C
SECTION C — CHIMIE; MÉTALLURGIE
 C

Note(s)

  1. Dans la section C, les définitions des groupes des éléments chimiques sont les suivantes:

    Métaux alcalins: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr

    Métaux alcalino-terreux: Ca, Sr, Ba, Ra

    Lanthanides: éléments ayant un numéro atomique de 57 à 71 inclus

    Terres rares: Sc, Y, lanthanides

    Actinides: éléments ayant un numéro atomique de 89 à 103 inclus

    Métaux réfractaires: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W

    Halogènes: F, Cl, Br, I, At

    Gaz nobles: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn

    Groupe du platine: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd

    Métaux nobles: Ag, Au, groupe du platine

    Métaux légers: métaux alcalins, métaux alcalino-terreux, Be, Al, Mg

    Métaux lourds: métaux autres que les métaux légers

    Groupe du fer: Fe, Co, Ni

    Non-métaux: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, gaz nobles, halogènes

    Métaux: éléments autres que les non-métaux

    Éléments de transition: éléments ayant les numéros atomiques 21 à 30 inclus, 39 à 48 inclus, 57 à 80 inclus, 89 et au-dessus

  2. La section C couvre:
    1. la chimie pure, qui couvre les composés de la chimie inorganique, de la chimie organique, de la chimie des macromolécules et leurs procédés de préparation;
    2. la chimie appliquée, qui couvre les compositions contenant ces composés, telles que: verre, céramiques, engrais, matières plastiques, peintures, produits de l'industrie du pétrole. Elle couvre également certaines compositions dans la mesure où elles sont dotées de propriétés particulières applicables pour un but déterminé, comme c'est le cas des: explosifs, colorants, adhésifs, lubrifiants et détergents;
    3. certaines industries marginales, telles que celles du coke et des combustibles solides ou gazeux, de la production et du raffinage des corps gras et des cires, de la fermentation (bière, vin), du sucre;
    4. certaines opérations ou traitements, soit par procédés purement mécaniques, p.ex. le traitement des cuirs et des peaux, soit par procédés en partie mécaniques, p.ex. le traitement des eaux ou la lutte contre la corrosion en général;
    5. la métallurgie, les alliages ferreux ou non ferreux.
    1. En règle générale, la partie ou l'aspect chimique de toute opération, traitement, produit ou objet, qui comporte également une partie ou un aspect non chimique, est couvert par la section C.
    2. Dans certains de ces cas, la section C traite également de la partie non chimique, voir même purement mécanique, soit que ce dernier aspect constitue l'essentiel d'une opération ou d'un traitement, soit qu'il en constitue un élément important, parce qu'il a paru plus rationnel de ne pas dissocier les différents aspects ou phases d'un même ensemble cohérent. C'est le cas de la chimie appliquée et des industries, des opérations ou des traitements mentionnés dans les notes 1.c), d) et e). C'est ainsi, par exemple, que les fours pour la fabrication du verre sont couverts par la classe C03 et non par la classe F27.
    3. Dans d'autres cas toutefois, et pour la même raison, il ne faut pas dissocier un ensemble cohérent. Certains aspects purement chimiques sont entièrement traités en dehors de la section C, comme par exemple:
    4. Dans d'autres cas enfin, tandis que la partie purement chimique est couverte par la section C, l'aspect de la chimie appliquée est couvert par d'autres sections de la CIB, notamment par les sections A, B ou F, p.ex. l'utilisation d'une substance ou d'une composition pour:
    5. Lorsque les éléments ou les processus mécaniques et chimiques sont trop imbriqués pour qu'un partage net et aisé soit possible, ou encore que certains procédés mécaniques constituent la suite naturelle ou logique d'un traitement chimique, il arrive que la section C couvre, outre la partie chimique, uniquement une partie de l'aspect ou de l'élément mécanique, comme par exemple le post-traitement de la pierre artificielle qui est couvert par la classe C04. Dans ce cas, une note ou un renvoi précise généralement le partage, même si celui-ci est quelquefois assez arbitraire.
  
MÉTALLURGIE
 C30
CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général B01D 9/00)  [3]
 C30B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages C22B); PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages B22D; façonnage des matières plastiques B29; modification de la structure physique de métaux ou alliages C21D, C22F); MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H01L); APPAREILLAGES À CET EFFET  [3]
 C30B

Note(s)

  1. Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée:
    • "monocristal" comprend aussi les macles et les produits à prédominance monocristalline; [3]
    • "matériau polycristallin homogène" désigne un matériau à grains cristallins ayant tous la même composition chimique; [5]
    • "structure déterminée" désigne la structure d'un matériau dont les grains sont orientés de façon préférentielle ou ont des dimensions supérieures à celles normalement obtenues. [5]
  2. Dans la présente sous-classe:
    • la préparation des monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, de composition ou de formes particulières est classée dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe C30B 29/00; [3]
    • un appareillage spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareillage pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe C30B 35/00. [3]
 C30B
Schéma général
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX
à partir de solides ou de gels 1/00, 3/00, 5/00
à partir de liquides 7/00 - 21/00, 27/00
à partir de vapeurs 23/00, 25/00
PRODUCTION DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE 28/00, 30/00
MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE, CARACTÉRISÉS PAR LEUR MATÉRIAU OU LEUR FORME 29/00
POST-TRAITEMENT 31/00, 33/00
APPAREILLAGE 35/00
 C30B 1/00 - 
C30B 5/00
Croissance des monocristaux à partir des solides ou des gels  [3]
P:80 C30B 1/00
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide (démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes C30B 3/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 1/02
·  par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte (C30B 1/12 a priorité)  [3]
 C30B 1/04
·  ·  Recristallisation isothermique  [3]
 C30B 1/06
·  ·  Recristallisation dans un gradient de température  [3]
 C30B 1/08
·  ·  ·  Recristallisation par zone  [3]
 C30B 1/10
·  par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase  [3]
 C30B 1/12
·  par traitement sous pression pendant la croissance  [3]
P:60 C30B 3/00
Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes  [3]
P:70 C30B 5/00
Croissance des monocristaux à partir de gels (sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 5/02
·  avec addition d'un matériau de dopage  [3]
 C30B 7/00 - 
C30B 21/00
Croissance des monocristaux à partir de liquides; Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques  [3]
P:160 C30B 7/00
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses (à partir de solvants fondus C30B 9/00; par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 7/02
·  par évaporation du solvant  [3]
 C30B 7/04
·  ·  en utilisant des solvants aqueux  [3]
 C30B 7/06
·  ·  en utilisant des solvants non aqueux  [3]
 C30B 7/08
·  par refroidissement de la solution  [3]
 C30B 7/10
·  par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques  [3]
 C30B 7/12
·  par électrolyse  [3]
 C30B 7/14
·  le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques  [3]
P:150 C30B 9/00
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus (par simple solidification ou dans un gradient de température C30B 11/00; par fusion de zone C30B 13/00; par tirage du cristal C30B 15/00; sur un germe cristallin immergé C30B 17/00; par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide C30B 19/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 9/02
·  par évaporation du solvant fondu  [3]
 C30B 9/04
·  par refroidissement du bain  [3]
 C30B 9/06
·  ·  en utilisant un des constituants du cristal solvant  [3]
 C30B 9/08
·  ·  en utilisant d'autres solvants  [3]
 C30B 9/10
·  ·  ·  Solvants métalliques  [3]
 C30B 9/12
·  ·  ·  Solvants formés de sels, p.ex. croissance dans un fondant  [3]
 C30B 9/14
·  par électrolyse  [3]
P:140 C30B 11/00
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 ont priorité; sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 11/02
·  sans solvants (C30B 11/06 a priorité)  [3]
 C30B 11/04
·  en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 11/06
·  ·  au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté  [3]
 C30B 11/08
·  ·  tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation  [3]
 C30B 11/10
·  ·  ·  Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil  [3]
 C30B 11/12
·  ·  ·  Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide  [3]
 C30B 11/14
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
P:130 C30B 13/00
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone (C30B 17/00 a priorité; par changement de la section transversale du solide traité C30B 15/00; sous un fluide protecteur C30B 27/00; croissance de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée C30B 28/00; affinage par fusion de zone de matériaux spécifiques, voir les sous-classes appropriées pour ces matériaux)  [3,5]
 C30B 13/02
·  Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p.ex. procédé par déplacement du solvant  [3]
 C30B 13/04
·  Homogénéisation par nivellement de zone  [3]
 C30B 13/06
·  la zone fondue ne s'étendant pas à toute la section transversale  [3]
 C30B 13/08
·  en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 13/10
·  ·  avec addition d'un matériau de dopage  [3]
 C30B 13/12
·  ·  ·  à l'état de gaz ou de vapeur  [3]
 C30B 13/14
·  Creusets ou récipients  [3]
 C30B 13/16
·  Chauffage de la zone fondue  [3]
 C30B 13/18
·  ·  l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue  [3]
 C30B 13/20
·  ·  par induction, p.ex. technique du fil chaud (C30B 13/18 a priorité; bobines d'induction H05B 6/36)  [3]
 C30B 13/22
·  ·  par irradiation ou par décharge électrique  [3]
 C30B 13/24
·  ·  ·  en utilisant des radiations électromagnétiques  [3]
 C30B 13/26
·  Agitation de la zone fondue  [3]
 C30B 13/28
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 13/30
·  ·  Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal  [3]
 C30B 13/32
·  Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage  [3]
 C30B 13/34
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
P:110 C30B 15/00
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur C30B 27/00)  [3]
 C30B 15/02
·  en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ  [3]
 C30B 15/04
·  ·  avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n–p  [3]
 C30B 15/06
·  Tirage non vertical  [3]
 C30B 15/08
·  Tirage vers le bas  [3]
 C30B 15/10
·  Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu  [3]
 C30B 15/12
·  ·  Méthodes utilisant un creuset double  [3]
 C30B 15/14
·  Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé  [3]
 C30B 15/16
·  ·  par irradiation ou par décharge électrique  [3]
 C30B 15/18
·  ·  en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier  [3]
 C30B 15/20
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 15/22
·  ·  Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal  [3]
 C30B 15/24
·  ·  ·  en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface C30B 15/34)  [3]
 C30B 15/26
·  ·  ·  en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X  [3]
 C30B 15/28
·  ·  ·  en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation  [3]
 C30B 15/30
·  Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation C30B 15/28)  [3]
 C30B 15/32
·  Porte-germe, p.ex. mandrins  [3]
 C30B 15/34
·  Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage  [3]
 C30B 15/36
·  caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique  [3]
P:120 C30B 17/00
Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 a priorité)  [3]
P:100 C30B 19/00
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide  [3]
 C30B 19/02
·  en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants  [3]
 C30B 19/04
·  ·  le solvant étant un constituant du cristal  [3]
 C30B 19/06
·  Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat  [3]
 C30B 19/08
·  Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat  [3]
 C30B 19/10
·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 19/12
·  caractérisée par le substrat  [3]
P:90 C30B 21/00
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques  [3]
 C30B 21/02
·  par simple coulée ou par solidification dans un gradient de température  [3]
 C30B 21/04
·  par fusion de zone  [3]
 C30B 21/06
·  par tirage à partir d'un bain fondu  [3]
 C30B 23/00 - 
C30B 25/00
Croissance des monocristaux à partir de vapeurs  [3]
P:180 C30B 23/00
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé  [3]
 C30B 23/02
·  Croissance d'une couche épitaxiale  [3]
 C30B 23/04
·  ·  Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques  [3]
 C30B 23/06
·  ·  Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer  [3]
 C30B 23/08
·  ·  par condensation de vapeurs ionisées (par pulvérisation réactive C30B 25/06)  [3]
P:170 C30B 25/00
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur  [3]
 C30B 25/02
·  Croissance d'une couche épitaxiale  [3]
 C30B 25/04
·  ·  Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques  [3]
 C30B 25/06
·  ·  par pulvérisation réactive  [3]
 C30B 25/08
·  ·  Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet  [3]
 C30B 25/10
·  ·  Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat  [3]
 C30B 25/12
·  ·  Porte-substrat ou supports  [3]
 C30B 25/14
·  ·  Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs  [3]
 C30B 25/16
·  ·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 25/18
·  ·  caractérisée par le substrat  [3]
 C30B 25/20
·  ·  ·  le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale  [3]
 C30B 25/22
·  ·  Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces  [3]
   
