utilisant des éléments d'emmagasinage à simple ouverture; utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage
G11C 11/061
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utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive [2]
G11C 11/063
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organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c.à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture [2]
G11C 11/065
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organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c.à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture [2]
G11C 11/067
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utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive [2]
G11C 11/08
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utilisant des éléments d'emmagasinage à ouvertures multiples, p.ex. utilisant des transfluxors; utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples (Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/10 a priorité; utilisant des plaques à ouvertures multiples dans lesquelles chaque ouverture individuelle forme un élément d'emmagasinage Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/06) [2]
G11C 11/10
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utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux
G11C 11/12
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utilisant des tensors, utilisant des twistors, c.à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu
utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil [2]
G11C 11/38
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utilisant des diodes tunnels [2]
G11C 11/40
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utilisant des transistors [2]
G11C 11/42
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utilisant des éléments électro-optiques [2]
G11C 11/44
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utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons [2]
G11C 11/46
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utilisant des éléments thermoplastiques
G11C 11/48
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utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire ou y est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c.à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu (dans lesquelles l'information est adressée à un endroit spécifique Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/00) [2]
G11C 15/02
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utilisant des éléments magnétiques [2]
G11C 15/04
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utilisant des éléments semi-conducteurs [2]
G11C 15/06
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utilisant des éléments cryogéniques [2]
G11C 17/00
Mémoires permanentes avec des dispositions pour ne lire que l'information, c.à d. mémoires mortes; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main (codage, décodage ou conversion de code, en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...H03M) [2]
G11C 17/02
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utilisant des éléments ou des couplages magnétiques ou inductifs [2]
utilisant des éléments opto-électroniques, c.à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement [2]
utilisant des lignes à retard électromécaniques, p.ex. utilisant un réservoir à mercure
G11C 23/00
Mémoires numériques caractérisées par le mouvement de pièces mécaniques pour effectuer l'emmagasinage, p.ex. en utilisant des billes; Eléments d'emmagasinage correspondants (emmagasinage par actionnement de contacts Fulltext... Hierarchy... Expanded...G11C 11/48)
G11C 25/00
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation de milieux fluides; Eléments d'emmagasinage correspondants
G11C 27/00
Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées