|  | H |
SECTION H — ELECTRICITE

|  | H |
Note(s) Ces notes se réfèrent aux principes fondamentaux et aux directives générales d'utilisation de la section H. La section H couvre: les éléments fondamentaux électriques, qui couvrent tout l'appareillage électrique unitaire d'application générale, la structure mécanique des appareils et circuits, y compris l'assemblage de plusieurs éléments fondamentaux dans ce qu'il est convenu d'appeler les "circuits imprimés" ainsi que, dans une certaine mesure, la fabrication de ces éléments, lorsqu'elle n'est pas couverte ailleurs; la production de l'électricité, qui couvre la production, la conversion et la distribution de l'électricité avec la commande de l'appareillage correspondant; l'électricité appliquée, qui couvre: les techniques d'utilisation d'application générale, à savoir celles du chauffage électrique et des circuits d'éclairage électrique; quelques techniques d'utilisation d'application particulière, tant électriques qu'électroniques à proprement parler, qui ne sont pas couvertes par d'autres sections de la Classification, comprenant: les sources électriques de lumière, y compris les lasers; la technique électrique des rayons X; la technique électrique du plasma, la production et l'accélération des particules électriquement chargées ou des neutrons; les circuits électroniques fondamentaux et leur commande; la technique des communications; l'emploi d'un matériau spécifié pour la fabrication de l'article ou de l'élément décrit. Il y a lieu de se reporter à cet effet aux paragraphes 57 à 59 du Guide d'utilisation de la Classification. Dans la présente section, les règles générales suivantes s'appliquent: Sous réserve des exceptions énumérées au I.c) ci-dessus, tout aspect ou partie électrique propre à une opération, procédé, appareil, objet ou article déterminé, classé dans une des sections de la Classification autre que la section H, est toujours classé dans la sous-classe concernant cette opération, procédé, appareil, objet ou article. Lorsqu'à l'échelon de la classe des caractéristiques communes concernant des objets techniques de même nature ont pu être dégagées, l'aspect ou la partie électrique est classé, conjointement avec l'opération, le procédé, l'appareil, l'objet ou l'article, dans une sous-classe qui couvre entièrement les applications électriques générales pour l'objet technique en question; Parmi les applications électriques mentionnées au a), tant générales que particulières, il convient de citer: les procédés et appareils thérapeutiques de Fulltext... Hierarchy... Expanded...A61; les procédés et appareils électriques utilisés dans de multiples traitements de laboratoire ou de l'industrie des classes Fulltext... Hierarchy... Expanded...B01 et Fulltext... Hierarchy... Expanded...B03 et de la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...B23K; l'alimentation, propulsion, éclairage électriques des véhicules en général et des véhicules particuliers de la sous-section "transport" de la section B; les systèmes d'allumage électrique propres aux moteurs à combustion interne de la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F02P, aux appareils à combustion en général de la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F23Q; toute la partie électrique de la section G, c.à d. des appareils de mesure, y compris celle des variables électriques, de la commande, de la signalisation et du calcul. L'électricité qui est traitée dans cette section y figure généralement en tant que moyen intermédiaire et non en tant que fin en soi; Toutes les applications électriques, tant générales que particulières, sous-entendent toujours que l'aspect "électricité fondamentale" se trouve dans la section H (voir I.a) ci-dessus) en ce qui concerne les "éléments fondamentaux" électriques en soi rentrant dans leur composition. Cette règle est également valable pour l'électricité appliquée, énoncée au I.c) ci-dessus, qui se trouve dans la section H elle-même. Dans la présente section, il y a les cas particuliers suivants: Parmi les applications générales couvertes par des sections autres que la section H, il convient de noter que le chauffage électrique en général est couvert par les sous-classes Fulltext... Hierarchy... Expanded...F24D ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...F24H ou par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F27, et que l'éclairage électrique en général est en partie couvert par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F21, bien que dans la section H (voir I.c) ci-dessus) il existe des endroits dans la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B qui couvrent les mêmes objets techniques; Dans les deux cas mentionnés au a) ci-dessus, les sous-classes de la section F qui traitent de l'une et de l'autre matière couvrent tout d'abord essentiellement tout l'aspect mécanique des appareils ou dispositifs, tandis que l'aspect électrique est couvert par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B; Cet aspect mécanique, en ce qui concerne l'éclairage, doit être compris comme s'étendant à la disposition matérielle même des divers éléments électriques, c.à d. à la position géométrique, ou si l'on préfère physique, de ces éléments les uns par rapport aux autres; cet aspect est couvert par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F21V, les éléments eux-mêmes ainsi que les circuits de principe demeurant dans la section H. Ceci est également valable pour le cas de sources électriques de lumière, lorsqu'elles sont combinées avec des sources de lumière d'une nature différente. Elles sont couvertes par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B, alors que la disposition physique que constitue la combinaison est couverte par les différentes sous-classes de la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F21; En ce qui concerne le chauffage, non seulement les éléments électriques et circuits de principe, en soi, sont couverts par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B, mais également les aménagements électriques de ceux-ci lorsqu'ils concernent des cas d'application générale; les fours électriques étant considérés comme tels. La disposition physique des éléments électriques dans les fours est couverte par la section F. On voit en comparant avec le cas des circuits électriques du soudage, qui sont couverts par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...B23K concernant le soudage, que le présent cas échappe bien à la règle générale mentionnée au II ci-dessus.

|  | H01 |
ELEMENTS ELECTRIQUES FONDAMENTAUX

|  | H01 |
Note(s) Les procédés ne relevant que d'une seule technique prévue ailleurs, p.ex. séchage, revêtement, sont classés dans la classe appropriée pour cette technique.

|  | H01L |
DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ELECTRIQUES A L'ETAT SOLIDE NON PREVUS AILLEURS (systèmes transporteurs pour des plaquettes semi-conductrices Fulltext... Hierarchy... Expanded...B65G 49/07; emploi de dispositifs à semi-conducteurs pour les mesures Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01; résistances en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01C; aimants, inductances, transformateurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01F; condensateurs en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01G; dispositifs électrolytiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01G 9/00; piles, accumulateurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01M; guides d'ondes, résonateurs ou lignes du type guide d'ondes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01P; connecteurs de lignes, collecteurs de courant Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01R; dispositifs d'émission stimulée Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01S; résonateurs électromécaniques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03H; haut-parleurs, microphones, têtes de lecture pour tourne-disques ou transducteurs acoustiques éléctromécaniques analogues Fulltext... Hierarchy... Expanded...H04R; sources le lumière électrique en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B; circuits imprimés, circuits hybrides, enveloppes ou détails de construction d'appareils électriques, fabrication d'ensembles de composants électriques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K; emploi de dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits ayant une application particulière, voir la sous-classe relative à l'application) [2]