P:50 C30B 27/00
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur  [3]
 C30B 27/02
·  par tirage à partir d'un bain fondu  [3]
P:40 C30B 28/00
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée  [5]
 C30B 28/02
·  directement à partir de l'état solide  [5]
 C30B 28/04
·  à partir de liquides  [5]
 C30B 28/06
·  ·  par solidification simple ou dans un gradient de température  [5]
 C30B 28/08
·  ·  par fusion de zone  [5]
 C30B 28/10
·  ·  par tirage hors d'un bain fondu  [5]
 C30B 28/12
·  directement à partir de l'état gazeux  [5]
 C30B 28/14
·  ·  par réaction chimique de gaz réactifs  [5]
P:20 C30B 29/00
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme (alliages C22C)  [3,5]
 C30B 29/02 - 
C30B 29/54

Note(s)

Dans les groupes C30B 29/02-C30B 29/54, sauf indication contraire, une composition est classée à la dernière place appropriée. [3]

 C30B 29/02
·  Eléments  [3]
 C30B 29/04
·  ·  Diamant  [3]
 C30B 29/06
·  ·  Silicium  [3]
 C30B 29/08
·  ·  Germanium  [3]
 C30B 29/10
·  Composés inorganiques ou compositions inorganiques  [3]
 C30B 29/12
·  ·  Halogénures  [3]
 C30B 29/14
·  ·  Phosphates  [3]
 C30B 29/16
·  ·  Oxydes  [3]
 C30B 29/18
·  ·  ·  Quartz  [3]
 C30B 29/20
·  ·  ·  Oxydes d'aluminium  [3]
 C30B 29/22
·  ·  ·  Oxydes complexes  [3]
 C30B 29/24
·  ·  ·  ·  de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. orthoferrites  [3]
 C30B 29/26
·  ·  ·  ·  de formule BMe2O4, dans laquelle B est Mg, Ni, Co, Al, Zn ou Cd et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al  [3]
 C30B 29/28
·  ·  ·  ·  de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. grenats  [3]
 C30B 29/30
·  ·  ·  ·  Niobates; Vanadates; Tantalates  [3]
 C30B 29/32
·  ·  ·  ·  Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates  [3]
 C30B 29/34
·  ·  Silicates  [3]
 C30B 29/36
·  ·  Carbures  [3]
 C30B 29/38
·  ·  Nitrures  [3]
 C30B 29/40
·  ·  Composés AIII BV  [3]
 C30B 29/42
·  ·  ·  Arséniure de gallium  [3]
 C30B 29/44
·  ·  ·  Phosphure de gallium  [3]
 C30B 29/46
·  ·  Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure  [3]
 C30B 29/48
·  ·  ·  Composés AII BVI  [3]
 C30B 29/50
·  ·  ·  ·  Sulfure de cadmium  [3]
 C30B 29/52
·  ·  Alliages  [3]
 C30B 29/54
·  Composés organiques  [3]
 C30B 29/56
·  ·  Tartrates  [3]
 C30B 29/58
·  ·  Composés macromoléculaires  [3]
 C30B 29/60
·  caractérisés par la forme  [3]
 C30B 29/62
·  ·  Aiguilles ou "whiskers"  [3]
 C30B 29/64
·  ·  Cristaux plats, p.ex. plaques, bandes, pastilles  [5]
 C30B 29/66
·  ·  Cristaux de forme géométrique complexe, p.ex. tubes, cylindres  [5]
 C30B 29/68
·  ·  Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux  [5]
P:30 C30B 30/00
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques  [5]
 C30B 30/00

Note(s)

Lors du classement dans le présent groupe, un classement dans les groupes C30B 1/00-C30B 28/00 est également attribué en fonction du procédé de croissance des cristaux. [5]

 C30B 30/02
·  en utilisant des champs électriques, p.ex. par électrolyse  [5]
 C30B 30/04
·  en utilisant des champs magnétiques  [5]
 C30B 30/06
·  en utilisant des vibrations mécaniques  [5]
 C30B 30/08
·  dans les conditions de gravité nulle ou de microgravité  [5]
 C30B 31/00 - 
C30B 33/00
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée  [3,5]
P:0 C30B 31/00
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet  [3,5]
 C30B 31/02
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état solide  [3]
 C30B 31/04
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état liquide  [3]
 C30B 31/06
·  par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux (C30B 31/18 a priorité)  [3]
 C30B 31/08
·  ·  la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser  [3]
 C30B 31/10
·  ·  Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet  [3]
 C30B 31/12
·  ·  Chauffage de l'enceinte de réaction  [3]
 C30B 31/14
·  ·  Porte-substrat ou supports  [3]
 C30B 31/16
·  ·  Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz  [3]
 C30B 31/18
·  ·  Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05)  [3]
 C30B 31/20
·  Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire  [3]
 C30B 31/22
·  ·  par implantation d'ions  [3]
P:10 C30B 33/00
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée (C30B 31/00 a priorité; meulage, polissage B24; travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux B28D 5/00)  [3,5]
 C30B 33/02
·  Traitement thermique (C30B 33/04, C30B 33/06 ont priorité)  [5]
 C30B 33/04
·  en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires  [5]
 C30B 33/06
·  Assemblage de cristaux  [5]
 C30B 33/08
·  Gravure  [5]
 C30B 33/10
·  ·  dans des solutions ou des bains fondus  [5]
 C30B 33/12
·  ·  dans une atmosphère gazeuse ou un plasma  [5]
   
P:190 C30B 35/00
Appareillages en général, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée  [3,5]