About Intellectual Property IP Training Respect for IP IP Outreach IP for… IP and... IP in... Patent & Technology Information Trademark Information Industrial Design Information Geographical Indication Information Plant Variety Information (UPOV) IP Laws, Treaties & Judgements IP Resources IP Reports Patent Protection Trademark Protection Industrial Design Protection Geographical Indication Protection Plant Variety Protection (UPOV) IP Dispute Resolution IP Office Business Solutions Paying for IP Services Negotiation & Decision-Making Development Cooperation Innovation Support Public-Private Partnerships AI Tools & Services The Organization Working with WIPO Accountability Patents Trademarks Industrial Designs Geographical Indications Copyright Trade Secrets WIPO Academy Workshops & Seminars IP Enforcement WIPO ALERT Raising Awareness World IP Day WIPO Magazine Case Studies & Success Stories IP News WIPO Awards Business Universities Indigenous Peoples Judiciaries Genetic Resources, Traditional Knowledge and Traditional Cultural Expressions Economics Gender Equality Global Health Climate Change Competition Policy Sustainable Development Goals Frontier Technologies Mobile Applications Sports Tourism PATENTSCOPE Patent Analytics International Patent Classification ARDI – Research for Innovation ASPI – Specialized Patent Information Global Brand Database Madrid Monitor Article 6ter Express Database Nice Classification Vienna Classification Global Design Database International Designs Bulletin Hague Express Database Locarno Classification Lisbon Express Database Global Brand Database for GIs PLUTO Plant Variety Database GENIE Database WIPO-Administered Treaties WIPO Lex - IP Laws, Treaties & Judgments WIPO Standards IP Statistics WIPO Pearl (Terminology) WIPO Publications Country IP Profiles WIPO Knowledge Center WIPO Technology Trends Global Innovation Index World Intellectual Property Report PCT – The International Patent System ePCT Budapest – The International Microorganism Deposit System Madrid – The International Trademark System eMadrid Article 6ter (armorial bearings, flags, state emblems) Hague – The International Design System eHague Lisbon – The International System of Appellations of Origin and Geographical Indications eLisbon UPOV PRISMA UPOV e-PVP Administration UPOV e-PVP DUS Exchange Mediation Arbitration Expert Determination Domain Name Disputes Centralized Access to Search and Examination (CASE) Digital Access Service (DAS) WIPO Pay Current Account at WIPO WIPO Assemblies Standing Committees Calendar of Meetings WIPO Webcast WIPO Official Documents Development Agenda Technical Assistance IP Training Institutions COVID-19 Support National IP Strategies Policy & Legislative Advice Cooperation Hub Technology and Innovation Support Centers (TISC) Technology Transfer Inventor Assistance Program WIPO GREEN WIPO's Pat-INFORMED Accessible Books Consortium WIPO for Creators WIPO Translate Speech-to-Text Classification Assistant Member States Observers Director General Activities by Unit External Offices Job Vacancies Procurement Results & Budget Financial Reporting Oversight
Arabic English Spanish French Russian Chinese
Laws Treaties Judgments Browse By Jurisdiction

Kyrgyzstan

KG147

Back

Правила оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы (Утверждены постановлением Правительства Кыргызской Республики от 29 ноября 2011 года № 748)

 Правила оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы (Утверждены постановлением Правительства Кыргызской Республики от 29 ноября 2011 года № 748)

ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРАВИТЕЛЬСТВА КЫРГЫЗСКОЙ РЕСПУБЛИКИ

г.Бишкек, от 29 ноября 2011 года N 748

Об утверждении Правил рассмотрения и регистрации авторских договоров на объекты авторского права,

договоров в области объектов смежных прав, договоров о передаче прав на топологии интегральных микросхем,

Правил оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию

топологии интегральной микросхемы, Правил составления, подачи и рассмотрения заявки на

регистрацию объекта авторского права и объекта смежных прав

В соответствии с законами Кыргызской Республики "Об авторском праве и смежных правах", "О правовой охране программ для электронно-вычислительных машин и баз данных" и "О правовой охране топологий интегральных микросхем" Правительство Кыргызской Республики постановляет:

1. Утвердить прилагаемые: - Правила рассмотрения и регистрации авторских договоров на объекты авторского права,

договоров в области объектов смежных прав, договоров о передаче прав на топологии интегральных микросхем;

- Правила оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы;

- Правила составления, подачи и рассмотрения заявки на регистрацию объекта авторского права и объекта смежных прав.