|  | H01L |
Note(s) La présente sous-classe couvre: les dispositifs électriques à l'état solide non couverts par une autre sous-classe, ainsi que leurs détails, et comprend: les dispositifs à semi-conducteurs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation; les dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux radiations; les dispositifs électriques à l'état solide utilisant les effets thermo-électriques, supraconducteurs, piézo-électriques, électrostrictifs, magnétostrictifs, galvano-magnétiques ou de résistance négative et les dispositifs à circuits intégrés; [2] les photo-résistances, les résistances sensibles au champ magnétique, les résistances sensibles au champ électrique, les capacités avec barrière de potentiel, les résistances avec barrière de potentiel ou de surface, les diodes émettrices de lumière non cohérente et les circuits à film mince ou à film épais; [2] les procédés et appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs, sauf dans les cas où de tels procédés ne comportent qu'une seule étape et sont classables ailleurs. [2] Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée: "corps à l'état solide" signifie le corps d'un matériau à l'intérieur duquel ou à la surface duquel se produisent les effets physiques caractéristiques du dispositif. Dans les dispositifs thermo-électriques, elle inclut tous les matériaux traversés par le courant. Les régions dans ou sur le corps du dispositif (autres que le corps à l'état solide lui-même) qui électriquement exercent une influence sur le corps à l'état solide sont considérées comme "électrodes", qu'elles soient munies ou non de connexions électriques externes. Une électrode peut comporter plusieurs parties, et le terme comprend les régions métalliques qui exercent une influence sur le corps à l'état solide à travers une région isolante (p.ex. couplage capacitif), ainsi que les aménagements de couplage inductif avec le corps. La région diélectrique dans un dispositif capacitif est considérée comme une partie de l'électrode. Dans les dispositifs comportant plusieurs parties, seules celles de ces parties qui exercent une influence sur le corps à l'état solide en vertu de leur forme, de leurs dimensions, ou de leur disposition, ou du matériau dont elles sont formées, sont considérées comme des parties de l'électrode. Les autres éléments sont considérés comme des "dispositions pour conduire le courant électrique vers le, ou hors du corps à l'état solide", ou bien comme des "interconnexions entre les composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun", c.à d. les fils de connexion; [2] "dispositif" signifie un élément de circuit électrique; dans le cas où un élément de circuit électrique est l'un d'une pluralité d'éléments formés dans ou sur un substrat commun, il est désigné par l'expression "composant"; [2] "dispositif complet" est un dispositif dans son état complètement assemblé qui peut ou non nécessiter un traitement ultérieur, p.ex. l'électroformage, avant d'être prêt à l'emploi, mais qui ne requiert pas l'adjonction d'unités structurelles additionnelles; [2] "partie" s'applique à tous les éléments structurels qui sont inclus dans un dispositif complet; [2] "conteneur" est une enceinte faisant partie d'un dispositif complet, et se compose essentiellement d'un boîtier solide à l'intérieur duquel le corps du dispositif est placé ou bien qui est formé autour du corps sans, pour autant, constituer une couche qui soit en contact étroit avec celui-ci. Une enceinte consistant en une ou plusieurs couches formées sur le corps et en contact étroit avec lui est désignée par l'expression "capsulation"; [2] "circuit intégré" est un dispositif dont tous les composants, p.ex. diodes, résistances, sont réalisés sur ou dans un substrat commun, et constituent le dispositif en incluant les interconnexions entre les composants; [2] "assemblage" d'un dispositif est le montage du dispositif à partir de ses composants structurels; il comprend le remplissage des conteneurs. [2] Dans la présente sous-classe, le procédé ou l'appareil pour la fabrication ou le traitement d'un dispositif d'une part, et le dispositif lui-même d'autre part, sont tous deux classés si les deux sont décrits de façon suffisante pour présenter un intérêt. [6]

|  | H01L |
Schéma général
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS |
Dispositifs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation | 29/00
Dispositifs sensibles aux, ou émettant des, radiations | 31/00, 33/00
DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE UTILISANT DES MATÉRIAUX ORGANIQUES | 51/00
AUTRES DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE |
Dispositifs thermo-électriques ou thermomagnétiques | 35/00, 37/00
Dispositifs supraconducteurs ou hyperconducteurs | 39/00
Eléments piézo-électriques, électrostrictifs ou magnétostrictifs en général | 41/00
Dispositifs galvanomagnétiques | 43/00
Dispositifs sans barrière de potentiel ni de surface; dispositifs à résistance négative à effet de volume; dispositifs non prévus ailleurs | 45/00; 47/00; 49/00
ENSEMBLES DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS OU AUTRES DISPOSITIFS À L'ÉTAT SOLIDE |
Ensembles de dispositifs individuels | 25/00
Circuits intégrés, circuits à film mince ou à film épais | 27/00
DÉTAILS | 23/00
FABRICATION | 21/00

|  | H01L 21/00 |
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives (procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/00-H01L 49/00, ou de leurs parties constitutives, voir ces groupes; procédés à une seule étape couverts par d'autres sous-classes, voir les sous-classes appropriées, p.ex. Fulltext... Hierarchy... Expanded...C23C, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B; production par voie photomécanique de surfaces texturées, matériaux à cet effet ou leurs originaux, appareillages spécialement adaptés à cet effet, en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...G03F) [2]

|  | H01L 21/02 - H01L 21/68 |
Note(s) Les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/70-H01L 21/98 ont priorité sur les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/02-H01L 21/68. [2]

|  | H01L 21/02 |
· | Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives (caractérisés par l'utilisation de matériaux organiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/40) [2]

|  | H01L 21/027 |
· · | Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/18 ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/34 [5]

|  | H01L 21/033 |
· · · | comportant des couches minérales [5]

|  | H01L 21/04 |
· · | les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges [2]

|  | H01L 21/06 |
· · · | les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux [2]

|  | H01L 21/08 |
· · · · | Préparation de la plaque de support [2]

|  | H01L 21/10 |
· · · · | Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application sur la plaque de support, ou traitement subséquent de l'ensemble [2]

|  | H01L 21/103 |
· · · · · | Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur [2]

|  | H01L 21/105 |
· · · · · | Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l'état conducteur [2]

|  | H01L 21/108 |
· · · · · | Production de couches isolantes discrètes, c. à d. de barrières de surface non actives [2]

|  | H01L 21/12 |
· · · · | Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure, après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support [2]

|  | H01L 21/14 |
· · · · | Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage pour former une barrière [2]

|  | H01L 21/145 |
· · · · · | Vieillissement [2]

|  | H01L 21/16 |
· · · | les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux [2]

|  | H01L 21/18 |
· · · | les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments non précisés ou des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage (procédés ou appareils pour des dispositifs dont les corps comprennent des éléments non précisés mais manifestement inappropriés pour des dispositifs comprenant des éléments du quatrième groupe ou des composés AIIIBVFulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/06, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/16 ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/34) [2,6]

|  | H01L 21/20 |
· · · · | Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2]

|  | H01L 21/203 |
· · · · · | en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2]

|  | H01L 21/205 |
· · · · · | en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.à d. un dépôt chimique [2]

|  | H01L 21/208 |
· · · · · | en utilisant un dépôt liquide [2]

|  | H01L 21/22 |
· · · · | Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire [2]

|  | H01L 21/223 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2]

|  | H01L 21/225 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2]

|  | H01L 21/228 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2]

|  | H01L 21/24 |
· · · · | Formation d'alliages d'impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2]

|  | H01L 21/26 |
· · · · | Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires (traitement thermique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/324) [2]

|  | H01L 21/261 |
· · · · · | pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation [6]

|  | H01L 21/263 |
· · · · · | par des radiations d'énergie élevée (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/261 a priorité) [2,6]

|  | H01L 21/265 |
· · · · · · | produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01J 37/30) [2]

|  | H01L 21/266 |
· · · · · · · | en utilisant des masques [5]

|  | H01L 21/268 |
· · · · · · | les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2]

|  | H01L 21/28 |
· · · · | Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/20-H01L 21/268 [2]

|  | H01L 21/283 |
· · · · · | Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2]

|  | H01L 21/285 |
· · · · · · | à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2]

|  | H01L 21/288 |
· · · · · · | à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2]

|  | H01L 21/30 |
· · · · | Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/20-H01L 21/26 (fabrication des électrodes sur ces corps Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/28) [2]

|  | H01L 21/301 |
· · · · · | pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées (coupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/304) [6]

|  | H01L 21/302 |
· · · · · | pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage [2]

