C
SECTION C — CHIMIE; METALLURGIE
 C

Note(s)

Dans la section C, les définitions des groupes des éléments chimiques sont les suivantes:

  • Métaux alcalins: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr
  • Métaux alcalino-terreux: Ca, Sr, Ba, Ra
  • Lanthanides: éléments ayant un numéro atomique de 57 à 71 inclus
  • Terres rares: Sc, Y, lanthanides
  • Actinides: éléments ayant un numéro atomique de 89 à 103 inclus
  • Métaux réfractaires: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W
  • Halogènes: F, Cl, Br, I, At
  • Gaz nobles: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn
  • Groupe du platine: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd
  • Métaux nobles: Ag, Au, groupe du platine
  • Métaux légers: métaux alcalins, métaux alcalino-terreux, Be, Al, Mg
  • Métaux lourds: métaux autres que les métaux légers
  • Groupe du fer: Fe, Co, Ni
  • Nonmétaux: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gaz nobles, halogènes
  • Métaux: éléments autres que les nonmétaux
  • Eléments de transition: éléments ayant les numéros atomiques 21 à 30 inclus, 39 à 48 inclus, 57 à 80 inclus, 89 et au-dessus

  
METALLURGIE
 C30
CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général B01D 9/00)  [3]
 C30B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATERIAUX EUTECTIQUES OU DEMIXTION UNIDIRECTIONNELLE DES MATERIAUX EUTECTOIDES; POST-TRAITEMENT DES MONOCRISTAUX (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H01L); PROCEDES DE DOPAGE DES CRISTAUX EN GENERAL (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H01L); AFFINAGE DES MATERIAUX PAR FUSION DE ZONE EN GENERAL (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages C22B); APPAREILLAGES A CET EFFET  [3]
 C30B

Note(s)

  1. Dans la présente sous-classe, l'expression suivante a la signification ci-dessous indiquée:
    • "monocristal" comprend aussi les macles et un produit à prédominance monocristalline.  [3]
  2. Dans le présente sous-classe:
    • les inventions concernant la préparation des monocristaux de composition ou de formes particulières sont classées dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe C30B 29/00;  [3]
    • un appareil spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareil pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe C30B 35/00.  [3]
 C30B 1/00 - 
C30B 5/00
Croissance des monocristaux à partir des solides ou des gels  [3]
 C30B 1/00
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide (démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes C30B 3/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 1/02
·  par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte (C30B 1/12 a priorité)  [3]
 C30B 1/04
·  ·  Recristallisation isothermique  [3]
 C30B 1/06
·  ·  Recristallisation dans un gradient de température  [3]
 C30B 1/08
·  ·  ·  Recristallisation par zone  [3]
 C30B 1/10
·  par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase  [3]
 C30B 1/12
·  par traitement sous pression pendant la croissance  [3]
 C30B 3/00
Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes  [3]
 C30B 5/00
Croissance des monocristaux à partir de gels (sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 5/02
·  avec addition d'un matériau de dopage  [3]
 C30B 7/00 - 
C30B 21/00
Croissance des monocristaux à partir de liquides; Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques  [3]
 C30B 7/00
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses (à partir de solvants fondus C30B 9/00; par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 7/02
·  par évaporation du solvant  [3]
 C30B 7/04
·  ·  en utilisant des solvants aqueux  [3]
 C30B 7/06
·  ·  en utilisant des solvants non aqueux  [3]
 C30B 7/08
·  par refroidissement de la solution  [3]
 C30B 7/10
·  par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques  [3]
 C30B 7/12
·  par électrolyse  [3]
 C30B 7/14
·  le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques  [3]
 C30B 9/00
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus (par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; par fusion de zone C30B 13/00; par tirage du cristal C30B 15/00; sur un germe cristallin immergé C30B 17/00; par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide C30B 19/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 9/02
·  par évaporation du solvant fondu  [3]
 C30B 9/04
·  par refroidissement du bain  [3]
 C30B 9/06
·  ·  en utilisant un des constituants du cristal solvant  [3]
 C30B 9/08
·  ·  en utilisant d'autres solvants  [3]
 C30B 9/10
·  ·  ·  Solvants métalliques  [3]
 C30B 9/12
·  ·  ·  Solvants formés de sels, p.ex. croissance dans un fondant  [3]
 C30B 9/14
·  par électrolyse  [3]
 C30B 11/00
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 ont priorité; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 11/02
·  sans solvant (C30B 11/06 a priorité)  [3]
 C30B 11/04
·  en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 11/06
·  ·  au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté  [3]
 C30B 11/08
·  ·  tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation  [3]
 C30B 11/10
·  ·  ·  Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil  [3]
 C30B 11/12
·  ·  ·  Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide  [3]
 C30B 11/14
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
 C30B 13/00
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone (C30B 17/00 a priorité; par changement de la section transversale du solide traité C30B 15/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00; affinage par fusion de zone de matériaux spécifiques, voir les sous-classes appropriées pour ces matériaux)  [3]
 C30B 13/02
·  Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p.ex. procédé par déplacement du solvant  [3]
 C30B 13/04
·  Homogénéisation par nivellement de zone  [3]
 C30B 13/06
·  la zone fondue ne s'étendant pas à toute la section transversale  [3]
 C30B 13/08
·  en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 13/10
·  ·  avec addition d'un matériau de dopage  [3]
 C30B 13/12
·  ·  ·  à l'état de gaz ou de vapeur  [3]
 C30B 13/14
·  Creusets ou récipients  [3]
 C30B 13/16
·  Chauffage de la zone fondue  [3]
 C30B 13/18
·  ·  l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue  [3]
 C30B 13/20
·  ·  par induction, p.ex. technique du fil chaud (C30B 13/18 a priorité; bobines d'induction H05B 6/36)  [3]
 C30B 13/22
·  ·  par irradiation ou par décharge électrique  [3]
 C30B 13/24
·  ·  ·  en utilisant des radiations électromagnétiques  [3]
 C30B 13/26
·  Agitation de la zone fondue  [3]
 C30B 13/28
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 13/30
·  ·  Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal  [3]
 C30B 13/32
·  Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage  [3]
 C30B 13/34
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
 C30B 15/00
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 15/02
·  en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 15/04
·  ·  avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n—p  [3]
 C30B 15/06
·  Tirage non vertical  [3]
 C30B 15/08
·  Tirage vers le bas  [3]
 C30B 15/10
·  Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu  [3]
 C30B 15/12
·  ·  Méthodes utilisant un creuset double  [3]
 C30B 15/14
·  Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé  [3]
 C30B 15/16
·  ·  par irradiation ou par décharge électrique  [3]
 C30B 15/18
·  ·  en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier  [3]
 C30B 15/20
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 15/22
·  ·  Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal  [3]
 C30B 15/24
·  ·  ·  en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface C30B 15/34)  [3]
 C30B 15/26
·  ·  ·  en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X  [3]
 C30B 15/28
·  ·  ·  en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation  [3]
 C30B 15/30
·  Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation C30B 15/28)  [3]
 C30B 15/32
·  Porte-germe, p.ex. mandrins  [3]
 C30B 15/34
·  Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage  [3]
 C30B 15/36
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
 C30B 17/00
Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 a priorité)  [3]
 C30B 19/00
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide  [3]
 C30B 19/02
·  en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants  [3]
 C30B 19/04
·  ·  le solvant étant un constituant du cristal  [3]
 C30B 19/06
·  Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat  [3]
 C30B 19/08
·  Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat  [3]
 C30B 19/10
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 19/12
·  caractérisée par le substrat  [3]
 C30B 21/00
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques  [3]
 C30B 21/02
·  par simple coulée ou par solidification dans un gradient de température  [3]
 C30B 21/04
·  par fusion de zone  [3]
 C30B 21/06
·  par tirage à partir d'un bain fondu  [3]
 C30B 23/00 - 
C30B 25/00
Croissance des monocristaux à partir de vapeurs  [3]
 C30B 23/00
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé  [3]
 C30B 23/02
·  Croissance d'une couche épitaxiale  [3]
 C30B 23/04
·  ·  Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques  [3]
 C30B 23/06
·  ·  Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer  [3]
 C30B 23/08
·  ·  par condensation de vapeurs ionisées (par pulvérisation réactive C30B 25/06)  [3]
 C30B 25/00
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur  [3]
 C30B 25/02
·  Croissance d'une couche épitaxiale  [3]
 C30B 25/04
·  ·  Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques  [3]
 C30B 25/06
·  ·  par pulvérisation réactive  [3]
 C30B 25/08
·  ·  Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet  [3]
 C30B 25/10
·  ·  Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat  [3]
 C30B 25/12
·  ·  Porte-substrat ou supports  [3]
 C30B 25/14
·  ·  Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs  [3]
 C30B 25/16
·  ·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 25/18
·  ·  caractérisée par le substrat  [3]
 C30B 25/20
·  ·  ·  le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale  [3]
 C30B 25/22
·  ·  Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces  [3]
 C30B 27/00
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur  [3]
 C30B 27/02
·  par tirage à partir d'un bain fondu  [3]
 C30B 29/00
Monocristaux caractérisés par leur matériau ou leur forme  [3]
 C30B 29/00