2. Настоящее постановление вступает в силу со дня официального опубликования. Опубликовано в приложении к газете "Эркин Тоо" "Нормативные акты Правительства

Кыргызской Республики" от 29 декабря 2011 года N 23-24 (404-405)

Премьер-министр Кыргызской Республики А.Атамбаев

Утверждены постановлением Правительства

Кыргызской Республики от 29 ноября 2011 года N 748

ПРАВИЛА оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии

интегральной микросхемы

Настоящие Правила регламентируют порядок составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы в соответствии с Законом Кыргызской Республики "О правовой охране топологий интегральных микросхем".

1. Подача заявки

1. Автор топологии или иной правообладатель может по своему желанию зарегистрировать топологию в уполномоченном государственном органе в области интеллектуальной собственности (далее - Кыргызпатент) путем подачи заявки.

2. Заявка должна относиться к одной топологии. 3. Заявка на регистрацию топологии базового матричного кристалла может включать

материалы, относящиеся как к топологии самого базового матричного кристалла, так и к топологии заказных интегральных микросхем, реализуемых на его основе.

4. Лица, имеющие право на подачу заявки. Правом на подачу заявки и регистрацию топологии имеют автор или любой

правообладатель (далее заявитель). Заявка подается непосредственно заявителем либо через представителя. Полномочия

представителя подтверждаются доверенностью, оформленной в соответствии с законодательством Кыргызской Республики.

5. Процедура подачи заявки. Заявка подается в срок, не превышающий двух лет с даты первого использования

топологии, если оно имело место. Заявка подается в Кыргызпатент непосредственно или направляется по почте. 6. Заявка должна содержать: - заявление на официальную регистрацию топологии интегральных микросхем (далее -

ТИМС) с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого использования топологии, если оно имело место;

- депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат с указанием оригинальности топологии;

- схему пространственно-геометрического расположения элементов топологии интегральных микросхем;

- документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основание для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также уменьшение его размера.

Документы, прилагаемые к заявке: - заверенная копия документа, подтверждающая дату первого использования топологии в

коммерческих целях, если эта топология использовалась в коммерческих целях ранее даты ее подачи в Кыргызпатент;

- надлежаще заверенная копия документа, подтверждающая передачу имущественных прав, если правообладатель не является автором;

- надлежаще оформленная доверенность на представительство, если заявка подается через представителя.

7. Документы заявки представляются на государственном или официальном языке. Если документы заявки представлены на ином языке, то к ним прилагается надлежаще заверенный перевод на государственный или официальный язык депонируемых материалов.

8. Документы заявки представляются в одном экземпляре.

2. Содержание и оформление документов заявки

9. Требования к оформлению документов заявки. Документы заявки оформляются таким образом, чтобы их можно было непосредственно

репродуцировать фотографически, электростатически, офсетно и микрофильмировать. Документы заявки выполняются на листах прочной, белой, гладкой, непрозрачной, не

глянцевой бумаги формата А4 (210x297 мм) и начинаются на отдельных листах, если их установленной формой не предусмотрено иное. Размеры полей на листах документов заявки должны быть не менее (мо( �

- левое - 20; - верхнее - 17; - правое и нижнее - 7. В каждом документе заявки второй и последующие листы пронумеровываются арабскими

цифрами и отпечатаны шрифтом черного цвета. 10. Заявление на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы

представляется по форме КТ (приложение 1 к настоящим Правилам). Фамилии, имена и отчества (если имеются) в документах заявки на регистрацию

указываются в именительном падеже. Иностранные имена и названия предприятий указываются в кыргызской или русской

транслитерации. Графы заявления, расположенные над словом "Заявление", предназначены для внесения

реквизитов после поступления заявки в Кыргызпатент и заявителем не заполняются. В графе "Заявитель(и)" указывается полное имя или наименование заявителя, его

местожительство или местонахождение. Данные о местожительстве автора - заявителя указываются в графе "Автор".

