топологии, а также входящие в заявляемую топологию иные топологии, состоящие из элементов, общеизвестных разработчикам и изготовителям ТИМС на дату ее создания, совокупность которой является оригинальной. Приводятся сведения о топологиях базового матричного кристалла и о топологиях заказных интегральных микросхем, созданных на его основе.
В графе "Автор" указываются фамилия, имя, отчество (если имеется) автора в именительном падеже, в указанной последовательности, дата рождения, гражданство и адрес местожительства автора, включая официальное наименование страны, телефон.
В этой же графе приводится краткое описание творческого вклада автора в создание данного произведения.
Если авторов несколько, то необходимо заполнение формы КТ/ДОП (приложение 2) с указанием объема конкретного вклада каждого автора в создание данной топологии.
Графы "Документы заявки" и "Документы, прилагаемые к заявке" заполняются путем простановки знака "X" в соответствующих клетках.
В графе "Депонируемые материалы" отмечается вид материала, идентифицирующего данную топологию.
В графе "Сведения об адресате" указываются сведения об адресате, которому следует отправлять корреспонденцию по данной заявке, т.е. указывается адрес, имя или наименование одного из заявителей, удовлетворяющие обычным требованиям быстрой почтовой доставки, и номера телефона, телекса, факса (если имеются).
В последней графе заявления подтверждается, что указанные в заявлении сведения являются достоверными и соответствуют депонируемым идентифицирующим материалам. Графа подписывается заявителем или его представителем с указанием даты подписания. Подпись и дата обязательны. Подпись расшифровывается с указанием фамилии и инициалов подписывающего лица.
При подаче заявки на регистрацию от двух и более заявителей бланк заявления подписывается каждым из них, а переписка ведется с представителем, уполномоченным на это заявителями, по адресу, указанному в соответствующей графе заявления.
От имени юридического лица заявление подписывается руководителем организации, с указанием его должности, подпись расшифровывается и скрепляется печатью.
11. Требования к оформлению депонируемых материалов. Материалы, представляемые в Кыргызпатент на депонирование, должны обеспечивать
однозначную идентификацию регистрируемой топологии. В целях идентификации топологии, не использованной в коммерческих целях до даты
подачи заявки на регистрацию, депонируемые материалы заявки должны содержать: полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии, в одном экземпляре:
- фотошаблоны; - сборный топологический чертеж; - послойные топологические чертежи; - фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ТИМС; - реферат, содержащий сведения, предназначенные для последующей публикации в
официальном бюллетене: наименование ТИМС; наименование заявителя; область применения, назначение или функции ТИМС; вид применяемой для изготовления ТИМС технологии.
Средний объем текста реферата до 1500 печатных знаков. В целях идентификации топологии, использованной в коммерческих целях до даты подачи
заявки на регистрацию, депонируемые материалы заявки должны дополнительно содержать образцы ТИМС, включающие данную топологию, в том виде, в котором она была использована в коммерческих целях, а в реферате - содержаться сведения о дате первого использования в коммерческих целях и об основных характеристиках образца ТИМС.
Графические изображения топологических чертежей выполняются на кальке или гладкой белой бумаге. Формат листов в сложенном виде должен быть 210x297 мм. Минимальные поля листа графического изображения должны иметь размеры: сверху и левая сторона - 20 мм, правая сторона - 15 мм, снизу - 10 мм.
Изображения на фотографиях должны быть контрастными. На всех экземплярах чертежей и фотографий указывается масштаб изображений. В визуально воспринимаемых материалах изображения представляются в масштабе не
менее 20:1. Образцы ТИМС, включаемые в состав заявки, должны допускать возможность получения с
них визуально воспринимаемого изображения каждого слоя ее топологии. Если какой-либо слой топологии содержит сведения конфиденциального характера
(например, относящиеся к "ноу-хау"), в визуально воспринимаемых материалах соответствующая часть этого слоя (или целиком слой) может быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифицирующих топологию, в закодированной форме.
3. Рассмотрение заявки
12. Поступившим в Кыргызпатент материалам заявки присваивается входящий номер и фиксируется дата их поступления.
Заявителю либо его представителю выдается справка о принятии материалов заявки, с указанием входящего номера, даты поступления и перечня принятых документов.
13. Рассмотрение заявки производится в течение шести месяцев. Поступившие материалы заявки проверяются на наличие документа, подтверждающего
уплату регистрационного сбора за подачу и рассмотрение заявки в установленном размере. При отсутствии такого документа, заявитель уведомляется о необходимости его
представления до истечения двух месяцев с даты поступления заявки при условии уплаты дополнительного сбора.
В течение двух месяцев после поступления заявки в Кыргызпатент заявитель вправе дополнять, уточнять и исправлять материалы заявки.