Note(s)

Dans les groupes C30B 29/02-C30B 29/58, sauf indication contraire, une composition est classée à la dernière place appropriée.  [3]

 C30B 29/02
·  Eléments  [3]
 C30B 29/04
·  ·  Diamant  [3]
 C30B 29/06
·  ·  Silicium  [3]
 C30B 29/08
·  ·  Germanium  [3]
 C30B 29/10
·  Composés minéraux ou compositions minérales  [3]
 C30B 29/12
·  ·  Halogénures  [3]
 C30B 29/14
·  ·  Phosphates  [3]
 C30B 29/16
·  ·  Oxydes  [3]
 C30B 29/18
·  ·  ·  Quartz  [3]
 C30B 29/20
·  ·  ·  Oxydes d'aluminium  [3]
 C30B 29/22
·  ·  ·  Oxydes complexes  [3]
 C30B 29/24
·  ·  ·  ·  de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. orthoferrites  [3]
 C30B 29/26
·  ·  ·  ·  de formule BMe2O4, dans laquelle B est Mg, Ni, Co, Al, Zn ou Cd et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al  [3]
 C30B 29/28
·  ·  ·  ·  de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. grenats  [3]
 C30B 29/30
·  ·  ·  ·  Niobates; Vanadates; Tantalates  [3]
 C30B 29/32
·  ·  ·  ·  Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates  [3]
 C30B 29/34
·  ·  Silicates  [3]
 C30B 29/36
·  ·  Carbures  [3]
 C30B 29/38
·  ·  Nitrures  [3]
 C30B 29/40
·  ·  Composés AIIIBV  [3]
 C30B 29/42
·  ·  ·  Arséniure de gallium  [3]
 C30B 29/44
·  ·  ·  Phosphure de gallium  [3]
 C30B 29/46
·  ·  Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure  [3]
 C30B 29/48
·  ·  ·  Composés AIIBVI  [3]
 C30B 29/50
·  ·  ·  ·  Sulfure de cadmium  [3]
 C30B 29/52
·  ·  Alliages  [3]
 C30B 29/54
·  Composés organiques  [3]
 C30B 29/56
·  ·  Tartrates  [3]
 C30B 29/58
·  ·  Composés macromoléculaires  [3]
 C30B 29/60
·  caractérisés par la forme  [3]
 C30B 29/62
·  ·  Aiguilles ou "whiskers"  [3]
 C30B 31/00 - 
C30B 33/00
Post-traitement des monocristaux  [3]
 C30B 31/00
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux; Appareils à cet effet  [3]
 C30B 31/02
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état solide  [3]
 C30B 31/04
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état liquide  [3]
 C30B 31/06
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux (C30B 31/18 a priorité)  [3]
 C30B 31/08
·  ·  la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser  [3]
 C30B 31/10
·  ·  Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet  [3]
 C30B 31/12
·  ·  Chauffage de l'enceinte de réaction  [3]
 C30B 31/14
·  ·  Porte-substrat ou supports  [3]
 C30B 31/16
·  ·  Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz  [3]
 C30B 31/18
·  ·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 31/20
·  Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire  [3]
 C30B 31/22
·  ·  par implantation d'ions  [3]
 C30B 33/00
Post-traitement des monocristaux (C30B 31/00 a priorité; meulage, polissage B24; travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux B28D 5/00)  [3]
 C30B 35/00
Appareillages en général, spécialement adaptés pour la mise en oeuvre des procédés de croissance, de diffusion ou de dopage des monocristaux  [3]