|  | H01L 21/304 |
· · · · · · | Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe [2]

|  | H01L 21/306 |
· · · · · · | Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/31; post-traitement des couches isolantes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/3105) [2]

|  | H01L 21/3063 |
· · · · · · · | Gravure électrolytique [6]

|  | H01L 21/3065 |
· · · · · · · | Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs [6]

|  | H01L 21/308 |
· · · · · · · | en utilisant des masques (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/3063, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/3065 ont priorité) [2,6]

|  | H01L 21/31 |
· · · · · | pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant des électrodes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/28; couches de capsulation Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/56); Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches [2,5]

|  | H01L 21/3105 |
· · · · · · | Post-traitement [5]

|  | H01L 21/311 |
· · · · · · · | Gravure des couches isolantes [5]

|  | H01L 21/3115 |
· · · · · · · | Dopage des couches isolantes [5]

|  | H01L 21/312 |
· · · · · · | Couches organiques, p.ex. couche photosensible (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/3105, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/32 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 21/314 |
· · · · · · | Couches minérales (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/3105, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/32 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 21/316 |
· · · · · · · | composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2]

|  | H01L 21/318 |
· · · · · · · | composées de nitrures [2]

|  | H01L 21/32 |
· · · · · · | en utilisant des masques [2,5]

|  | H01L 21/3205 |
· · · · · · | Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives, sur des couches isolantes (dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/52); Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/28) [5]

|  | H01L 21/321 |
· · · · · · · | Post-traitement [5]

|  | H01L 21/3213 |
· · · · · · · · | Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable [6]

|  | H01L 21/3215 |
· · · · · · · · | Dopage des couches [5]

|  | H01L 21/322 |
· · · · · | pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes [2]

|  | H01L 21/324 |
· · · · · | Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/20-H01L 21/288, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/302, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/322 ont priorité) [2]

|  | H01L 21/326 |
· · · · · | Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/20-H01L 21/288, Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/302-H01L 21/324 ont priorité) [2]

|  | H01L 21/328 |
· · · · | Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors [5]

|  | H01L 21/329 |
· · · · · | les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes [5]

|  | H01L 21/33 |
· · · · · | les dispositifs comportant trois électrodes ou plus [5]

|  | H01L 21/331 |
· · · · · · | Transistors [5]

|  | H01L 21/332 |
· · · · · · | Thyristors [5]

|  | H01L 21/334 |
· · · · | Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire [5]

|  | H01L 21/335 |
· · · · · | Transistors à effet de champ [5]

|  | H01L 21/336 |
· · · · · · | à grille isolée [5]

|  | H01L 21/337 |
· · · · · · | à jonction PN [5]

|  | H01L 21/338 |
· · · · · · | à grille Schottky [5]

|  | H01L 21/339 |
· · · · · | Dispositifs à transfert de charge [5,6]

|  | H01L 21/34 |
· · · | les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/06, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/16 et Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/18 avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage [2]

|  | H01L 21/36 |
· · · · | Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2]

|  | H01L 21/363 |
· · · · · | en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2]

|  | H01L 21/365 |
· · · · · | en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.à d. un dépôt chimique [2]

|  | H01L 21/368 |
· · · · · | en utilisant un dépôt liquide [2]

|  | H01L 21/38 |
· · · · | Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 21/383 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2]

|  | H01L 21/385 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2]

|  | H01L 21/388 |
· · · · · | en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2]

|  | H01L 21/40 |
· · · · | Formation d'alliages des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2]

|  | H01L 21/42 |
· · · · | Bombardement par des radiations [2]

|  | H01L 21/423 |
· · · · · | par des radiations d'énergie élevée [2]

|  | H01L 21/425 |
· · · · · · | produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01J 37/30) [2]

|  | H01L 21/426 |
· · · · · · · | en utilisant des masques [5]

|  | H01L 21/428 |
· · · · · · | les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2]

|  | H01L 21/44 |
· · · · | Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/36-H01L 21/428 [2]

|  | H01L 21/441 |
· · · · · | Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2]

|  | H01L 21/443 |
· · · · · · | à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2]

|  | H01L 21/445 |
· · · · · · | à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2]

|  | H01L 21/447 |
· · · · · | impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/607 a priorité) [2]

|  | H01L 21/449 |
· · · · · | impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasoniques [2]

|  | H01L 21/46 |
· · · · | Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/36-H01L 21/428 (fabrication des électrodes sur ces corps Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/44) [2]

|  | H01L 21/461 |
· · · · · | pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage [2]

|  | H01L 21/463 |
· · · · · · | Traitement mécanique, p.ex. meulage, traitement par ultrasons [2]

|  | H01L 21/465 |
· · · · · · | Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/469) [2]

|  | H01L 21/467 |
· · · · · · · | en utilisant des masques [2]

|  | H01L 21/469 |
· · · · · · | pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant électrodes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/44; couches de capsulation Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/56); Post-traitement de ces couches [2,5]

|  | H01L 21/47 |
· · · · · · · | Couches organiques, p.ex. couche photosensible (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/475, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/4757 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 21/471 |
· · · · · · · | Couches minérales (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/475, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/4757 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 21/473 |
· · · · · · · · | composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2]

|  | H01L 21/475 |
· · · · · · · | en utilisant des masques [2,5]

|  | H01L 21/4757 |
· · · · · · · | Post-traitement [5]

|  | H01L 21/4763 |
· · · · · · | Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/28) [5]

|  | H01L 21/477 |
· · · · · | Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/36-H01L 21/449, Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/461-H01L 21/475 ont priorité) [2]

|  | H01L 21/479 |
· · · · · | Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/36-H01L 21/449, Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/461-H01L 21/477 ont priorité) [2]

|  | H01L 21/48 |
· · · | Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/06-H01L 21/326 (conteneurs, capsulations, remplissage, supports en soi Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/00) [2]

|  | H01L 21/50 |
· · · | Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/06-H01L 21/326 [2]

|  | H01L 21/52 |
· · · · | Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs [2]

|  | H01L 21/54 |
· · · · | Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz [2]

|  | H01L 21/56 |
· · · · | Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements [2]

|  | H01L 21/58 |
· · · · | Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports [2]

|  | H01L 21/60 |
· · · · | Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement [2]

|  | H01L 21/603 |
· · · · · | impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/607 a priorité) [2]

|  | H01L 21/607 |
· · · · · | impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores [2]

|  | H01L 21/62 |
· · | les dispositifs n'ayant ni barrière de potentiel ni barrière de surface [2]

|  | H01L 21/64 |
· | Fabrication ou traitement de dispositifs à l'état solide autres que des dispositifs à semi-conducteurs, ou de leurs parties constitutives, par des méthodes non conçues spécialement pour l'un uniquement des dispositifs couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/00-H01L 49/00 [2]

|  | H01L 21/66 |
· | Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement (après la fabrication Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01R 31/26) [2]

|  | H01L 21/68 |
· | Appareils pour maintenir ou mettre en position les composants pendant leur fabrication, p.ex. calibres [2]

|  | H01L 21/70 |
· | Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci (fabrication d'ensembles de composants électriques préfabriqués Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K 3/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K 13/00) [2]

|  | H01L 21/71 |
· · | Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/70 (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/28, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/44 et Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/48 ont priorité) [6]

|  | H01L 21/72 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/784, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/822, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8258 )

|  | H01L 21/74 |
· · · | Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes [2]

|  | H01L 21/76 |
· · · | Réalisation de régions isolantes entre les composants [2]

|  | H01L 21/761 |
· · · · | Jonctions PN [6]

|  | H01L 21/762 |
· · · · | Régions diélectriques [6]

|  | H01L 21/763 |
· · · · | Régions polycristallines semi-conductrices [6]

