G
SECTION G — PHYSIQUE
 G

Note(s)

  1. Dans la présente section, l'expression suivante a la signification ci-dessous indiquée:
    • "variable" (en tant que substantif) désigne une caractéristique ou une propriété (p.ex. une dimension, une condition physique telle qu'une température, une qualité comme la densité ou la couleur) qui est susceptible d'être mesurée pour une entité donnée (p.ex. un objet, une quantité de substance, un faisceau lumineux) et à un moment donné; la variable peut changer, de telle sorte que son expression numérique puisse prendre des valeurs différentes à des moments différents ou dans des conditions différentes ou dans des cas particuliers, mais elle peut être constante pour une entité donnée dans certaines conditions ou à des fins pratiques (p.ex. la longueur d'une barre peut être considérée comme constante dans de nombreux cas).
  2. Il est important de tenir compte des définitions des expressions employées, figurant dans les notes de plusieurs des classes de la présente section, en particulier celles de la "métrologie" de G01, de la "commande" et de la "régulation" de G05.
  3. Il est possible que le classement des inventions dans la présente section soulève plus de difficultés que dans d'autres, du fait que la distinction entre les différents domaines d'application repose, dans une très large mesure, sur les différences d'intention des utilisateurs plutôt que sur des différences de structure ou des différences dans la manière d'utiliser les inventions, et d'autre part, les sujets traités sont en fait des systèmes ou des combinaisons ayant des caractéristiques ou des éléments communs plutôt que des "choses" formant un tout nettement différenciable. C'est ainsi qu'une information (p.ex. une série de chiffres) peut être présentée, à des fins éducatives ou publicitaires (G09), pour faire connaître le résultat d'une mesure (G01), pour transmettre une information à un point éloigné ou encore pour donner une information provenant d'un point éloigné (G08); les mots employés pour décrire l'objet de l'invention découlent de caractéristiques pouvant n'avoir aucun rapport avec la forme de l'appareil en question, p.ex. l'effet souhaité sur la personne qui voit la présentation de l'information, ou le fait que la présentation soit commandée d'un point éloigné. De même, un dispositif réagissant à un changement donné dans une condition, p.ex. dans la pression d'un fluide, peut être utilisé, sans modification du dispositif lui-même, pour donner une information sur la pression (G01L) ou sur quelqu'autre condition liée à la pression (c.à d. une autre sous-classe de G01, p.ex. G01K pour la température), pour enregistrer la pression ou le fait même qu'elle existe (G07C), pour donner l'alarme (G08B) ou pour commander quelqu'autre appareil (G05).

    Le schéma de la classification vise à permettre de classer ensemble des choses de même nature (ainsi qu'il est indiqué ci-dessus). C'est pourquoi il est particulièrement nécessaire de déterminer quelle est la nature réelle de toute invention avant de pouvoir la classer de façon convenable.

  
INSTRUMENTS
 G11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
 G11C
MEMOIRES STATIQUES (enregistrement de l'information basé sur un mouvement relatif entre le support d'enregistrement et le transducteur G11B; dispositifs semi-conducteurs pour mémoires H01L, p.ex. H01L 27/108-H01L 27/115; technique de l'impulsion en général H03K, p.ex. commutateurs électroniques H03K 17/00)
 G11C

Note(s)

