H
SECTION H — ELECTRICITE
 H01
ELEMENTS ELECTRIQUES FONDAMENTAUX
 H01

Note(s)

Les procédés ne relevant que d'une seule technique, p.ex. séchage, revêtement, prévue quelque part dans la Classification doivent être classés dans la classe correspondante de cette technique.

 H01L
DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS (conçus en qualité de sources de lumière électroluminescentes H05B 33/00; dispositifs électrolytiques H01G 9/00; éléments thermoélectriques H01V 1/00, H01V 3/00)
 H01L

Note(s)

Les dispositifs à semi-conducteurs tels qu'ils sont interprétés dans cette sous-classe comportent, par inhérence, au moins une barrière de potentiel, indispensable au fonctionnement requis du dispositif, et séparant des régions de types de conductivité différents, une des régions au moins présentant un type de conductivité P, P+, N, N+, I ou S.

 H01L 1/00
Détails de dispositifs à semi-conducteurs
 H01L 1/02
·  Enveloppes (assemblages d'au moins-deux dispositifs à semi-conducteurs H01L 1/16); Fenêtres; empoi de substances spécifiées comme matière de remplissage; Capsulation
 H01L 1/04
·  ·  caractérisées par le matériau constituant l'enveloppen ou la fenêtre
 H01L 1/06
·  ·  Enveloppes, dans lesquelles le dispositif à semi-conducteurs est monté directement et conductivement sur la paroi de l'enveloppe, p.ex. pour dispositifs de puissance
 H01L 1/08
·  ·  Enveloppes dont toutes les parois sont constituées entièrement isolant, p.ex. enveloppes entièrement en verre
 H01L 1/10
·  ·  Emploi de substances spécifiées comme matière de remplissage, p.ex. gaz; Scellement ou capsulation; Couches de protection; Moyens d'absorption de l'humidité ou du gaz
 H01L 1/12
·  Dispositifs de réfrigération (par la structure de l'enveloppe ou par des éléments constitutifs fixés à l'enveloppe H01L 1/02, H01L 1/16; utilisant des garnitures ou une matière de remplissage H01L 1/10); Dispositifs de chauffage; Dispositifs d'aération
 H01L 1/14
·  Dispositifs de connexion; Dispositions de bornes
 H01L 1/16
·  Assemblage d'au moins deux dispositifs à semi/conducteurs
 H01L 1/18
·  ·  les dispositifs n'ayant pas d'enveloppes indépendantes
 H01L 1/20
·  ·  ·  Dispositifs percés montés sur tiges ou barreaux qui traversent les perforations
 H01L 1/22
·  ·  ·  Systèmes de dispositifs empilés non percés
 H01L 1/24
·  Circuits non adaptés à une application particulière du dispositif à semi-conducteurs, p.ex. pour compensation thermique
 H01L 3/00
Dispositifs à semi-conducteurs, caractérisés par le matériau de la région or des régions du type de conductivité P, P+, N, N+, I ou S; Emploi de matériaux semi-conducteurs, spécifiques du type de conductivité P, P+, N, N+, I ou S; Dispositifs à semi-conducteurs, caractérisés en outre par le matériau d'une électrode de contact qui agit en commun avec un corps présentant une conductivité du type P, P+, N, N+, I ou S; Dispositifs à semi-conducteurs, caractérisés en outre par le matériau d'une ou de plusieurs couches isolantes distinctes, disposées entre ledit corps semi-conducteur et ladite électrode de contact
 H01L 3/02
·  comprenant, comme matéirau fondamental, des éléments appartenant exclusivement au sixième groupe du système périodique, p.ex. le sélénium, le tellure
 H01L 3/04
·  ·  utilisant le sélénium en couche ou superposition de couches
 H01L 3/06
·  ·  caractérisé par le matériau de la plaque de support
 H01L 3/08
·  ·  caractérisé par le matériau de la contre- électrode
 H01L 3/10
·  ·  caractérisé par le matériau de la surface de barrière non active
 H01L 3/12
·  comprenant, comme matériau fondamental, des éléments appartinant exclusivement au quatrième groupe du système périodique, dopage
 H01L 3/14
·  ·  caractérisés en outre par le matériau de dopage]
 H01L 3/16
·  comprenant, comme matériau fondamental, exclusivement des composés inorganiques
 H01L 3/18
·  ·  comprenant de l'oxyde cuivreux; comprenant de l'iodure cuivreux
 H01L 3/20
·  ·  comprenant des composés du type AIIIBV, AIIBVI ou AIBVII (comprenant l'iodure cuivreux H01L 3/18)
 H01L 3/22
·  ·  ·  caractérisés en outre par le matériau de dopage
 H01L 3/24
·  comprenant uniquement des composés organiques comme matériau fondamental