|  | H01L 21/764 |
· · · · | Espaces d'air [6]

|  | H01L 21/765 |
· · · · | par effet de champ [6]

|  | H01L 21/768 |
· · · | Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif [6]

|  | H01L 21/77 |
· · | Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun [6]

|  | H01L 21/78 |
· · · | avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels (découpage pour changer les caractéristiques physiques de surface ou la forme des corps semi-conducteurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/304) [2,6]

|  | H01L 21/782 |
· · · · | pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/82 a priorité) [6]

|  | H01L 21/784 |
· · · · · | le substrat étant un corps semi-conducteur [6]

|  | H01L 21/786 |
· · · · · | le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [6]

|  | H01L 21/80 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/78 )

|  | H01L 21/82 |
· · · · | pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants [2]

|  | H01L 21/822 |
· · · · · | le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8258 a priorité) [6]

|  | H01L 21/8222 |
· · · · · · | Technologie bipolaire [6]

|  | H01L 21/8224 |
· · · · · · · | les dispositifs comprenant une combinaison de transistors verticaux et de transistors latéraux [6]

|  | H01L 21/8226 |
· · · · · · · | les dispositifs comprenant une logique à transistors fusionnés ou une logique à injection intégrée [6]

|  | H01L 21/8228 |
· · · · · · · | Dispositifs complémentaires, p.ex. transistors complémentaires [6]

|  | H01L 21/8229 |
· · · · · · · | Structures de mémoires [6]

|  | H01L 21/8232 |
· · · · · · | Technologie à effet de champ [6]

|  | H01L 21/8234 |
· · · · · · · | Technologie MIS [6]

|  | H01L 21/8236 |
· · · · · · · · | Combinaison de transistors à enrichissement et de transistors à appauvrissement [6]

|  | H01L 21/8238 |
· · · · · · · · | Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS [6]

|  | H01L 21/8239 |
· · · · · · · · | Structures de mémoires [6]

|  | H01L 21/8242 |
· · · · · · · · · | Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) [6]

|  | H01L 21/8244 |
· · · · · · · · · | Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) [6]

|  | H01L 21/8246 |
· · · · · · · · · | Structures de mémoires mortes (ROM) [6]

|  | H01L 21/8247 |
· · · · · · · · · · | programmables électriquement (EPROM) [6]

|  | H01L 21/8248 |
· · · · · · | Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ [6]

|  | H01L 21/8249 |
· · · · · · · | Technologie bipolaire et MOS [6]

|  | H01L 21/8252 |
· · · · · | le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8258 a priorité) [6]

|  | H01L 21/8254 |
· · · · · | le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie II-VI (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8258 a priorité) [6]

|  | H01L 21/8256 |
· · · · · | le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant des technologies non couvertes par l'un des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/822, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8252 ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8254 (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8258 a priorité) [6]

|  | H01L 21/8258 |
· · · · · | le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/822, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8252, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8254 ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/8256 [6]

|  | H01L 21/84 |
· · · · · | le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant [2,6]

|  | H01L 21/86 |
· · · · · · | le corps isolant étant du saphir, p.ex. silicium sur une structure en saphir, c.à d. S.O.S. [2,6]

|  | H01L 21/90 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/768 )

|  | H01L 21/98 |
· · | Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/50 a priorité; assemblages Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 25/00) [2,5]

|  | H01L 23/00 |
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 25/00 a priorité) [2,5]

|  | H01L 23/00 |
Note(s) Le présent groupe ne couvre pas: les détails de corps semi-conducteurs ou d'électrodes de dispositifs prévus dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/00 qui sont couverts par ledit groupe; les détails particuliers à des dispositifs prévus dans un seul groupe principal des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/00-H01L 49/00, qui sont couverts par lesdits groupes. [5]

|  | H01L 23/02 |
· | Conteneurs; Scellements (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/12, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/34, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/48, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/552 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 23/04 |
· · | caractérisés par la forme [2]

|  | H01L 23/043 |
· · · | le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur [5]

|  | H01L 23/045 |
· · · · | les autres connexions ayant un passage isolé à travers la base [5]

|  | H01L 23/047 |
· · · · | les autres connexions étant parallèles à la base [5]

|  | H01L 23/049 |
· · · · | les autres connexions étant perpendiculaires à la base [5]

|  | H01L 23/051 |
· · · · | une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich" [5]

|  | H01L 23/053 |
· · · | le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur [5]

|  | H01L 23/055 |
· · · · | les connexions ayant un passage à travers la base [5]

|  | H01L 23/057 |
· · · · | les connexions étant parallèles à la base [5]

|  | H01L 23/06 |
· · | caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques [2]

|  | H01L 23/08 |
· · · | le matériau étant un isolant électrique, p.ex. du verre [2]

|  | H01L 23/10 |
· · | caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur [2]

|  | H01L 23/12 |
· | Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles [2]

|  | H01L 23/13 |
· · | caractérisés par leur forme [5]

|  | H01L 23/14 |
· · | caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques [2]

|  | H01L 23/15 |
· · · | Substrats en céramique ou en verre [5]

|  | H01L 23/16 |
· | Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p.ex. anneaux de centrage (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/42, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/552 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 23/18 |
· · | Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet [2]

|  | H01L 23/20 - H01L 23/24 |
Note(s) Le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/26 a priorité sur les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/20-H01L 23/24. [2]

|  | H01L 23/20 |
· · · | gazeux à la température normale de fonctionnement du dispositif [2]

|  | H01L 23/22 |
· · · | liquide à la température normale de fonctionnement du dispositif [2]

|  | H01L 23/24 |
· · · | solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif [2]

|  | H01L 23/26 |
· · · | incluant des matériaux destinés à absorber ou à réagir avec l'humidité ou d'autres substances indésirables [2]

|  | H01L 23/28 |
· | Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/552 a priorité) [2,5]

|  | H01L 23/29 |
· · | caractérisées par le matériau [5]

|  | H01L 23/31 |
· · | caractérisées par leur disposition [5]

|  | H01L 23/32 |
· | Supports pour maintenir le dispositif complet pendant son fonctionnement, c.à d. éléments porteurs amovibles (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/40 a priorité; connecteurs en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01R; pour circuits imprimés Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K) [2,5]

|  | H01L 23/34 |
· | Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température [2,5]

|  | H01L 23/36 |
· · | Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur [2]

|  | H01L 23/367 |
· · · | Refroidissement facilité par la forme du dispositif [5]

|  | H01L 23/373 |
· · · | Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif [5]

|  | H01L 23/38 |
· · | Dispositifs de refroidissement utilisant l'effet Peltier [2]

|  | H01L 23/40 |
· · | Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles [2]

|  | H01L 23/42 |
· · | Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement (dispositions caractérisées par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/373) [2,5]

|  | H01L 23/427 |
· · · | Refroidissement par changement d'état, p.ex. caloducs [5]

|  | H01L 23/433 |
· · · | Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p.ex. pistons [5]

|  | H01L 23/44 |
· · | le dispositif complet étant totalement immergé dans un fluide autre que l'air (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/427 a priorité) [2,5]

|  | H01L 23/46 |
· · | impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/42, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/44 ont priorité) [2]

|  | H01L 23/467 |
· · · | par une circulation de gaz, p.ex. d'air [5]

|  | H01L 23/473 |
· · · | par une circulation de liquides [5]

|  | H01L 23/48 |
· | Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion, bornes (en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01R) [2]

|  | H01L 23/482 |
· · | formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées [5]

|  | H01L 23/485 |
· · · | formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires [5]

|  | H01L 23/488 |
· · | formées de structures soudées [5]

