(EN) METHOD OF PRODUCING A MICROSYSTEM STRUCTURE WITH LATERAL GAPS AND CORRESPONDING MICROSYSTEM STRUCTURE

(FR) PROCEDE DE REALISATION DE STRUCTURE DE MICROSYSTEME A ENTREFERS LATERAUX ET STRUCTURE DE MICROSYSTEME CORRESPONDANTE

(EN) The invention relates to a method of producing a microsystem structure with lateral gaps and the corresponding microsystem structure. The inventive method consists in: (a) depositing a first sacrificial layer (CS₁) on the substrate (S); (b) forming a structural element (SE), add-on structure, on said sacrificial layer, which is intended to form a mobile add-on structure with two degrees of freedom (YY, XX); (c) covering the free surface of the structural element (SE) with a second sacrificial layer of thickness e = d_g which is equal to the linear dimension of the gap; (d) covering the first sacrificial layer (CS₁) and the free surface of the second sacrificial layer (CS₂) with a layer of material (SM) which is intended to form another add-on structure; and (e) etching the second sacrificial layer (CS₂) and subsequently the first sacrificial layer (CS₁) so as to prevent, at least partially, any contact between the structural element (SE) in the direction of the first and second degree of freedom and any other add-on structure and the substrate (S), in order to produce lateral gaps having a width that is essentially equal to the thickness of the sacrificial layer (CS₂). The invention is suitable for the production of microsystem structures and components containing same.

(FR) L'invention concerne un procédé de réalisation de structure de microsystème à entrefers latéraux et la structure de microsystème correspondante. Selon ce procédé, on dépose a) sur le substrat (S) une première couche sacrificielle (CS₁) et on forme b) sur celle-ci un élément structurel (SE), structure rapportée, destiné à former une structure rapportée mobile à deux degrés de liberté (YY, XX). On recouvre (c) la surface libre de l'élément structurel (SE) d'une deuxième couche sacrificielle d'épaisseur e = dg égale à la dimension linéique d'entrefer. On recouvre d) la première (CS₁) et la surface libre de la deuxième (CS₂) couche sacrificielle d'une couche de matériau (SM) destinée à former une autre structure rapportée et on attaque e) par gravure la deuxième couche sacrificielle (CS₂), puis la première couche sacrificielle (CS₁) de manière à libérer, au moins partiellement, l'élément structurel (SE) de tout contact dans la direction du premier et deuxième degré de liberté, vis-à-vis de toute autre structure rapportée et du substrat (S) pour engendrer des entrefers latéraux de largeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche sacrificielle (CS₂). Application à la fabrication de structures de microsystème et de composants incorporant celles-ci.