14. В ходе рассмотрения заявки устанавливается: - соответствие суммы уплаченного регистрационного сбора установленным размерам; - наличие необходимых документов, определенных пунктом 6 настоящих Правил; - правильность оформления документов заявки в соответствии с требованиями пунктов 9-11
настоящих Правил; - соответствие заявленной топологии объектам, которым предоставляется правовая охрана. По заявке, поданной с нарушением установленных требований, Кыргызпатент направляет
заявителю запрос с предложением в течение двух месяцев с даты получения запроса устранить имеющиеся недостатки.
15. Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформлена на объект, которому предоставляется правовая охрана, выносится решение об официальной регистрации топологии, о чем заявитель уведомляется.
Кыргызпатент, при положительном результате проверки вносит соответствующую запись в Реестр топологий интегральных микросхем Кыргызской Республики, публикует в установленном
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
порядке сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене Кыргызпатента "Интеллектуалдык менчик", выдает заявителю свидетельство об официальной регистрации.
16. Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформлена на объект, которому не предоставляется правовая охрана, и в случае несоблюдения заявителем требований абзаца два пункта 5 настоящих Правил, т.е. в случае превышения им установленных сроков подачи заявки на регистрацию с даты первого использования топологии в коммерческих целях (два года), выносится решение об отказе в официальной регистрации топологии с приведением соответствующего обоснования.
В случае отказа в регистрации заявки уплаченный сбор и материалы заявки заявителю не возвращаются.
Приложение 1 Форма КТ
Уполномоченный государственный орган в области интеллектуальной собственности (Кыргызпатент)
Адрес: Дата поступления ___ число _________ месяц _____ год Входящий N _____ N официальной регистрации _____
ЗАЯВЛЕНИЕ на официальную регистрацию топологии интегральной
микросхемы (ТИМС)
Представляя указанные ниже документы, прошу произвести регистрацию топологии
1. Заявитель(ли)
(полное имя или наименование и местожительство или местонахождение) Данные о местожительстве авторов-заявителей приводятся в графе (9).
2. Основания возникновения прав на данную топологию (если заявитель не является автороо( �
[ ] заявитель является работодателем автора; [ ] передача прав автором или его правопреемником иному лицу; [ ] передача прав работодателем иному лицу; [ ] право наследования.
3. Название интегральной микросхемы с данной топологией (сокращенное и полное):
4. Альтернативное название
5. Сведения о ближайшем аналоге данной топологии
6. Дата и место первого использования топологии в коммерческих целях ____ число ________ месяц _____ год страна ____________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
7. Данные о правообладателе на дату первого использования данной топологии в коммерческих целях (имя, наименование, гражданство, адрес, телефон)
8. Сведения об охраняемых топологиях (использованных при создании данной топологии)
9. Автор (для указания данных о других авторах необходимо заполнение формы КТ/ДОП)
Фамилия, имя, отчество Дата рождения ___________ число ________________ месяц _______ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение
10. Депонируемые материалы, идентифицирующие данную топологию: [ ] полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов,
отображающих каждый слой данной топологии, включая спецификацию, в ________ экз.: [ ] фотошаблоны ______ шт.; [ ] сборный топологический чертеж на ______ л.; [ ] послойные топологические чертежи на ______ л.; [ ] фотография каждого слоя топологии, зафиксированной в интегральной микросхеме
______ шт.; [ ] схема пространственно-геометрического расположения элементов топологии ИМС, на
______ л.; [ ] образцы интегральной микросхемы, включающие данную топологию в том виде, в котором
она была использована в коммерческих целях, в _____ экз.; [ ] реферат, в ______ экз.
11. Документы, прилагаемые к заявлению: [ ] документ об уплате регистрационного сбора; [ ] документ об освобождении от уплаты регистрационного сбора или уменьшении его
размера; [ ] копия документа о передаче имущественных прав; [ ] копия документа, подтверждающего дату и место первого использования топологии в
коммерческих целях; [ ] доверенность представителя правообладателя; [ ] перевод на государственный или официальный язык
__________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
_______________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
12. Сведения об адресате (которому следует отправлять корреспонденцию по данной заявке) адрес,
включая почтовый индекс: - номер телефона, включая международный код (факс, телефакс и др.); - получатель. Я, _______________________________________________________________ (Должность)
(Фамилия, имя, отчество) настоящим подтверждаю, что указанные в заявлении сведения являются верными и
соответствующими депонируемым идентифицирующим материалам. Подпись _________________ "___" _________ 201__ г. Примечание: (при подписании от имени юридического лица указывается должность
руководителя, а его подпись удостоверяется печатью).
Приложение 2 Форма КТ/ДОП
Уполномоченный государственный орган в области интеллектуальной собственности (Кыргызпатент)
Адрес: Дата регистрации число _____ месяц _____________ год ______ Входящий N _____________________________ N официальной регистрации _______________
Заявитель (полное имя или наименование одного
из заявителей, указанных в Форме КТ)
Название произведения (указанное в Форме КТ) Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор
Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор
Фамилия, имя, отчество
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
__________________________________________________________________
Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к пункту 9 Формы КТ Автор
Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор
Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор
Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________
Адрес местожительства, телефон
Краткое описание авторского вклада в данное произведение