|  | H01L 23/49 |
· · · | du type fils de connexion [5]

|  | H01L 23/492 |
· · · | Embases ou plaques [5]

|  | H01L 23/495 |
· · · | Cadres conducteurs [5]

|  | H01L 23/498 |
· · · | Connexions électriques sur des substrats isolants [5]

|  | H01L 23/50 |
· · | pour des dispositifs à circuit intégré (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/482-H01L 23/498 ont priorité) [2,5]

|  | H01L 23/52 |
· | Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre [2]

|  | H01L 23/522 |
· · | comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées [5]

|  | H01L 23/525 |
· · · | avec des interconnexions modifiables [5]

|  | H01L 23/528 |
· · · | Configuration de la structure d'interconnexion [5]

|  | H01L 23/532 |
· · · | caractérisées par les matériaux [5]

|  | H01L 23/535 |
· · | comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées [5]

|  | H01L 23/538 |
· · | la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants (supports Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/12) [5]

|  | H01L 23/544 |
· | Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas d'essai [5]

|  | H01L 23/552 |
· | Protection contre les radiations, p.ex. la lumière [5]

|  | H01L 23/556 |
· · | contre les rayons alpha [5]

|  | H01L 23/58 |
· | Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs [5]

|  | H01L 23/60 |
· · | Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday (en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05F) [5]

|  | H01L 23/62 |
· · | Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts [5]

|  | H01L 23/64 |
· · | Dispositions relatives à l'impédance [5]

|  | H01L 23/66 |
· · · | Adaptations pour la haute fréquence [5]

|  | H01L 25/00 |
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; ensembles de cellules photoélectriques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/042; générateurs utilisant des cellules solaires ou des panneaux solaires Fulltext... Hierarchy... Expanded...H02N 6/00; détails d'ensembles de circuits complets prévus dans une autre sous-classe, p.ex. détails des récepteurs de télévision, voir la sous-classe correspondante, p.ex. Fulltext... Hierarchy... Expanded...H04N; détails des ensembles de composants électriques en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K) [2,5]

|  | H01L 25/03 |
· | les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00-H01L 49/00, p.ex. ensembles de diodes redresseuses [5]

|  | H01L 25/04 |
· · | les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés [2]

|  | H01L 25/065 |
· · · | les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00 [5]

|  | H01L 25/07 |
· · · | les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/00 [5]

|  | H01L 25/075 |
· · · | les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 33/00 [5]

|  | H01L 25/10 |
· · | les dispositifs ayant des conteneurs séparés [2]

|  | H01L 25/11 |
· · · | les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/00 [5]

|  | H01L 25/13 |
· · · | les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 33/00 [5]

|  | H01L 25/16 |
· | les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00-H01L 49/00, p.ex. circuit hybrides [2]

|  | H01L 25/18 |
· | les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00-H01L 49/00 [5]

|  | H01L 27/00 |
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun (procédés ou appareils adaptés à la fabrication ou au traitement de ceux-ci, ou de leurs parties constitutives Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/70, Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/00-H01L 49/00; détails Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/00-H01L 49/00; ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à l'état solide individuels Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 25/00; ensembles de composants électriques en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05K) [2]

|  | H01L 27/00 |
Note(s) Dans les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/01-H01L 27/26, sauf indication contraire, le classement s'effectue à la dernière place appropriée. [2] Dans le présent groupe, il est souhaitable d'ajouter le code d'indexation du groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 101/00. Le code d'indexation doit être non lié. [5]

|  | H01L 27/01 |
· | comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun [3]

|  | H01L 27/02 |
· | comprenant des composants semi-conducteurs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations, la commutation, ou comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2]

|  | H01L 27/04 |
· · | le substrat étant un corps semi-conducteur [2]

|  | H01L 27/06 |
· · · | comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive [2]

|  | H01L 27/07 |
· · · · | les composants ayant une région active en commun [5]

|  | H01L 27/08 |
· · · | comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type [2]

|  | H01L 27/082 |
· · · · | comprenant uniquement des composants bipolaires [5]

|  | H01L 27/085 |
· · · · | comprenant uniquement des composants à effet de champ [5]

|  | H01L 27/088 |
· · · · · | les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée [5]

|  | H01L 27/092 |
· · · · · · | Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires [5]

|  | H01L 27/095 |
· · · · · | les composants étant des transistors à effet de champ à porte à barrière Schottky [5]

|  | H01L 27/098 |
· · · · · | les composants étant des transistors à effet de champ à porte à jonction PN [5]

|  | H01L 27/10 |
· · · | comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive [2]

|  | H01L 27/102 |
· · · · | comprenant des composants bipolaires [5]

|  | H01L 27/105 |
· · · · | comprenant des composants à effet de champ [5]

|  | H01L 27/108 |
· · · · · | Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire [5]

|  | H01L 27/11 |
· · · · · | Structures de mémoires statiques à accès aléatoire [5]

|  | H01L 27/112 |
· · · · · | Structures de mémoires mortes [5]

|  | H01L 27/115 |
· · · · · · | Mémoires mortes programmables électriquement [5]

|  | H01L 27/118 |
· · · · | Circuits intégrés à tranche maîtresse [5]

|  | H01L 27/12 |
· · | le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [2]

|  | H01L 27/13 |
· · · | combiné avec des composants passifs à film mince ou à film épais [3]

|  | H01L 27/14 |
· | comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement (composants sensibles au rayonnement associés structurellement à une ou plusieurs sources de lumière électrique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/14; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G02B 6/42) [2]

|  | H01L 27/142 |
· · | Dispositifs de conversion d'énergie [5]

|  | H01L 27/144 |
· · | Dispositifs commandés par rayonnement [5]

|  | H01L 27/146 |
· · · | Structures de capteurs d'images [5]

|  | H01L 27/148 |
· · · · | Capteurs d'images à couplage de charge [5]

|  | H01L 27/15 |
· | comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, adaptés pour l'émission de lumière [2]

|  | H01L 27/16 |
· | comprenant des composants thermo-électriques avec ou sans jonction de matériaux différents; comprenant des composants thermomagnétiques (utilisant l'effet Peltier uniquement pour le refroidissement de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/38) [2]

|  | H01L 27/18 |
· | comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité [2]

|  | H01L 27/20 |
· | comprenant des composants piézo-électriques; comprenant des composants électrostrictifs; comprenant des composants magnétostrictifs; comprenant des composants semi-conducteurs adaptés pour l'emploi comme transducteurs électromécaniques (transducteurs acoustiques électromécaniques adaptés pour la technique des communications électriques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H04R) [2]

|  | H01L 27/22 |
· | comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues [2]

|  | H01L 27/24 |
· | comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface [2]

|  | H01L 27/26 |
· | comprenant des composants à résistance négative à effet de volume [2]

|  | H01L 29/00 |
Dispositifs à semi-conducteurs adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation, ou bien condensateurs ou résistances, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes (Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/00-H01L 47/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/00 ont priorité; procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00; détails autres que ceux des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 23/00; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; résistances en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01C; condensateurs en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01G) [2,6]

|  | H01L 29/00 |
Note(s) Dans le présent groupe principal, le classement s'effectue à la fois en Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/02-H01L 29/51 et en Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/66-H01L 29/96, dans la mesure où les deux ensembles de groupes sont concernés. [2]

|  | H01L 29/02 |
· | Corps semi-conducteurs [2]

|  | H01L 29/04 |
· · | caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique, à orientation particulière des plans cristallins (défectuosités Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/30) [2]

|  | H01L 29/06 |
· · | caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 29/08 |
· · · | avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus [2]

|  | H01L 29/10 |
· · · | avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus [2]

