|  | C |
SECTION C — CHIMIE; MÉTALLURGIE

|  | C |
Note(s) Dans la section C, les définitions des groupes des éléments chimiques sont les suivantes: Métaux alcalins: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr Métaux alcalino-terreux: Ca, Sr, Ba, Ra Lanthanides: éléments ayant un numéro atomique de 57 à 71 inclus Terres rares: Sc, Y, lanthanides Actinides: éléments ayant un numéro atomique de 89 à 103 inclus Métaux réfractaires: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W Halogènes: F, Cl, Br, I, At Gaz nobles: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn Groupe du platine: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd Métaux nobles: Ag, Au, groupe du platine Métaux légers: métaux alcalins, métaux alcalino-terreux, Be, Al, Mg Métaux lourds: métaux autres que les métaux légers Groupe du fer: Fe, Co, Ni Non-métaux: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gaz nobles, halogènes Métaux: éléments autres que les non-métaux Éléments de transition: éléments ayant les numéros atomiques 21 à 30 inclus, 39 à 48 inclus, 57 à 80 inclus, 89 et au-dessus La section C couvre : la chimie pure, qui couvre les composés de la chimie inorganique, de la chimie organique, de la chimie des macromolécules et leurs procédés de préparation; la chimie appliquée, qui couvre les compositions contenant ces composés, telles que: verre, céramiques, engrais, matières plastiques, peintures, produits de l'industrie du pétrole. Elle couvre également certaines compositions dans la mesure où elles sont dotées de propriétés particulières applicables pour un but déterminé, comme c'est le cas des: explosifs, colorants, adhésifs, lubrifiants et détergents; certaines industries marginales, telles que celles du coke et des combustibles solides ou gazeux, de la production et du raffinage des corps gras et des cires, de la fermentation (bière, vin), du sucre; certaines opérations ou traitements, soit par procédés purement mécaniques, p.ex. le traitement des cuirs et des peaux, soit par procédés en partie mécaniques, p.ex. le traitement des eaux ou la lutte contre la corrosion en général; la métallurgie, les alliages ferreux ou non ferreux. Dans toutes les sections de la CIB, sauf indication contraire, les références à la classification périodique des éléments chimiques renvoient à celle qui comporte 8 groupes telle que figurée dans le tableau ci-dessous. Par exemple, le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C07F 3/00 "Composés contenant des éléments du second groupe de la classification périodique" concerne les éléments des colonnes IIa et IIb. [2009.01] En règle générale, la partie ou l'aspect chimique de toute opération, traitement, produit ou objet, qui comporte également une partie ou un aspect non chimique, est couvert par la section C. Dans certains de ces cas, la section C traite également de la partie non chimique, voir même purement mécanique, soit que ce dernier aspect constitue l'essentiel d'une opération ou d'un traitement, soit qu'il en constitue un élément important, parce qu'il a paru plus rationnel de ne pas dissocier les différents aspects ou phases d'un même ensemble cohérent. C'est le cas de la chimie appliquée et des industries, des opérations ou des traitements mentionnés dans les notes 1.c), d) et e). C'est ainsi, par exemple, que les fours pour la fabrication du verre sont couverts par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C03 et non par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F27. Dans d'autres cas toutefois, et pour la même raison, il ne faut pas dissocier un ensemble cohérent. Certains aspects purement chimiques sont entièrement traités en dehors de la section C, comme par exemple: Certains procédés d'extraction de Fulltext... Hierarchy... Expanded...A61K; La purification chimique de l'air de Fulltext... Hierarchy... Expanded...A61L; Les procédés chimiques de lutte contre l'incendie de Fulltext... Hierarchy... Expanded...A62D; Les procédés et appareils chimiques de Fulltext... Hierarchy... Expanded...B01; L'imprégnation du bois de Fulltext... Hierarchy... Expanded...B27K; Les méthodes chimiques de recherche et d'analyse de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G01N; Les composés et procédés chimiques de photographie de Fulltext... Hierarchy... Expanded...G03, et, d'une façon générale, le traitement chimique des textiles, la production de la cellulose et du papier de la section D. Dans d'autres cas enfin, tandis que la partie purement chimique est couverte par la section C, l'aspect de la chimie appliquée est couvert par d'autres sections de la CIB, notamment par les sections A, B ou F, p.ex. l'utilisation d'une substance ou d'une composition pour: le traitement des animaux ou des plantes, couvert par la sous-classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...A01N; le traitement des produits alimentaires, couvert par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...A23; les munitions ou explosifs, couverts par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...F42. Lorsque les éléments ou les processus mécaniques et chimiques sont trop imbriqués pour qu'un partage net et aisé soit possible, ou encore que certains procédés mécaniques constituent la suite naturelle ou logique d'un traitement chimique, il arrive que la section C couvre, outre la partie chimique, uniquement une partie de l'aspect ou de l'élément mécanique, comme par exemple le post-traitement de la pierre artificielle qui est couvert par la classe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C04. Dans ce cas, une note ou un renvoi précise généralement le partage, même si celui-ci est quelquefois assez arbitraire.