 H01L 5/00
Dispositifs à semi-conducteurs, caractérisés par la forme du corps semi-conducteur du type de conductivité P, P+, N, N+, I ou S, par la distribution spatiale des régions de différents types de conductivité dans ce corps ou par la forme de l'électrode de contact ou de la couche isolante, disposée entre ledit corps semi-conducteur et ladite électrode de contact
 H01L 5/02
·  Forme de l'électrode de contact ou de la partie du corps semi-conducteur associée
 H01L 5/04
·  ·  pour électrodes à pointe de contact ou à lame de contact
 H01L 5/06
·  ·  comprenant une couche isolante entre l'électrode de contact et le corps semi-conducteur
 H01L 7/00
Dispositif à semi-conducteurs, caractérisés par la manière dont ils sont produits ou traités; Appareils ou procédés exclusivement adaptés à la fabrication ou la traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de parties constitutives de ceux-ci (un stade particulier de procédés de fabrication entièrement compris dans une seule sous-classe est classé dans cette sous-classe)
 H01L 7/02
·  Production de barrières de potentiel ou de jonctions redresseuses aux régions de conductivité du type P, P+, N, N +, I ou S; Production de connexions aux régions de conductivité du type P, P+, N, N+, I ou S, p.ex. au moyen d'une région intermédiaire du type de conductivité N+ ou P+, de manière à priver la connexion de propriétés redresseuses, c.à d. production de contacts ohmiques; Procédés combinés, y compris la disposition pour produire la barrière de potentiel
 H01L 7/04
·  ·  pour dispositifs comprenant du sélénium ou du tellure sous sa forme élémentaire
 H01L 7/06
·  ·  ·  Préparation de la plaque de support
 H01L 7/08
·  ·  ·  Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application du sélénium ou du tellure à la plaque de support, ou traitement subséquent de cette combinaison
 H01L 7/10
·  ·  ·  ·  Conversion; de l'état de sélénium ou du tellure en état conducteur
 H01L 7/12
·  ·  ·  ·  Traitement de la surface de la couche de sélénium après l'avoir rendue conductrice
 H01L 7/14
·  ·  ·  ·  Production de barrières de surface isolantes discrètes, c.à d. de barrières de surface non actives
 H01L 7/16
·  ·  ·  Application d'une électrode à la surface libre de l'élément en sélénium ou en tellure après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support
 H01L 7/18
·  ·  ·  Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage
 H01L 7/20
·  ·  ·  ·  utilisant un procédé de vieillissement artificiel
 H01L 7/22
·  ·  pour dispositifs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux
 H01L 7/24
·  ·  ·  Préparation de la plaque de support
 H01L 7/26
·  ·  ·  Application d'une électrode à la surface libre d'oxyde cuivreux ou d'iodure cuivreux après la formation de l'oxyde ou de l'iodure
 H01L 7/28
·  ·  ·  Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage
 H01L 7/30
·  ·  ·  ·  utilisant un procédé de vieillissement artificiel
 H01L 7/32
·  ·  pour dispositifs comprenant un matériau fondamental autre que le sélénium élémentaire, le tellure élémentaire, le tellure élémentaire, l'oxyde cuivreux ou l'iodure cuivreux
 H01L 7/34
·  ·  ·  pour dispositifs comprenant du germanium élémentaire ou du silicium élémentaire ou un composé AIIIBV comme matériau fondamental
 H01L 7/36
·  ·  ·  ·  utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensé solide
 H01L 7/38
·  ·  ·  ·  utilisant la croissance d'un germe cristallin stationnaire pendant la fusion
 H01L 7/40
·  ·  ·  ·  utilisant le tirage du cristal à partir d'une fusion
 H01L 7/42
·  ·  ·  ·  utilisant la fusion par zones
 H01L 7/44
·  ·  ·  ·  utilisant la diffusion, à partir d'une phase gazeuse, dans un solide
 H01L 7/46
·  ·  ·  ·  utilisant la fusion et l'alliage partiel d'un matériau solide superposé à un autre
 H01L 7/48
·  ·  ·  ·  ·  les matériaux étant chauffés par un courant électrique qui les traverse, p.ex. aux fins d'application d'électrodes de contact
 H01L 7/50
·  ·  ·  ·  utilisant le décapage non électrique, la corrosion ou l'érosion
 H01L 7/52
·  ·  ·  ·  utilisant le dépôt électrolytique ou le décapage électrolytique
 H01L 7/54
·  ·  ·  ·  utilisant le bombardement à électrons ou à particules nucléaires