|  | H01L 29/12 |
· · | caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués [2]

|  | H01L 29/14 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/12 )

|  | H01L 29/15 |
· · · | Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux [6]

|  | H01L 29/16 - H01L 29/26 |
Note(s) Le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/15 a priorité sur les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/16-H01L 29/26. [6]

|  | H01L 29/16 |
· · · | comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée [2]

|  | H01L 29/161 |
· · · · | comprenant plusieurs des éléments prévus en Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/16 [2]

|  | H01L 29/163 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/161 )

|  | H01L 29/165 |
· · · · · | dans différentes régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 29/167 |
· · · · | caractérisés en outre par le matériau de dopage [2]

|  | H01L 29/18 |
· · · | Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés [2]

|  | H01L 29/20 |
· · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [2,6]

|  | H01L 29/201 |
· · · · | comprenant plusieurs composés [2]

|  | H01L 29/203 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/201 )

|  | H01L 29/205 |
· · · · · | dans différentes régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 29/207 |
· · · · | caractérisés en outre par le matériau de dopage [2]

|  | H01L 29/22 |
· · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI [2]

|  | H01L 29/221 |
· · · · | comprenant plusieurs composés [2]

|  | H01L 29/223 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/221 )

|  | H01L 29/225 |
· · · · · | dans différentes régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 29/227 |
· · · · | caractérisés en outre par le matériau de dopage [2]

|  | H01L 29/24 |
· · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs minéraux non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/16, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/18, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/20, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/22 (comprenant des matériaux organiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/00) [2]

|  | H01L 29/26 |
· · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/16, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/18, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/20, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/22, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/24 [2]

|  | H01L 29/263 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/26 )

|  | H01L 29/267 |
· · · · | dans différentes régions semi-conductrices [2]

|  | H01L 29/28 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/00 )

|  | H01L 29/30 |
· · | caractérisés par des défectuosités physiques; ayant des surfaces polies ou rugueuses [2]

|  | H01L 29/32 |
· · · | les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur [2]

|  | H01L 29/34 |
· · · | les défectuosités étant sur la surface [2]

|  | H01L 29/36 |
· · | caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés [2]

|  | H01L 29/38 |
· · | caractérisés par les combinaisons de caractéristiques couvertes par plusieurs des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/04, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/06, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/12, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/30, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/36 [2]

|  | H01L 29/40 |
· | Electrodes [2]

|  | H01L 29/41 |
· · | caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative [6]

|  | H01L 29/417 |
· · · | transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6]

|  | H01L 29/42 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/423 |
· · · | ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6]

|  | H01L 29/43 |
· · | caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées [6]

|  | H01L 29/44 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/45 |
· · · | Electrodes à contact ohmique [6]

|  | H01L 29/46 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/47 |
· · · | Electrodes à barrière de Schottky [6]

|  | H01L 29/48 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/49 |
· · · | Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [6]

|  | H01L 29/50 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/51 |
· · · · | Matériaux isolants associés à ces électrodes [6]

|  | H01L 29/52 - H01L 29/64 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/41-H01L 29/51 )

|  | H01L 29/66 |
· | Types de dispositifs semi-conducteurs [2]

|  | H01L 29/68 |
· · | commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/96 a priorité) [2]

|  | H01L 29/70 |
· · · | Dispositifs bipolaires [2]

|  | H01L 29/72 |
· · · · | Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués [2]

|  | H01L 29/73 |
· · · · · | Transistors bipolaires à jonction [5]

|  | H01L 29/732 |
· · · · · · | Transistors verticaux [6]

|  | H01L 29/735 |
· · · · · · | Transistors latéraux [6]

|  | H01L 29/737 |
· · · · · · | Transistors à hétérojonction [6]

|  | H01L 29/739 |
· · · · · | commandés par effet de champ [6]

|  | H01L 29/74 |
· · · · | Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones [2]

|  | H01L 29/743 |
( couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/74 )

|  | H01L 29/744 |
· · · · · | Dispositifs désamorçables par la gâchette [6]

|  | H01L 29/745 |
· · · · · · | désamorcés par effet de champ [6]

|  | H01L 29/747 |
· · · · · | Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs [2]

|  | H01L 29/749 |
· · · · · | amorcés par effet de champ [6]

|  | H01L 29/76 |
· · · | Dispositifs unipolaires [2]

|  | H01L 29/762 |
· · · · | Dispositifs à transfert de charge [6]

|  | H01L 29/765 |
· · · · · | Dispositifs à couplage de charge [6]

|  | H01L 29/768 |
· · · · · · | l'effet de champ étant produit par une porte isolée [6]

|  | H01L 29/772 |
· · · · | Transistors à effet de champ [6]

|  | H01L 29/775 |
· · · · · | avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique [6]

|  | H01L 29/778 |
· · · · · | avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT [6]

|  | H01L 29/78 |
· · · · · | l'effet de champ étant produit par une porte isolée [2]

|  | H01L 29/784 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/772, couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/78 )

|  | H01L 29/786 |
· · · · · · | Transistors à couche mince [6]

|  | H01L 29/788 |
· · · · · · | à grille flottante [5]

|  | H01L 29/792 |
· · · · · · | à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS [5]

|  | H01L 29/796 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/768 )

|  | H01L 29/80 |
· · · · · | l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse [2]

|  | H01L 29/804 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/772, couvert par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/80 )

|  | H01L 29/808 |
· · · · · · | à jonction PN [5]

|  | H01L 29/812 |
· · · · · · | à grille Schottky [5]

|  | H01L 29/816 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/765 )

|  | H01L 29/82 |
· · | commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/96 a priorité) [2,6]

|  | H01L 29/84 |
· · | commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/96 a priorité) [2,6]

|  | H01L 29/86 |
· · | commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/96 a priorité) [2]

|  | H01L 29/8605 |
· · · | Résistances à jonction PN [6]

|  | H01L 29/861 |
· · · | Diodes [6]

|  | H01L 29/862 |
· · · · | Diodes à contact à pointe [6]

|  | H01L 29/864 |
· · · · | Diodes à temps de transit, p.ex. diodes IMPATT, TRAPATT [6]

|  | H01L 29/866 |
· · · · | Diodes Zener [6]

|  | H01L 29/868 |
· · · · | Diodes PIN [6]

|  | H01L 29/87 |
· · · · | Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement [6]

|  | H01L 29/872 |
· · · · | Diodes Schottky [6]

|  | H01L 29/88 |
· · · · | Diodes à effet tunnel [2]

|  | H01L 29/885 |
· · · · · | Diodes Esaki [6]

|  | H01L 29/90 - H01L 29/91 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/861-H01L 29/885 )

|  | H01L 29/92 |
· · · | Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface [2]

|  | H01L 29/93 |
· · · · | Diodes à capacité variable, p.ex. varactors [2]

|  | H01L 29/94 |
· · · · | Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS [2]

|  | H01L 29/95 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01G 4/12 )

|  | H01L 29/96 |
· · | d'un type couvert par plus d'un des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/68, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/82, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/84 ou Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/86 [2]

|  | H01L 31/00 |
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/00 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun, autres que les assemblages de composants sensibles au rayonnement avec une ou plusieurs sources de lumière électrique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; aspects couverture de toit des dispositifs collecteurs d'énergie Fulltext... Hierarchy... Expanded...E04D 13/18; production de chaleur utilisant la chaleur solaire Fulltext... Hierarchy... Expanded...F24J 2/00; mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques avec des détecteurs à semi-conducteurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01T 1/24, avec des détecteurs à résistance Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01T 1/26; mesure de flux de neutrons avec des détecteurs à semi-conducteurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01T 3/08; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G02B 6/42; obtention d'énergie à partir de sources radioactives Fulltext... Hierarchy... Expanded...G21H) [2,6]

