CIB 7 Version française
 
G11C-G11C01156
  G11C 13/00 - G11C 29/00  

SECTION G – PHYSIQUE


G 11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION


G 11 CMÉMOIRES STATIQUES (enregistrement de l'information basé sur un mouvement relatif entre le support d'enregistrement et le transducteur G11B; dispositifs semi-conducteurs pour mémoires H01L, p.ex. H01L 27/108 à H01L 27/115; technique de l'impulsion en général H03K, p.ex. commutateurs électroniques H03K 17/00)


Notes

(1)La présente sous-classe couvre les dispositifs ou dispositions pour l'emmagasinage d'informations numériques ou analogiques:

 (i)dans lesquels il n'y a pas de mouvement relatif entre un élément d'emmagasinage d'information et un transducteur;

 (ii)qui comportent un dispositif sélecteur pour l'écriture d'informations dans la mémoire numérique ou leur lecture à partir de celle-ci.

(2)La présente sous-classe ne couvre pas les éléments non adaptés pour l'emmagasinage ou non pourvus de tels moyens, qui sont couverts par la sous-classe appropriée, p.ex. de H01, par H03K.

(3)Dans la présente sous-classe, un élément d'emmagasinage est pourvu de moyens pour écrire ou lire au moins un élément d'information.


Schéma général

MÉMOIRES NUMÉRIQUES CARACTÉRISÉES PAR LA NATURE DES ÉLÉMENTS ÉCRITURE OU LECTURE D'INFORMATION 

G11C 7/00 

SÉLECTION D'ADRESSE 

G11C 8/00 

MÉMOIRES NUMÉRIQUES CARACTÉRISÉES PAR LA NATURE DES ÉLÉMENTS 

Types électriques ou magnétiques; leurs détails 

G11C 11/00; G11C 5/00 

Types mécaniques 

G11C 23/00 

Types fluidiques 

G11C 25/00 

Autres types 

G11C 13/00 

MÉMOIRES NUMÉRIQUES CARACTÉRISÉES PAR DES DISPOSITIFS DE SAUVEGARDE 

G11C 14/00 

MÉMOIRES MORTES PROGRAMMABLES EFFAÇABLES 

G11C 16/00 

MÉMOIRES NUMÉRIQUES CARACTÉRISÉES PAR LE DÉPLACEMENT DE L'INFORMATION 

Décalage; circulation 

G11C 19/00; G11C 21/00 

MÉMOIRES CARACTÉRISÉES PAR LA FONCTION 

Associative; analogique; à lecture seulement 

G11C 15/00; G11C 27/00; G11C 17/00 

VÉRIFICATION DES MÉMOIRES 

G11C 29/00 


5/

00Détails de mémoires couverts par le groupe G11C 11/00

5/

02.Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice

5/

04..Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports

5/

05...Supports de noyaux dans une matrice [2]

5/

06.Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage

5/

08..pour interconnecter des éléments magnétiques, p.ex. des noyaux toroïdaux

5/

10..pour interconnecter des capacités

5/

12.Appareils ou procédés pour interconnecter des éléments d'emmagasinage, p.ex. pour enfiler des noyaux magnétiques

5/

14.Dispositions pour l'alimentation (circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193; en général G05F, H02J, H02M) [5,7]


7/

00Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique (G11C 5/00 a priorité; circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semi-conducteurs G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193) [2,5]

7/

02.avec des moyens d'éviter les signaux parasites

7/

04.avec des moyens d'éviter les effets perturbateurs thermiques

7/

06.Amplificateurs de lecture; Circuits associés (amplificateurs en soi H03F, H03K) [1,7]

 

7/

08..Leur commande [7]

 

7/

10.Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S (circuits de conversion de niveau en général H03K 19/0175) [7]

 

7/

12.Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits [7]

 

7/

14.Gestion de cellules factices; Générateurs de tension de référence de lecture [7]

 