  1. La présente sous-classe couvre les dispositifs ou dispositions pour l'emmagasinage d'informations numériques ou analogiques:
    1. dans lesquels il n'y a pas de mouvement relatif entre un élément d'emmagasinage d'information et un transducteur;
    2. qui comportent un dispositif sélecteur pour l'écriture d'informations dans la mémoire numérique ou leur lecture à partir de celle-ci.
  2. La présente sous-classe ne couvre pas les éléments non adaptés pour l'emmagasinage ou non pourvus de tels moyens, qui sont couverts par la sous-classe appropriée, p.ex. de H01, par H03K.
  3. Dans la présente sous-classe, un élément d'emmagasinage est pourvu de moyens pour écrire ou lire au moins un élément d'information.
 G11C 5/00
Détails de mémoires couverts par le groupe G11C 11/00
 G11C 5/02
·  Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
 G11C 5/04
·  ·  Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports
 G11C 5/05
·  ·  ·  Supports de noyaux dans une matrice  [2]
 G11C 5/06
·  Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
 G11C 5/08
·  ·  pour interconnecter des éléments magnétiques, p.ex. des noyaux toroïdaux
 G11C 5/10
·  ·  pour interconnecter des capacités
 G11C 5/12
·  Appareils ou procédés pour interconnecter des éléments d'emmagasinage, p.ex. pour enfiler des noyaux magnétiques
 G11C 5/14
·  Dispositions pour l'alimentation (en général G05F, H02J, H02M)  [5]
 G11C 7/00
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique (G11C 5/00 a priorité; pour mémoires utilisant des transistors G11C 11/407, G11C 11/413)  [2,5]
 G11C 7/02
·  avec des moyens d'éviter les signaux parasites
 G11C 7/04
·  avec des moyens d'éviter les effets perturbateurs thermiques
 G11C 7/06
·  Adaptations des amplificateurs (amplificateurs en soi H03F, H03K)
 G11C 8/00
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique (pour mémoires utilisant des transistors G11C 11/407, G11C 11/413)  [2,5]
 G11C 8/02
·  utilisant une matrice de sélection  [2]
 G11C 8/04
·  utilisant un dispositif d'adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur  [5]
 G11C 11/00
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants (G11C 14/00-G11C 21/00 ont priorité)  [5]
 G11C 11/02 - 
G11C 11/54

Note(s)

Le groupe G11C 11/56 a priorité sur les groupes G11C 11/02-G11C 11/54.  [2]