|  | H01L 31/02 |
· | Détails [2]

|  | H01L 31/0203 |
· · | Conteneurs; Capsulations [5]

|  | H01L 31/0216 |
· · | Revêtements [5]

|  | H01L 31/0224 |
· · | Electrodes [5]

|  | H01L 31/0232 |
· · | Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif [5]

|  | H01L 31/0236 |
· · | Textures de surface particulières [5]

|  | H01L 31/024 |
· · | Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température [5]

|  | H01L 31/0248 |
· | caractérisés par leurs corps semi-conducteurs [5]

|  | H01L 31/0256 |
· · | caractérisés par les matériaux [5]

|  | H01L 31/0264 |
· · · | Matériaux minéraux [5]

|  | H01L 31/0272 |
· · · · | Sélénium ou tellure [5]

|  | H01L 31/028 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique [5]

|  | H01L 31/0288 |
· · · · · | caractérisés par le matériau de dopage [5]

|  | H01L 31/0296 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe [5]

|  | H01L 31/0304 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [5]

|  | H01L 31/0312 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC [5]

|  | H01L 31/032 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/0272-H01L 31/0312 [5]

|  | H01L 31/0328 |
· · · · | comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/0272-H01L 31/032 [5]

|  | H01L 31/0336 |
· · · · · | dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du sixième groupe de la classification périodique [5]

|  | H01L 31/0344 |
( transféré à Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 51/00 )

|  | H01L 31/0352 |
· · | caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices [5]

|  | H01L 31/036 |
· · | caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins [5]

|  | H01L 31/0368 |
· · · | comprenant des semi-conducteurs polycristallins (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/0392 a priorité) [5]

|  | H01L 31/0376 |
· · · | comprenant des semi-conducteurs amorphes (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/0392 a priorité) [5]

|  | H01L 31/0384 |
· · · | comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/0392 a priorité) [5]

|  | H01L 31/0392 |
· · · | comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants [5]

|  | H01L 31/04 |
· | adaptés comme dispositifs de conversion [2]

|  | H01L 31/042 |
· · | comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires [5]

|  | H01L 31/045 |
· · · | escamotables ou pliables [5]

|  | H01L 31/048 |
· · · | encapsulés ou ayant un boîtier [5]

|  | H01L 31/05 |
· · · | caractérisés par des moyens d'interconnexion particuliers [5]

|  | H01L 31/052 |
· · · | avec des moyens de refroidissement ou des moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière [5]

|  | H01L 31/055 |
· · · · | la lumière étant absorbée par le concentrateur et réémise avec une longueur d'onde différente, p.ex. en utilisant un matériau luminescent [5]

|  | H01L 31/058 |
· · · | comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique (utilisant l'énergie solaire en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...F24J 2/00) [5]

|  | H01L 31/06 |
· · | caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2]

|  | H01L 31/062 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type métal-isolant-semi-conducteur [5]

|  | H01L 31/065 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type à bande interdite graduelle [5]

|  | H01L 31/068 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à homojonction [5]

|  | H01L 31/07 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky [5]

|  | H01L 31/072 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction [5]

|  | H01L 31/075 |
· · · | les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN [5]

|  | H01L 31/078 |
· · · | comprenant des barrières de potentiel couvertes par plusieurs des groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/062-H01L 31/075 [5]

|  | H01L 31/08 |
· | dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances [2]

|  | H01L 31/09 |
· · | Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 31/101 a priorité) [5]

|  | H01L 31/10 |
· · | caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors [2]

|  | H01L 31/101 |
· · · | Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet [5]

|  | H01L 31/102 |
· · · · | caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface [5]

|  | H01L 31/103 |
· · · · · | la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction [5]

|  | H01L 31/105 |
· · · · · | la barrière de potentiel étant du type PIN [5]

|  | H01L 31/107 |
· · · · · | la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche [5]

|  | H01L 31/108 |
· · · · · | la barrière de potentiel étant du type Schottky [5]

|  | H01L 31/109 |
· · · · · | la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction [5]

|  | H01L 31/11 |
· · · · | caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire [5]

|  | H01L 31/111 |
· · · · | caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor [5]

|  | H01L 31/112 |
· · · · | caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction [5]

|  | H01L 31/113 |
· · · · · | du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur [5]

|  | H01L 31/115 |
· · · | Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire [5]

|  | H01L 31/117 |
· · · · | du type détecteurs de rayonnement à effet de volume, p.ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma [5]

|  | H01L 31/118 |
· · · · | du type détecteurs à barrière de surface ou à jonction PN superficielle, p.ex. détecteurs de particules alpha à barrière de surface [5]

|  | H01L 31/119 |
· · · · | caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS [5]

|  | H01L 31/12 |
· | structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électro-luminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources (dispositifs semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou de surface adaptés pour l'émission de lumière Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 33/00; amplificateurs utilisant un élément électro-luminescent ou une cellule photo-électrique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03F 17/00; sources de lumière électro-luminescentes en soi Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B 33/00) [2,5]

|  | H01L 31/14 |
· · | la ou les sources de lumière étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images, dispositifs de stockage d'image [2]

|  | H01L 31/147 |
· · · | les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5]

|  | H01L 31/153 |
· · · · | formés dans, ou sur un substrat commun [5]

|  | H01L 31/16 |
· · | le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources de lumière [2]

|  | H01L 31/167 |
· · · | les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5]

|  | H01L 31/173 |
· · · · | formés dans, ou sur un substrat commun [5]

|  | H01L 31/18 |
· | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (non particuliers pour ces dispositifs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00) [2]

|  | H01L 31/20 |
· · | les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe [5]

|  | H01L 33/00 |
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. de rayons infrarouges; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G02B 6/42; lasers à semi-conducteur ayant une barrière de potentiel ou une barrière de surface Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01S 3/19; sources de lumière électroluminescentes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H05B 33/00) [2]

|  | H01L 35/00 |
Dispositifs thermo-électriques comportant une jonction de matériaux différents, c.à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermo-électriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; machines frigorifiques utilisant des effets électriques ou magnétiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...F25B 21/00; mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01K 7/00; obtention d'énergie à partir de sources radioactives Fulltext... Hierarchy... Expanded...G21H) [2]

|  | H01L 35/02 |
· | Détails [2]

|  | H01L 35/04 |
· · | Détails structurels de la jonction; Connexions des fils [2]

|  | H01L 35/06 |
· · · | Jonctions amovibles, p.ex. utilisant un ressort [2]

|  | H01L 35/08 |
· · · | Jonctions non amovibles, p.ex. obtenues par cémentation, frittage, soudage [2]

|  | H01L 35/10 |
· · · | Connexions des fils [2]

|  | H01L 35/12 |
· | Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction [2]

|  | H01L 35/14 |
· · | utilisant des compositions minérales [2]

|  | H01L 35/16 |
· · · | comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre [2]

|  | H01L 35/18 |
· · · | comprenant de l'arsenic, de l'antimoine, ou du bismuth (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 35/16 a priorité) [2]

|  | H01L 35/20 |
· · · | comprenant des métaux uniquement (Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 35/16, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 35/18 ont priorité) [2]

|  | H01L 35/22 |
· · · | comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote [2]

|  | H01L 35/24 |
· · | utilisant des compositions organiques [2]

|  | H01L 35/26 |
· · | utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau [2]

|  | H01L 35/28 |
· | fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck [2]