Графа "Основания возникновения прав на данное произведение" заполняется в случае, когда заявитель не является автором. В ней путем простановки знака "X" в соответствующей клетке указывается правообладатель.

В графе "Название интегральной микросхемы с данной топологией" указывается сокращенное и полное название топологии.

Графа "Альтернативное название" заполняется в том случае, если существует дополнительное название для регистрируемой топологии, под которым мог быть ранее записан документ, относящийся к топологии.

В графе "Сведения о ближайшем аналоге данной топологии" приводится аналог, если таковой имеется. В качестве аналога может быть указана топология, как не использованная, так и использованная ранее в коммерческих целях. В последнем случае в графе "Дата и место первого использования топологии в коммерческих целях" указывается полная дата (число, месяц, год) и страна первого использования этой топологии в коммерческих целях.

В графе "Данные о правообладателе на дату первого использования данной топологии в коммерческих целях" приводятся сведения о ее правообладателе на дату первого использования.

В графе "Сведения об охраняемых топологиях" приводятся сведения о топологиях, используемых при создании представленной на регистрацию топологии. В понятие охраняемой топологии входит как зарегистрированная, так и незарегистрированная топология, используемая в коммерческих целях не более двух лет. Это могут быть ближайшие аналоги заявляемой топологии, а также входящие в заявляемую топологию иные топологии, состоящие из элементов, общеизвестных разработчикам и изготовителям ТИМС на дату ее создания, совокупность которой является оригинальной. Приводятся сведения о топологиях базового матричного кристалла и о топологиях заказных интегральных микросхем, созданных на его основе.

В графе "Автор" указываются фамилия, имя, отчество (если имеется) автора в именительном падеже, в указанной последовательности, дата рождения, гражданство и адрес местожительства автора, включая официальное наименование страны, телефон.

В этой же графе приводится краткое описание творческого вклада автора в создание данного произведения.

Если авторов несколько, то необходимо заполнение формы КТ/ДОП (приложение 2) с указанием объема конкретного вклада каждого автора в создание данной топологии.

Графы "Документы заявки" и "Документы, прилагаемые к заявке" заполняются путем простановки знака "X" в соответствующих клетках.

В графе "Депонируемые материалы" отмечается вид материала, идентифицирующего данную топологию.

В графе "Сведения об адресате" указываются сведения об адресате, которому следует отправлять корреспонденцию по данной заявке, т.е. указывается адрес, имя или наименование одного из заявителей, удовлетворяющие обычным требованиям быстрой почтовой доставки, и номера телефона, телекса, факса (если имеются).

В последней графе заявления подтверждается, что указанные в заявлении сведения являются достоверными и соответствуют депонируемым идентифицирующим материалам. Графа подписывается заявителем или его представителем с указанием даты подписания. Подпись и дата обязательны. Подпись расшифровывается с указанием фамилии и инициалов подписывающего лица.

При подаче заявки на регистрацию от двух и более заявителей бланк заявления подписывается каждым из них, а переписка ведется с представителем, уполномоченным на это заявителями, по адресу, указанному в соответствующей графе заявления.

От имени юридического лица заявление подписывается руководителем организации, с указанием его должности, подпись расшифровывается и скрепляется печатью.