 G11C 11/02
·  utilisant des éléments magnétiques
 G11C 11/04
·  ·  utilisant des éléments d'emmagasinage de forme cylindrique, p.ex. barre, fil (G11C 11/12, G11C 11/14 ont priorité)  [2]
 G11C 11/06
·  ·  utilisant des éléments d'emmagasinage à simple ouverture; utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage
 G11C 11/061
·  ·  ·  utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive  [2]
 G11C 11/063
·  ·  ·  ·  organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c.à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture  [2]
 G11C 11/065
·  ·  ·  ·  organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c.à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture  [2]
 G11C 11/067
·  ·  ·  utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive  [2]
 G11C 11/08
·  ·  utilisant des éléments d'emmagasinage à ouvertures multiples, p.ex. utilisant des transfluxors; utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples (G11C 11/10 a priorité; utilisant des plaques à ouvertures multiples dans lesquelles chaque ouverture individuelle forme un élément d'emmagasinage G11C 11/06)  [2]
 G11C 11/10
·  ·  utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux
 G11C 11/12
·  ·  utilisant des tensors, utilisant des twistors, c.à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu
 G11C 11/14
·  ·  utilisant des éléments à pellicules minces
 G11C 11/15
·  ·  ·  utilisant des couches magnétiques multiples (G11C 11/155 a priorité)  [2]
 G11C 11/155
·  ·  ·  avec une configuration cylindrique  [2]
 G11C 11/16
·  ·  utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
 G11C 11/18
·  utilisant des dispositifs à effet Hall
 G11C 11/19
·  utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants  [2]
 G11C 11/20
·  ·  utilisant des paramétrons  [2]
 G11C 11/21
·  utilisant des éléments électriques  [2]
 G11C 11/22
·  ·  utilisant des éléments ferro-électriques  [2]
 G11C 11/23
·  ·  utilisant l'emmagasinage électrostatique sur une couche commune, p.ex. tubes de Forrester-Haeff (G11C 11/22 a priorité)  [2]
 G11C 11/24
·  ·  utilisant des condensateurs (G11C 11/22 a priorité; utilisant une combinaison de dispositifs à semi-conducteurs et de condensateurs G11C 11/34, p.ex. G11C 11/40)  [2,5]
 G11C 11/26
·  ·  utilisant des tubes à décharge  [2]
 G11C 11/28
·  ·  ·  utilisant des tubes à atmosphère gazeuse  [2]
 G11C 11/30
·  ·  ·  utilisant des tubes à vide (G11C 11/23 a priorité)  [2]
 G11C 11/34
·  ·  utilisant des dispositifs à semi-conducteurs  [2]
 G11C 11/36
·  ·  ·  utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil  [2]
 G11C 11/38
·  ·  ·  ·  utilisant des diodes tunnels  [2]
 G11C 11/39
·  ·  ·  utilisant des thyristors  [5]
 G11C 11/40
·  ·  ·  utilisant des transistors  [2]
 G11C 11/401
·  ·  ·  ·  formant des cellules nécessitant une régénération de la charge  [5]
 G11C 11/402
·  ·  ·  ·  ·  avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c.à d. régénération interne  [5]
 G11C 11/403
·  ·  ·  ·  ·  avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.à d. régénération externe  [5]
 G11C 11/404
·  ·  ·  ·  ·  ·  avec une porte à transfert de charges, p.ex. un transistor MOS, par cellule  [5]
 G11C 11/405
·  ·  ·  ·  ·  ·  avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule  [5]
 G11C 11/406
·  ·  ·  ·  ·  Organisation ou commande des cycles de régénération de la charge  [5]
 G11C 11/407
·  ·  ·  ·  ·  Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation, pour des cellules de mémoire du type à effet de champ (en général G11C 5/00-G11C 8/00)  [5]
 G11C 11/408
·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits d'adressage  [5]
 G11C 11/409
·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits de lecture-écriture  [5]
 G11C 11/41
·  ·  ·  ·  formant des cellules avec réaction positive, c.à d. des cellules ne nécessitant pas de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt  [5]
 G11C 11/411
·  ·  ·  ·  ·  utilisant uniquement des transistors bipolaires  [5]
 G11C 11/412
·  ·  ·  ·  ·  utilisant uniquement des transistors à effet de champ  [5]
 G11C 11/413
·  ·  ·  ·  ·  Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation (en général G11C 5/00-G11C 8/00)  [5]
 G11C 11/414
·  ·  ·  ·  ·  ·  pour des cellules de mémoire du type bipolaire  [5]
 G11C 11/415
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits d'adressage  [5]
 G11C 11/416
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits de lecture-écriture  [5]
 G11C 11/417
·  ·  ·  ·  ·  ·  pour des cellules de mémoire du type à effet de champ  [5]
 G11C 11/418
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits d'adressage  [5]
 G11C 11/419
·  ·  ·  ·  ·  ·  ·  Circuits de lecture-écriture  [5]
 G11C 11/42
·  ·  utilisant des dispositifs opto-électroniques, c.à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement
 G11C 11/44
·  ·  utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons  [2]
 G11C 11/46
·  utilisant des éléments thermoplastiques
