| CIB 7 Version française |
 G11C - G11C 11/56 |
| G11C01300-G11C02900 |
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| SECTION G – PHYSIQUE |
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| G 11 | ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION |
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| G 11 C | MÉMOIRES STATIQUES (enregistrement de l'information basé sur un mouvement relatif entre le support d'enregistrement et le transducteur G11B; dispositifs semi-conducteurs pour mémoires H01L, p.ex. H01L 27/108 à H01L 27/115; technique de l'impulsion en général H03K, p.ex. commutateurs électroniques H03K 17/00) |
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13/ | 00 | Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C 11/00, G11C 23/00 ou G11C 25/00 |
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13/ | 02 | . | utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique (utilisant une charge électrochimique G11C 11/00) |
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13/ | 04 | . | utilisant des éléments optiques |
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13/ | 06 | . | . | utilisant des éléments magnéto-optiques (éléments magnéto-optiques en général G02F) [2] |
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14/ | 00 | Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation [5] |
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15/ | 00 | Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu (dans lesquelles l'information est adressée à un endroit spécifique G11C 11/00) [2] |
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15/ | 02 | . | utilisant des éléments magnétiques [2] |
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15/ | 04 | . | utilisant des éléments semi-conducteurs [2] |
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15/ | 06 | . | utilisant des éléments cryogéniques [2] |
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16/ | 00 | Mémoires mortes programmables effaçables (G11C 14/00 a priorité) [5] |
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16/ | 02 | . | programmables électriquement [5] |
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16/ | 04 | . | . | utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS [5] |
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16/ | 06 | . | . | Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire (en général G11C 7/00) [5] |
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16/ | 08 | . | . | . | Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots [7] |
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16/ | 10 | . | . | . | Circuits de programmation ou d'entrée de données [7] |
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16/ | 12 | . | . | . | . | Circuits de commutation de la tension de programmation [7] |
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16/ | 14 | . | . | . | . | Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement [7] |
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16/ | 16 | . | . | . | . | . | pour effacer des blocs, p.ex. des réseaux, des mots, des groupes [7] |
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16/ | 18 | . | . | . | . | Circuits pour effacer optiquement [7] |
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16/ | 20 | . | . | . | . | Initialisation; Présélection de données; Identification de puces [7] |
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16/ | 22 | . | . | . | Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire [7] |
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16/ | 24 | . | . | . | Circuits de commande de lignes de bits [7] |
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16/ | 26 | . | . | . | Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données [7] |
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16/ | 28 | . | . | . | . | utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p.ex. des cellules factices [7] |
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16/ | 30 | . | . | . | Circuits d'alimentation [7] |
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16/ | 32 | . | . | . | Circuits de synchronisation [7] |
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16/ | 34 | . | . | . | Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention [7] |
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17/ | 00 | Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main (mémoires mortes programmables effaçables G11C 16/00; codage, décodage ou conversion de code, en général H03M) [2,5] |
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17/ | 02 | . | utilisant des éléments magnétiques ou inductifs (G11C 17/14 a priorité) [2,5] |
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17/ | 04 | . | utilisant des éléments capacitifs (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité) [2,5] |
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17/ | 06 | . | utilisant des éléments comprenant des diodes (G11C 17/14 a priorité) [2,5] |
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17/ | 08 | . | utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité) [5] |
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17/ | 10 | . | . | dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque [5] |
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17/ | 12 | . | . | . | utilisant des dispositifs à effet de champ [5] |
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17/ | 14 | . | dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM [5] |
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17/ | 16 | . | . | utilisant des liaisons électriquement fusibles [5] |
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17/ | 18 | . | . | Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire (en général G11C 7/00) [5] |
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19/ | 00 | Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage (chaînes de comptage H03K 23/00) |
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19/ | 02 | . | utilisant des éléments magnétiques (G11C 19/14 a priorité) [2] |
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19/ | 04 | . | . | utilisant des noyaux avec une ouverture ou une boucle magnétique [2] |
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19/ | 06 | . | . | utilisant des structures avec une pluralité d'ouvertures ou de boucles magnétiques, p.ex. des transfluxors [2] |
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19/ | 08 | . | . | utilisant des couches minces dans une structure plane [2] |
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19/ | 10 | . | . | utilisant des couches minces sur des barres; avec des twistors [2] |
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19/ | 12 | . | utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants [2] |
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19/ | 14 | . | utilisant des éléments magnétiques combinés à des éléments actifs, p.ex. à des tubes à décharge, à des éléments à semi-conducteurs (G11C 19/34 a priorité) [2,7] |
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19/ | 18 | . | utilisant des capacités comme éléments principaux des étages [2] |
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19/ | 20 | . | utilisant des tubes à décharge (G11C 19/14 a priorité) [2] |
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19/ | 28 | . | utilisant des éléments semi-conducteurs (G11C 19/14, G11C 19/36 ont priorité) [2,7] |
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19/ | 30 | . | utilisant des éléments opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement [2] |
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19/ | 32 | . | utilisant des éléments supraconducteurs [2] |
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19/ | 34 | . | utilisant des éléments de mémoire comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence [7] |
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19/ | 36 | . | . | utilisant des éléments à semi-conducteurs [7] |
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19/ | 38 | . | à deux dimensions, p.ex. registres à décalage horizontal et vertical [7] |
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21/ | 00 | Mémoires numériques dans lesquelles l'information circule (par échelons G11C 19/00) |
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21/ | 02 | . | utilisant des lignes à retard électromécaniques, p.ex. utilisant un réservoir à mercure |
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23/ | 00 | Mémoires numériques caractérisées par le mouvement de pièces mécaniques pour effectuer l'emmagasinage, p.ex. en utilisant des billes; Eléments d'emmagasinage correspondants (emmagasinage par actionnement de contacts G11C 11/48) |
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25/ | 00 | Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation de milieux fluides; Eléments d'emmagasinage correspondants |
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27/ | 00 | Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées |
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27/ | 02 | . | Moyens d'échantillonnage et de mémorisation (G11C 27/04 a priorité; échantillonnage de signaux électriques en général H03K) [2,4] |
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27/ | 04 | . | Registres à décalage (dispositifs à couplage de charge en soi H01L 29/76) [4] |
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29/ | 00 | Vérification du fonctionnement correct des mémoires |
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| G11C - G11C 11/56 |  |
