Dans la section C, les définitions des groupes des éléments chimiques sont les suivantes:
Métaux alcalins: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr
Métaux alcalino-terreux: Ca, Sr, Ba, Ra
Lanthanides: éléments ayant un numéro atomique de 57 à 71 inclus
Terres rares: Sc, Y, lanthanides
Actinides: éléments ayant un numéro atomique de 89 à 103 inclus
Métaux réfractaires: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W
Halogènes: F, Cl, Br, I, At
Gaz nobles: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn
Groupe du platine: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd
Métaux nobles: Ag, Au, groupe du platine
Métaux légers: métaux alcalins, métaux alcalino-terreux, Be, Al, Mg
Métaux lourds: métaux autres que les métaux légers
Groupe du fer: Fe, Co, Ni
Non-métaux: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gaz nobles, halogènes
Métaux: éléments autres que les non-métaux
Éléments de transition: éléments ayant les numéros atomiques 21 à 30 inclus, 39 à 48 inclus, 57 à 80 inclus, 89 et au-dessus
Les notes suivantes ont pour but d'apporter une aide à l'utilisation de cette partie de la Classification. Elles doivent être comprises comme ne modifiant en rien les élaborations.
La section C couvre:
la chimie pure, qui couvre les composés de la chimie inorganique, de la chimie organique, de la chimie des macromolécules et leurs procédés de préparation;
la chimie appliquée, qui couvre les compositions contenant ces composés, telles que: verre, céramiques, engrais, matières plastiques, peintures, produits de l'industrie du pétrole. Elle couvre également certaines compositions dans la mesure où elles sont dotées de propriétés particulières applicables pour un but déterminé, comme c'est le cas des: explosifs, colorants, adhésifs, lubrifiants et détergents;
certaines industries marginales, telles que celles du coke et des combustibles solides ou gazeux, de la production et du raffinage des corps gras et des cires, de la fermentation (bière, vin), du sucre;
certaines opérations ou traitements, soit par procédés purement mécaniques, p.ex. le traitement des cuirs et des peaux, soit par procédés en partie mécaniques, p.ex. le traitement des eaux ou la lutte contre la corrosion en général;
la métallurgie, les alliages ferreux ou non ferreux.
-
En règle générale, la partie ou l'aspect chimique de toute opération, traitement, produit ou objet, qui comporte également une partie ou un aspect non chimique, est couvert par la section C.
Dans certains de ces cas, la section C traite également de la partie non chimique, voir même purement mécanique, soit que ce dernier aspect constitue l'essentiel d'une opération ou d'un traitement, soit qu'il en constitue un élément important, parce qu'il a paru plus rationnel de ne pas dissocier les différents aspects ou phases d'un même ensemble cohérent. C'est le cas de la chimie appliquée et des industries, des opérations ou des traitements mentionnés dans les notes 1.c), d) et e). C'est ainsi, par exemple, que les fours pour la fabrication du verre sont couverts par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C03 et non par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F27.
Dans d'autres cas toutefois, et pour la même raison, il ne faut pas dissocier un ensemble cohérent. Certains aspects purement chimiques sont entièrement traités en dehors de la section C, comme par exemple:
Les composés et procédés chimiques de photographie de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G03, et, d'une façon générale, le traitement chimique des textiles, la production de la cellulose et du papier de la section D.
Dans d'autres cas enfin, tandis que la partie purement chimique est couverte par la section C, l'aspect de la chimie appliquée est couvert par d'autres sections de la CIB, notamment par les sections A, B ou F, p.ex. l'utilisation d'une substance ou d'une composition pour:
Lorsque les éléments ou les processus mécaniques et chimiques sont trop imbriqués pour qu'un partage net et aisé soit possible, ou encore que certains procédés mécaniques constituent la suite naturelle ou logique d'un traitement chimique, il arrive que la section C couvre, outre la partie chimique, uniquement une partie de l'aspect ou de l'élément mécanique, comme par exemple le post-traitement de la pierre artificielle qui est couvert par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C04. Dans ce cas, une note ou un renvoi précise généralement le partage, même si celui-ci est quelquefois assez arbitraire.
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants Fulltext... Hierarchy... Expanded...B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22B); PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages Fulltext... Hierarchy... Expanded...B22D; façonnage des matières plastiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...B29; modification de la structure physique de métaux ou alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C21D, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22F); MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L); APPAREILLAGES À CET EFFET [3]
C30B
Note(s)
Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée:
"monocristal" comprend aussi les macles et les produits à prédominance monocristalline; [3]
"matériau polycristallin homogène" désigne un matériau à grains cristallins ayant tous la même composition chimique; [5]
"structure déterminée" désigne la structure d'un matériau dont les grains sont orientés de façon préférentielle ou ont des dimensions supérieures à celles normalement obtenues. [5]
Dans la présente sous-classe:
la préparation des monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, de composition ou de formes particulières est classée dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 29/00; [3]
un appareillage spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareillage pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 35/00. [3]
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal [3]
C30B 13/32
·
Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage [3]
C30B 13/34
·
caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal [3]
C30B 15/24
· · ·
en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/34) [3]
C30B 15/26
· · ·
en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X [3]
C30B 15/28
· · ·
en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation [3]
Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage [3]
C30B 15/36
·
caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]
C30B 17/00
Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/00 a priorité) [3]
C30B 19/00
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide [3]
C30B 19/02
·
en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants [3]
C30B 19/04
· ·
le solvant étant un constituant du cristal [3]
C30B 19/06
·
Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat [3]
C30B 19/08
·
Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat [3]
le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale [3]
C30B 25/22
· ·
Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces [3]
C30B 27/00
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur [3]
C30B 27/02
·
par tirage à partir d'un bain fondu [3]
C30B 28/00
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [5]
C30B 28/02
·
directement à partir de l'état solide [5]
C30B 28/04
·
à partir de liquides [5]
C30B 28/06
· ·
par solidification simple ou dans un gradient de température [5]
C30B 28/08
· ·
par fusion de zone [5]
C30B 28/10
· ·
par tirage hors d'un bain fondu [5]
C30B 28/12
·
directement à partir de l'état gazeux [5]
C30B 28/14
· ·
par réaction chimique de gaz réactifs [5]
C30B 29/00
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme (alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22C) [3,5]
Cristaux de forme géométrique complexe, p.ex. tubes, cylindres [5]
C30B 29/68
· ·
Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux [5]
C30B 30/00
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques [5]
en utilisant des champs électriques, p.ex. par électrolyse [5]
C30B 30/04
·
en utilisant des champs magnétiques [5]
C30B 30/06
·
en utilisant des vibrations mécaniques [5]
C30B 30/08
·
dans les conditions de gravité nulle ou de microgravité [5]
C30B 31/00 - C30B 33/00
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]
C30B 31/00
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet [3,5]
C30B 31/02
·
par contact avec la substance de diffusion à l'état solide [3]
C30B 31/04
·
par contact avec la substance de diffusion à l'état liquide [3]
en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires [5]
C30B 33/06
·
Assemblage de cristaux [5]
C30B 33/08
·
Gravure [5]
C30B 33/10
· ·
dans des solutions ou des bains fondus [5]
C30B 33/12
· ·
dans une atmosphère gazeuse ou un plasma [5]
C30B 35/00
Appareillages en général, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]