|  | H01L 35/30 |
· · | caractérisés par les moyens d'échange de chaleur à la jonction [2]

|  | H01L 35/32 |
· · | caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif [2]

|  | H01L 35/34 |
· | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00) [2]

|  | H01L 37/00 |
Dispositifs thermo-électriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments thermo-électriques ou thermomagnétiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01K 7/00; emploi de matériaux spécifiés pour la magnétographie, p.ex. pour l'écriture du point de Curie, Fulltext... Hierarchy... Expanded...G03G 5/00) [2]

|  | H01L 37/02 |
· | utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie [2]

|  | H01L 37/04 |
· | utilisant le changement thermique de la perméabilité magnétique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie [2]

|  | H01L 39/00 |
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; supraconducteurs caractérisés par la technique de mise en forme des céramiques ou par leur composition céramique Fulltext... Hierarchy... Expanded...C04B 35/00; conducteurs, câbles ou lignes de transmission supraconducteurs ou hyperconducteurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01B 12/00; bobines ou enroulements supraconducteurs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01F; amplificateurs utilisant la supraconductivité Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03F 19/00) [2,4]

|  | H01L 39/02 |
· | Détails [2]

|  | H01L 39/04 |
· · | Conteneurs; Supports [2]

|  | H01L 39/06 |
· · | caractérisés par le parcours du courant [2]

|  | H01L 39/08 |
· · | caractérisés par la forme de l'élément [2]

|  | H01L 39/10 |
· · | caractérisés par les moyens de commutation [2]

|  | H01L 39/12 |
· · | caractérisés par le matériau [2]

|  | H01L 39/14 |
· | Dispositifs à supraconductivité permanente [2]

|  | H01L 39/16 |
· | Dispositifs commutables entre les états normal et supraconducteur [2]

|  | H01L 39/18 |
· · | Cryotrons [2]

|  | H01L 39/20 |
· · · | Cryotrons de puissance [2]

|  | H01L 39/22 |
· | Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson [2]

|  | H01L 39/24 |
· | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 39/00, ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00; séparation magnétique des matériaux supraconducteurs des autres matériaux, p.ex. utilisant l'effet Meissner, Fulltext... Hierarchy... Expanded...B03C 1/00) [2]

|  | H01L 41/00 |
Eléments piézo-électriques en général; Eléments électrostrictifs en général; Eléments magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces éléments ou de leurs parties constitutives; Détails (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00) [2]

|  | H01L 41/00 |
2. Note(s) Le présent groupe ne couvre pas les adaptations à des fins particulières, qui sont couvertes par les endroits appropriés. [6] Il est important de tenir compte des endroits appropriés suivants: [6]
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...B06B | pour les adaptations pour produire ou transmettre les vibrations mécaniques [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01 | pour les transducteurs servant d'éléments capteurs pour la mesure [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...G04C, Fulltext... Hierarchy... Expanded...G04F | pour les transducteurs adaptés à l'utilisation dans les montres ou les horloges [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...G10K | pour les adaptations pour produire ou transmettre le son [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...H02N | pour la disposition des éléments dans les machines électriques [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03H 9/00 | pour les réseaux comprenant des éléments électro-acoustiques ou électromécaniques, p.ex. les circuits résonants [6] |
   Fulltext... Hierarchy... Expanded...H04R | pour les haut-parleurs, les microphones, les têtes de lecture pour tourne-disques ou les transducteurs analogues. [6] |

|  | H01L 41/02 |
· | Détails [2]

|  | H01L 41/04 |
· · | d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs [2]

|  | H01L 41/047 |
· · · | Electrodes [6]

|  | H01L 41/053 |
· · · | Montures, supports, enveloppes ou boîtiers [6]

|  | H01L 41/06 |
· · | d'éléments magnétostrictifs [2]

|  | H01L 41/08 |
· | Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs [2]

|  | H01L 41/083 - H01L 41/113 |
Note(s) Les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 41/083 et Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 41/087 ont priorité sur les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 41/09-H01L 41/113. [6]

|  | H01L 41/083 |
· · | avec une structure empilée ou multicouche [6]

|  | H01L 41/087 |
· · | réalisés sous forme de câbles coaxiaux [6]

|  | H01L 41/09 |
· · | à entrée électrique et sortie mécanique [5]

|  | H01L 41/107 |
· · | à entrée électrique et sortie électrique [5]

|  | H01L 41/113 |
· · | à entrée mécanique et sortie électrique [5]

|  | H01L 41/12 |
· | Eléments magnétostrictifs [2]

|  | H01L 41/16 |
· | Emploi de matériaux spécifiés [2]

|  | H01L 41/18 |
· · | pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs [2]

|  | H01L 41/187 |
· · · | Compositions céramiques [5]

|  | H01L 41/193 |
· · · | Compositions macromoléculaires [5]

|  | H01L 41/20 |
· · | pour des éléments magnétostrictifs [2]

|  | H01L 41/22 |
· | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces éléments ou de leurs parties constitutives (non spécialement adaptés à ces dispositifs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00) [2]

|  | H01L 41/24 |
· · | d'éléments à composition céramique [5]

|  | H01L 41/26 |
· · | d'éléments à composition macromoléculaire [5]

|  | H01L 43/00 |
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; dispositifs avec barrière de potentiel ou barrière de surface commandés par variation d'un champ magnétique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 29/82) [2]

|  | H01L 43/02 |
· | Détails [2]

|  | H01L 43/04 |
· · | de dispositifs à effet Hall [2]

|  | H01L 43/06 |
· | Dispositifs à effet Hall [2]

|  | H01L 43/08 |
· | Résistances commandées par un champ magnétique [2]

|  | H01L 43/10 |
· | Emploi de matériaux spécifiés [2]

|  | H01L 43/12 |
· | Procédés ou appareillages spécifiques pour la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs éléments (non spécialement adaptés à ces dispositifs Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00) [2]

|  | H01L 43/14 |
· · | pour dispositifs à effet Hall [2]

|  | H01L 45/00 |
Dispositifs à l'état solide adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00; dispositifs utilisant la supraconductivité ou de l'hyperconductivité Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 39/00; éléments piézo-électriques Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 41/00; dispositifs à résistance négative à effet de volume Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 47/00) [2]

|  | H01L 45/02 |
· | Dispositifs à l'état solide utilisés comme dispositifs à ondes progressives [2]

|  | H01L 47/00 |
Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00) [2]

|  | H01L 47/02 |
· | Dispositifs à effet Gunn [2]

|  | H01L 49/00 |
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00-H01L 47/00, et non couverts par une autre sous-classe; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00) [2]

|  | H01L 49/02 |
· | Dispositifs à film mince ou à film épais [2]

|  | H01L 51/00 |
Dispositifs à l'état solide adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation, ou bien condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, et qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives (procédés ou appareils pour le traitement de corps semi-conducteurs minéraux sur lesquels est formée ou traitée une couche organique Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/312, Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 21/47) [6]

|  | H01L 51/10 |
· | Détails des dispositifs [6]

|  | H01L 51/20 |
· | Dispositifs [6]

|  | H01L 51/30 |
· | Emploi de matériaux spécifiés [6]

|  | H01L 51/40 |
· | Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives [6]

|  | H01L 101/00 |
Système d'indexation associé au groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L 27/00, relatif aux circuits intégrés. Le code d'indexation doit être non lié. [5]

|  | H01L 101/00 - H01L 101/00 |
Note(s) Il est important de tenir compte du chapitre IV du Guide d'utilisation qui indique les règles concernant l'attribution et la présentation des différents types de codes d'indexation. [6]

|  | H01L 101/00 |
Circuits intégrés AIIIBV [5]