 H01L 7/56
·  ·  ·  ·  utilisant un procédé d'électroformage (avec fusion H01L 7/48)
 H01L 7/58
·  ·  ·  ·  utilisant un procédé de vieillissement artificiel
 H01L 7/60
·  ·  ·  ·  Mise en position des électrodes de contact au cours de la fabrication du dispositif
 H01L 7/62
·  ·  ·  pour dispositifs comprenant un matériau fondamental autre que le germanium élémentaire ou le silicium élémentaire ou un composé AIIIBV
 H01L 7/64
·  Fabrication simultanée ou séquentielle d'une pluralité de pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou de parties constitutives de ceux-ci
 H01L 7/66
·  ·  Division d'une grosse pièce de matériau sans qu'il en résulte une altération des propriétés de la région ou des régions de conductivité du type P, P+, N, N+, I ou S quelle possède
 H01L 7/68
·  ·  Machines ou appareils pour la fabrication d'une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou de parties constitutives de ceux-ci par un système simultané ou par un système à poste d'opération séquentiels
 H01L 9/00 - 
H01L 19/00
Dispositifs caractérisés par leur structure
 H01L 9/00
Dispositifs à semi-conducteurs sans électrode de commande indépendante, p.ex. diode redresseuse ou commutatrice, diode de Zener (diodes à base double H01L 11/14)
 H01L 9/02
·  Dispositifs à couche de sélénium élémentaire ou de tellure élémentaire; Dispositifs à couche d'oxyde cuivreux ou d'iodure cuivreux ou d'iodure cuivreux
 H01L 9/04
·  ·  dont les électrodes sont percées aux surfaces traversées par le courant en vue de faciliter le montage ou l'assemblage du dispositif
 H01L 9/06
·  Diodes multiples à une électrode commune
 H01L 9/08
·  Dispositifs à pointes de contact
 H01L 9/10
·  Dispositifs comprenant une région du Type de conductivité I ou S
 H01L 9/12
·  Dispositifs comprenant plus d'une jonction PN, p.ex. redresseur à structure PNPN
 H01L 11/00
Dispositifs à semi-conducteurs à trois électrodes dont une est susceptible d'être utilisé en qualité d'électrode de commande du courant passant entre les deux autres
 H01L 11/02
·  Transistors comprenant une ou deux électrodes à pointe de contact
 H01L 11/04
·  ·  Transistors comprenant deux électrodes à pointe de contact
 H01L 11/06
·  Transistors ou autres dispositifs sans électrode à pointe de contact
 H01L 11/08
·  ·  comprenant une région de conductivité du type I ou S
 H01L 11/10
·  ·  à structure PNPN, p.ex. transistors à collecture "en crochet", redresseur à structure PNPN et électrode de commande
 H01L 11/12
·  ·  Transistors à champ interne
 H01L 11/14
·  ·  Diodes à base double; Transistors analogues; Dispositifs à semi-conducteurs à effet de champ (fieldistors H01C 7/14)
 H01L 13/00
Dispositifs à semi-conducteurs à plus de trois électrodes (dispositifs multiples à deux ou troisélectrodes sans interaction entre les parties indépendantes du dispositif H01L 9/00, H01L 11/00)
 H01L 13/02
·  à une ou plusieurs électrodes à pointe de contact
 H01L 13/04
·  Transistors à double
 H01L 15/00
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles à la chaleur rayonnante, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes courtes ou au rayonnement corpusculaire, et conçus soit en qualité de convertisseurs de l'energie dudit rayonnement en énergie électrique, soit en qualité de dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
 H01L 15/02
·  fonctionnant en dispositifs convertisseurs, p.ex. dispositif photo-voltaïque
 H01L 15/04
·  ·  associés structuralement à un dispositif à conductivité unidirectionnelle, p.ex. pour utilisation dans une pile solaire
 H01L 15/06
·  fonctionnant en dispositifs de commande, p.ex. dispositifs photoconducteurs (dispositifs photorésistants H01C 7/08)
 H01L 15/08
·  ·  Dispositifs à pointe de contact, p.ex. phototransistor à pointes de contact
 H01L 17/00
Dispositifs à semi-conducteurs fonctionnant en amplificateurs d'image ou convertisseurs d'image
 H01L 19/00
Circuits intégrés monolithitisques comportant au moins un dipositif à semi-conducteurs ou une pièce de matériau présentant une conductivité semi-conductrice (fabrication de dispositifs à semi-conducteurs individuels H01L 7/00; technique des circuits imprimés H05K 1/00, H05K 3/00)