Dans la présente section, l'expression suivante a la signification ci-dessous indiquée:
"variable" (en tant que substantif) désigne une caractéristique ou une propriété (p.ex. une dimension, une condition physique telle qu'une température, une qualité comme la densité ou la couleur) qui est susceptible d'être mesurée pour une entité donnée (p.ex. un objet, une quantité d'une substance, un faisceau lumineux) et à un moment donné; la variable peut changer, de telle sorte que son expression numérique puisse prendre des valeurs différentes à des moments différents, dans des conditions différentes ou dans des cas particuliers, mais elle peut être constante pour une entité donnée dans certaines conditions ou à des fins pratiques (p.ex. la longueur d'une barre peut être considérée comme constante dans de nombreux cas).
Il est important de tenir compte des définitions des expressions employées, figurant dans les notes de plusieurs des classes de la présente section, en particulier celles de la "métrologie" de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01, de la "commande" et de la "régulation" de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G05.
Il est possible que le classement dans la présente section soulève plus de difficultés que dans d'autres sections, du fait que la distinction entre les différents domaines d'application repose, dans une très large mesure, sur des différences d'intention des utilisateurs plutôt que sur des différences de structure ou des différences dans le mode d'utilisation, et du fait que les sujets traités sont en fait des systèmes ou des combinaisons ayant des caractéristiques ou des éléments communs plutôt que des "choses" formant un tout nettement différenciable. C'est ainsi qu'une information (p.ex. une série de chiffres) peut être présentée, à des fins éducatives ou publicitaires (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G09), pour faire connaître le résultat d'une mesure (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01), pour transmettre une information à un point éloigné ou encore pour donner une information provenant d'un point éloigné (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G08). Les mots employés pour décrire l'objet de l'invention découlent de caractéristiques pouvant n'avoir aucun rapport avec la forme de l'appareil en question, p.ex. l'effet souhaité sur la personne qui voit la présentation de l'information, ou du fait que la présentation soit commandée d'un point éloigné. De même, un dispositif réagissant à un changement d'une condition, p.ex. de la pression d'un fluide, peut être utilisé, sans modification de ce dispositif, pour donner une information sur la pression (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01L) ou sur une tout autre condition liée à la pression (c.à d. une autre sous-classe de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01, p.ex. Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01K pour la température), pour enregistrer la pression ou le fait même qu'elle existe (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G07C), pour donner l'alarme (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G08B) ou pour commander un autre appareil (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G05).
Le schéma de la classification vise à permettre de classer ensemble des choses de même nature (ainsi qu'il est indiqué ci-dessus). C'est pourquoi il est particulièrement nécessaire de déterminer quelle est la nature réelle de l'objet technique avant de pouvoir la classer de façon convenable.
Dans la présente sous-classe, les termes suivants sont utilisés avec la signification ci-dessous indiquée: [8]
"éléments d'emmagasinage" est un élément qui peut maintenir au moins un morceau d'information et qui comprend des moyens d'écriture ou de lecture de cette information; [8]
"mémoire" est un dispositif, incluant des éléments d'emmagasinage, qui peut maintenir de l'information susceptible d'être extraite à la demande. [8]
G11C
Schéma général
MÉMOIRES NUMÉRIQUES CARACTÉRISÉES PAR LA NATURE DES ÉLÉMENTS ÉCRITURE OU LECTURE D'INFORMATION
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S (circuits de conversion de niveau en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03K 19/0175) [7]
utilisant un dispositif d'adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur (utilisant des registres du type file d'attente (FIFO) pour modifier la vitesse de débit des données numériques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G06F 5/06; utilisant des registres du type pile d'assiettes (LIFO) pour le traitement de données numériques en agissant sur leur ordre Fulltext... Hierarchy... Expanded...G06F 7/00) [5]
utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants [2]
G11C 11/21
·
utilisant des éléments électriques [2]
G11C 11/22
· ·
utilisant des éléments ferro-électriques [2]
G11C 11/34
· ·
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs [2]
G11C 11/36
· · ·
utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil [2]
G11C 11/39
· · ·
utilisant des thyristors [5]
G11C 11/40
· · ·
utilisant des transistors [2]
G11C 11/401
· · · ·
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques [5]
G11C 11/402
· · · · ·
avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne [5]
G11C 11/403
· · · · ·
avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe [5]
G11C 11/406
· · · · ·
Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge [5]
G11C 11/4063
· · · · ·
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation [7]
G11C 11/407
· · · · · ·
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5]
G11C 11/408
· · · · · · ·
Circuits d'adressage [5]
G11C 11/409
· · · · · · ·
Circuits de lecture-écriture (R-W) [5]
G11C 11/41
· · · ·
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt [5]
G11C 11/411
· · · · ·
utilisant uniquement des transistors bipolaires [5]
G11C 11/412
· · · · ·
utilisant uniquement des transistors à effet de champ [5]
G11C 11/413
· · · · ·
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation [5]
G11C 11/414
· · · · · ·
pour des cellules de mémoire du type bipolaire [5]
G11C 11/417
· · · · · ·
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5]
G11C 11/418
· · · · · · ·
Circuits d'adressage [5]
G11C 11/419
· · · · · · ·
Circuits de lecture-écriture (R-W) [5]
G11C 11/46
·
utilisant des éléments thermoplastiques
G11C 11/48
·
utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction
Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation [5]
P:20
G11C 15/00
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu (dans lesquelles l'information est adressée à un endroit spécifique Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/00) [2]
dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM [5]
Mémoires numériques caractérisées par le mouvement de pièces mécaniques pour effectuer l'emmagasinage, p.ex. en utilisant des billes; Eléments d'emmagasinage correspondants (emmagasinage par actionnement de contacts Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/48)
P:80
G11C 25/00
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation de milieux fluides; Eléments d'emmagasinage correspondants
P:110
G11C 27/00
Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées
P:0
G11C 29/00
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne [1,8]
G11C 29/02
·
Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux [8]
G11C 29/04
·
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux [8]
G11C 29/52
·
Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires [8]
G11C 29/54
·
Dispositions pour concevoir les circuits de test, p.ex. outils de conception pour le test (DFT) [8]
G11C 29/56
·
Équipements externes pour test de mémoires statiques, p.ex. équipement de test automatique (ATE); Interfaces correspondantes [8]
P:150
G11C 99/00
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe [8]