11. Требования к оформлению депонируемых материалов. Материалы, представляемые в Кыргызпатент на депонирование, должны обеспечивать

однозначную идентификацию регистрируемой топологии. В целях идентификации топологии, не использованной в коммерческих целях до даты

подачи заявки на регистрацию, депонируемые материалы заявки должны содержать: полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии, в одном экземпляре:

- фотошаблоны; - сборный топологический чертеж; - послойные топологические чертежи; - фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ТИМС; - реферат, содержащий сведения, предназначенные для последующей публикации в

официальном бюллетене: наименование ТИМС; наименование заявителя; область применения, назначение или функции ТИМС; вид применяемой для изготовления ТИМС технологии.

Средний объем текста реферата до 1500 печатных знаков. В целях идентификации топологии, использованной в коммерческих целях до даты подачи

заявки на регистрацию, депонируемые материалы заявки должны дополнительно содержать образцы ТИМС, включающие данную топологию, в том виде, в котором она была использована в коммерческих целях, а в реферате - содержаться сведения о дате первого использования в коммерческих целях и об основных характеристиках образца ТИМС.

Графические изображения топологических чертежей выполняются на кальке или гладкой белой бумаге. Формат листов в сложенном виде должен быть 210x297 мм. Минимальные поля листа графического изображения должны иметь размеры: сверху и левая сторона - 20 мм, правая сторона - 15 мм, снизу - 10 мм.

Изображения на фотографиях должны быть контрастными. На всех экземплярах чертежей и фотографий указывается масштаб изображений. В визуально воспринимаемых материалах изображения представляются в масштабе не

менее 20:1. Образцы ТИМС, включаемые в состав заявки, должны допускать возможность получения с

них визуально воспринимаемого изображения каждого слоя ее топологии. Если какой-либо слой топологии содержит сведения конфиденциального характера

(например, относящиеся к "ноу-хау"), в визуально воспринимаемых материалах соответствующая часть этого слоя (или целиком слой) может быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифицирующих топологию, в закодированной форме.

3. Рассмотрение заявки

12. Поступившим в Кыргызпатент материалам заявки присваивается входящий номер и фиксируется дата их поступления.

Заявителю либо его представителю выдается справка о принятии материалов заявки, с указанием входящего номера, даты поступления и перечня принятых документов.

13. Рассмотрение заявки производится в течение шести месяцев. Поступившие материалы заявки проверяются на наличие документа, подтверждающего

уплату регистрационного сбора за подачу и рассмотрение заявки в установленном размере. При отсутствии такого документа, заявитель уведомляется о необходимости его

представления до истечения двух месяцев с даты поступления заявки при условии уплаты дополнительного сбора.

В течение двух месяцев после поступления заявки в Кыргызпатент заявитель вправе дополнять, уточнять и исправлять материалы заявки.

14. В ходе рассмотрения заявки устанавливается: - соответствие суммы уплаченного регистрационного сбора установленным размерам; - наличие необходимых документов, определенных пунктом 6 настоящих Правил; - правильность оформления документов заявки в соответствии с требованиями пунктов 9-11

настоящих Правил; - соответствие заявленной топологии объектам, которым предоставляется правовая охрана. По заявке, поданной с нарушением установленных требований, Кыргызпатент направляет

заявителю запрос с предложением в течение двух месяцев с даты получения запроса устранить имеющиеся недостатки.

15. Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформлена на объект, которому предоставляется правовая охрана, выносится решение об официальной регистрации топологии, о чем заявитель уведомляется.

Кыргызпатент, при положительном результате проверки вносит соответствующую запись в Реестр топологий интегральных микросхем Кыргызской Республики, публикует в установленном

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

порядке сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене Кыргызпатента "Интеллектуалдык менчик", выдает заявителю свидетельство об официальной регистрации.

16. Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформлена на объект, которому не предоставляется правовая охрана, и в случае несоблюдения заявителем требований абзаца два пункта 5 настоящих Правил, т.е. в случае превышения им установленных сроков подачи заявки на регистрацию с даты первого использования топологии в коммерческих целях (два года), выносится решение об отказе в официальной регистрации топологии с приведением соответствующего обоснования.

В случае отказа в регистрации заявки уплаченный сбор и материалы заявки заявителю не возвращаются.