MÉTALLURGIE

|  | C30 |
CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...B01D 9/00) [3]

|  | C30B |
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants Fulltext... Hierarchy... Expanded...B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22B); PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages Fulltext... Hierarchy... Expanded...B22D; façonnage des matières plastiques Fulltext... Hierarchy... Expanded...B29; modification de la structure physique de métaux ou alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C21D, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22F); MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives Fulltext... Hierarchy... Expanded...H01L); APPAREILLAGES À CET EFFET [3]

|  | C30B |
Note(s) Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée: "monocristal" comprend aussi les macles et les produits à prédominance monocristalline; [3] "matériau polycristallin homogène" désigne un matériau à grains cristallins ayant tous la même composition chimique; [5] "structure déterminée" désigne la structure d'un matériau dont les grains sont orientés de façon préférentielle ou ont des dimensions supérieures à celles normalement obtenues. [5] Dans la présente sous-classe: la préparation des monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, de composition ou de formes particulières est classée dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 29/00; [3] un appareillage spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareillage pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 35/00. [3]

|  | C30B |
Schéma général
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX |
à partir de solides ou de gels | 1/00, 3/00, 5/00
à partir de liquides | 7/00 - 21/00, 27/00
à partir de vapeurs | 23/00, 25/00
PRODUCTION DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE | 28/00, 30/00
MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE, CARACTÉRISÉS PAR LEUR MATÉRIAU OU LEUR FORME | 29/00
POST-TRAITEMENT | 31/00, 33/00
APPAREILLAGE | 35/00

|  | C30B 1/00 - C30B 5/00 |
Croissance des monocristaux à partir des solides ou des gels [3]

P:80 |  | C30B 1/00 |
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide (démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 3/00; sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

P:60 |  | C30B 3/00 |
Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes [3]

P:70 |  | C30B 5/00 |
Croissance des monocristaux à partir de gels (sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

|  | C30B 7/00 - C30B 21/00 |
Croissance des monocristaux à partir de liquides; Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques [3]

P:160 |  | C30B 7/00 |
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses (à partir de solvants fondus Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 9/00; par simple solidification ou dans un gradient de température Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 11/00; sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

P:150 |  | C30B 9/00 |
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus (par simple solidification ou dans un gradient de température Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 11/00; par fusion de zone Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 13/00; par tirage du cristal Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/00; sur un germe cristallin immergé Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 17/00; par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 19/00; sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

P:140 |  | C30B 11/00 |
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger (Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 13/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 17/00, Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 19/00 ont priorité; sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

P:130 |  | C30B 13/00 |
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone (Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 17/00 a priorité; par changement de la section transversale du solide traité Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/00; sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00; croissance de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 28/00; affinage par fusion de zone de matériaux spécifiques, voir les sous-classes appropriées pour ces matériaux) [3,5]

P:110 |  | C30B 15/00 |
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 27/00) [3]

|  | C30B 15/02 |
· | en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

|  | C30B 15/06 |
· | Tirage non vertical [3]

|  | C30B 15/08 |
· | Tirage vers le bas [3]

|  | C30B 15/10 |
· | Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu [3]

|  | C30B 15/14 |
· | Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé [3]

|  | C30B 15/20 |
· | Commande ou régulation (commande ou régulation en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...G05) [3]

|  | C30B 15/30 |
· | Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/20) [3]

|  | C30B 15/32 |
· | Porte-germe, p.ex. mandrins [3]

|  | C30B 15/34 |
· | Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage [3]

|  | C30B 15/36 |
· | caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]

P:120 |  | C30B 17/00 |
Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 15/00 a priorité) [3]

P:100 |  | C30B 19/00 |
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide [3]

P:90 |  | C30B 21/00 |
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques [3]

|  | C30B 23/00 - C30B 25/00 |
Croissance des monocristaux à partir de vapeurs [3]

P:180 |  | C30B 23/00 |
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé [3]

|  | C30B 23/02 |
· | Croissance d'une couche épitaxiale [3]

|  | C30B 23/08 |
· · | par condensation de vapeurs ionisées (par pulvérisation réactive Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 25/06) [3]

P:170 |  | C30B 25/00 |
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur [3]

|  | C30B 25/02 |
· | Croissance d'une couche épitaxiale [3]

|  | C30B 25/04 |
· · | Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques [3]

|  | C30B 25/06 |
· · | par pulvérisation réactive [3]

|  | C30B 25/08 |
· · | Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet [3]

|  | C30B 25/10 |
· · | Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat [3]

|  | C30B 25/12 |
· · | Porte-substrat ou supports [3]

|  | C30B 25/14 |
· · | Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs [3]

|  | C30B 25/16 |
· · | Commande ou régulation (commande ou régulation en général Fulltext... Hierarchy... Expanded...G05) [3]

|  | C30B 25/18 |
· · | caractérisée par le substrat [3]

P:50 |  | C30B 27/00 |
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur [3]

P:40 |  | C30B 28/00 |
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [5]

P:20 |  | C30B 29/00 |
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme (alliages Fulltext... Hierarchy... Expanded...C22C) [3,5]

|  | C30B 29/02 - C30B 29/54 |
Note(s) Dans les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 29/02-C30B 29/54, sauf indication contraire, une composition est classée à la dernière place appropriée. [3]

|  | C30B 29/02 |
· | Eléments [3]

|  | C30B 29/04 |
· · | Diamant [3]

|  | C30B 29/06 |
· · | Silicium [3]

|  | C30B 29/08 |
· · | Germanium [3]

|  | C30B 29/10 |
· | Composés inorganiques ou compositions inorganiques [3]

|  | C30B 29/54 |
· | Composés organiques [3]

P:30 |  | C30B 30/00 |
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques [5]

|  | C30B 30/00 |
Note(s) Lors du classement dans le présent groupe, un classement dans les groupes Fulltext... Hierarchy... Expanded...Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 1/00-C30B 28/00 est également attribué en fonction du procédé de croissance des cristaux. [5]

|  | C30B 31/00 - C30B 33/00 |
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]

P:0 |  | C30B 31/00 |
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet [3,5]

P:10 |  | C30B 33/00 |
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée (Fulltext... Hierarchy... Expanded...C30B 31/00 a priorité; meulage, polissage Fulltext... Hierarchy... Expanded...B24; travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux Fulltext... Hierarchy... Expanded...B28D 5/00) [3,5]

P:190 |  | C30B 35/00 |
Appareillages en général, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]