 G11C 11/48
·  utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction
 G11C 11/50
·  utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information (mémoires mécaniques G11C 23/00; interrupteurs permettant un nombre choisi d'actionnements consécutifs des contacts à la suite d'un seul actionnement manuel de l'organe moteur H01H 41/00)
 G11C 11/52
·  ·  utilisant des relais électromagnétiques
 G11C 11/54
·  utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone
 G11C 11/56
·  utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence (dispositions de comptage comprenant des éléments multistables de ce type H03K 25/00, H03K 29/00)  [2]
 G11C 13/00
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C 11/00, G11C 23/00 ou G11C 25/00
 G11C 13/02
·  utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique (utilisant une charge électrochimique G11C 11/00)
 G11C 13/04
·  utilisant des éléments optiques
 G11C 13/06
·  ·  utilisant des éléments magnéto-optiques (éléments magnéto-optiques en général G02F)  [2]
 G11C 13/08
( couvert par G11C 11/42 )
 G11C 14/00
Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation  [5]
 G11C 15/00
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c.à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu (dans lesquelles l'information est adressée à un endroit spécifique G11C 11/00)  [2]
 G11C 15/02
·  utilisant des éléments magnétiques  [2]
 G11C 15/04
·  utilisant des éléments semi-conducteurs  [2]
 G11C 15/06
·  utilisant des éléments cryogéniques  [2]
 G11C 16/00
Mémoires mortes programmables effaçables (G11C 14/00 a priorité)  [5]
 G11C 16/02
·  programmables électriquement  [5]
 G11C 16/04
·  ·  utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS  [5]
 G11C 16/06
·  ·  Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire (en général G11C 7/00)  [5]
 G11C 17/00
Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main (mémoires mortes programmables effaçables G11C 16/00; codage, décodage ou conversion de code, en général H03M)  [2,5]
 G11C 17/02
·  utilisant des éléments magnétiques ou inductifs (G11C 17/14 a priorité)  [2,5]
 G11C 17/04
·  utilisant des éléments capacitifs (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité)  [2,5]
 G11C 17/06
·  utilisant des éléments comprenant des diodes (G11C 17/14 a priorité)  [2,5]
 G11C 17/08
·  utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité)  [5]
 G11C 17/10
·  ·  dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque  [5]
 G11C 17/12
·  ·  ·  utilisant des dispositifs à effet de champ  [5]
 G11C 17/14
·  dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM  [5]
 G11C 17/16
·  ·  utilisant des liaisons électriquement fusibles  [5]
 G11C 17/18
·  ·  Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire (en général G11C 7/00)  [5]
 G11C 19/00
Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registre à décalage (chaînes de comptage H03K 23/00)
 G11C 19/02
·  utilisant des éléments magnétiques (G11C 19/14 a priorité)  [2]
 G11C 19/04
·  ·  utilisant des noyaux avec une ouverture ou une boucle magnétique  [2]
 G11C 19/06
·  ·  utilisant des structures avec une pluralité d'ouvertures ou de boucles magnétiques, p.ex. des transfluxors  [2]
 G11C 19/08
·  ·  utilisant des couches minces dans une structure plane  [2]
 G11C 19/10
·  ·  utilisant des couches minces sur des barres; avec des twistors  [2]
 G11C 19/12
·  utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants  [2]
 G11C 19/14
·  utilisant des éléments magnétiques combinés à des éléments actifs, p.ex. à des tubes à décharge, à des éléments semi-conducteurs  [2]
 G11C 19/18
·  utilisant des capacités comme éléments principaux des étages  [2]
 G11C 19/20
·  utilisant des tubes à décharge (G11C 19/14 a priorité)  [2]
 G11C 19/28
·  utilisant des éléments semi-conducteurs (G11C 19/14 a priorité)  [2]
 G11C 19/30
·  utilisant des éléments opto-électroniques, c.à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement  [2]
 G11C 19/32
·  utilisant des éléments supraconducteurs  [2]
 G11C 21/00
Mémoires numériques dans lesquelles l'information circule (par échelons G11C 19/00)
 G11C 21/02
·  utilisant des lignes à retard électromécaniques, p.ex. utilisant un réservoir à mercure
 G11C 23/00
Mémoires numériques caractérisées par le mouvement de pièces mécaniques pour effectuer l'emmagasinage, p.ex. en utilisant des billes; Eléments d'emmagasinage correspondants (emmagasinage par actionnement de contacts G11C 11/48)
 G11C 25/00
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation de milieux fluides; Eléments d'emmagasinage correspondants
 G11C 27/00
Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées
 G11C 27/02
·  Moyens d'échantillonnage et de mémorisation (G11C 27/04 a priorité; échantillonnage de signaux électriques en général H03K)  [2,4]
 G11C 27/04
·  Registres à décalage (dispositifs à couplage de charge en soi H01L 29/76)  [4]
 G11C 29/00
Vérification du fonctionnement correct des mémoires