Приложение 1 Форма КТ

Уполномоченный государственный орган в области интеллектуальной собственности (Кыргызпатент)

Адрес: Дата поступления ___ число _________ месяц _____ год Входящий N _____ N официальной регистрации _____

ЗАЯВЛЕНИЕ на официальную регистрацию топологии интегральной

микросхемы (ТИМС)

Представляя указанные ниже документы, прошу произвести регистрацию топологии

1. Заявитель(ли)

(полное имя или наименование и местожительство или местонахождение) Данные о местожительстве авторов-заявителей приводятся в графе (9).

2. Основания возникновения прав на данную топологию (если заявитель не является автороо( �

[ ] заявитель является работодателем автора; [ ] передача прав автором или его правопреемником иному лицу; [ ] передача прав работодателем иному лицу; [ ] право наследования.

3. Название интегральной микросхемы с данной топологией (сокращенное и полное):

4. Альтернативное название

5. Сведения о ближайшем аналоге данной топологии

6. Дата и место первого использования топологии в коммерческих целях ____ число ________ месяц _____ год страна ____________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

_____________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

7. Данные о правообладателе на дату первого использования данной топологии в коммерческих целях (имя, наименование, гражданство, адрес, телефон)

8. Сведения об охраняемых топологиях (использованных при создании данной топологии)

9. Автор (для указания данных о других авторах необходимо заполнение формы КТ/ДОП)

Фамилия, имя, отчество Дата рождения ___________ число ________________ месяц _______ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

10. Депонируемые материалы, идентифицирующие данную топологию: [ ] полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов,

отображающих каждый слой данной топологии, включая спецификацию, в ________ экз.: [ ] фотошаблоны ______ шт.; [ ] сборный топологический чертеж на ______ л.; [ ] послойные топологические чертежи на ______ л.; [ ] фотография каждого слоя топологии, зафиксированной в интегральной микросхеме

______ шт.; [ ] схема пространственно-геометрического расположения элементов топологии ИМС, на

______ л.; [ ] образцы интегральной микросхемы, включающие данную топологию в том виде, в котором

она была использована в коммерческих целях, в _____ экз.; [ ] реферат, в ______ экз.

11. Документы, прилагаемые к заявлению: [ ] документ об уплате регистрационного сбора; [ ] документ об освобождении от уплаты регистрационного сбора или уменьшении его

размера; [ ] копия документа о передаче имущественных прав; [ ] копия документа, подтверждающего дату и место первого использования топологии в

коммерческих целях; [ ] доверенность представителя правообладателя; [ ] перевод на государственный или официальный язык

__________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

_______________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

12. Сведения об адресате (которому следует отправлять корреспонденцию по данной заявке) адрес,

включая почтовый индекс: - номер телефона, включая международный код (факс, телефакс и др.); - получатель. Я, _______________________________________________________________ (Должность)

(Фамилия, имя, отчество) настоящим подтверждаю, что указанные в заявлении сведения являются верными и

соответствующими депонируемым идентифицирующим материалам. Подпись _________________ "___" _________ 201__ г. Примечание: (при подписании от имени юридического лица указывается должность

руководителя, а его подпись удостоверяется печатью).

Приложение 2 Форма КТ/ДОП

Уполномоченный государственный орган в области интеллектуальной собственности (Кыргызпатент)

Адрес: Дата регистрации число _____ месяц _____________ год ______ Входящий N _____________________________ N официальной регистрации _______________

Заявитель (полное имя или наименование одного

из заявителей, указанных в Форме КТ)

Название произведения (указанное в Форме КТ) Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор

Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор

Фамилия, имя, отчество

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

__________________________________________________________________

Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к пункту 9 Формы КТ Автор

Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор

Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение Дополнение к графе 9 Формы КТ Автор

Фамилия, имя, отчество Дата рождения ________ число _______________ месяц ___________ год Гражданство ______________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

Краткое описание авторского вклада в данное произведение