7/

16.Emmagasinage de signaux analogiques dans des mémoires numériques utilisant une disposition comprenant des convertisseurs analogiques/numériques (A/N), des mémoires numériques et des convertisseurs numériques/analogiques (N/A) [7]

 

7/

18.Organisation de lignes de bits; Disposition de lignes de bits [7]

 

7/

20.Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p.ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente [7]

 

7/

22.Circuits de synchronisation ou d'horloge pour la lecture-écriture (R-W); Générateurs ou gestion de signaux de commande pour la lecture-écriture (R-W) [7]

 

7/

24.Circuits de protection ou de sécurité pour cellules de mémoire, p.ex. dispositions pour empêcher la lecture ou l'écriture par inadvertance; Cellules d'état; Cellules de test [7]

 

8/

00Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique (circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semi-conducteurs G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193) [2,5]

8/

02.utilisant une matrice de sélection [2]

8/

04.utilisant un dispositif d'adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur (utilisant des registres du type file d'attente (FIFO) pour modifier la vitesse de débit des données numériques G06F 5/06; utilisant des registres du type pile d'assiettes (LIFO) pour le traitement de données numériques en agissant sur leur ordre G06F 7/00) [5]

8/

06.Dispositions d'interface d'adresses, p.ex. mémoires tampon d'adresses (circuits de conversion de niveau en général H03K 19/0175) [7]

 

8/

08.Circuits de commande de lignes de mots, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots [7]

 

8/

10.Décodeurs [7]

 

8/

12.Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules [7]

 

8/

14.Organisation de lignes de mots; Disposition de lignes de mots [7]

 

8/

16.Réseau de mémoire à accès multiple, p.ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes [7]

 

8/

18.Circuits de synchronisation ou d'horloge; Génération ou gestion de signaux de commande d'adresse, p.ex. pour des signaux d'échantillonnage d'adresse de ligne (RAS) ou d'échantillonnage d'adresse de colonne (CAS) [7]

 

8/

20.Circuits de sécurité ou de protection d'adresse, c. à d. dispositions pour empêcher un accès non autorisé ou accidentel [7]

 

11/

00Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants (G11C 14/00 à G11C 21/00 ont priorité) [5]

Note

 Le groupe G11C 11/56 a priorité sur les groupes G11C 11/02 à G11C 11/54. [2]

11/

02.utilisant des éléments magnétiques

11/

04..utilisant des éléments d'emmagasinage de forme cylindrique, p.ex. barre, fil (G11C 11/12, G11C 11/14 ont priorité) [2]

11/

06..utilisant des éléments d'emmagasinage à simple ouverture; utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage

11/

061...utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive [2]

11/

063....organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c. à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture [2]

11/

065....organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c. à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture [2]

11/

067...utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive [2]

11/

08..utilisant des éléments d'emmagasinage à ouvertures multiples, p.ex. utilisant des transfluxors; utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples (G11C 11/10 a priorité; utilisant des plaques à ouvertures multiples dans lesquelles chaque ouverture individuelle forme un élément d'emmagasinage G11C 11/06) [2]

11/

10..utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux

11/

12..utilisant des tensors, utilisant des twistors, c. à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu

11/

14..utilisant des éléments à pellicules minces

11/

15...utilisant des couches magnétiques multiples (G11C 11/155 a priorité) [2]

11/

155...avec une configuration cylindrique [2]

11/

16..utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin

11/

18.utilisant des dispositifs à effet Hall

11/

19.utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants [2]

11/

20..utilisant des paramétrons [2]

11/

21.utilisant des éléments électriques [2]

11/

22..utilisant des éléments ferro-électriques [2]

11/

23..utilisant l'emmagasinage électrostatique sur une couche commune, p.ex. tubes de Forrester-Haeff (G11C 11/22 a priorité) [2]

11/

24..utilisant des condensateurs (G11C 11/22 a priorité; utilisant une combinaison de dispositifs à semi-conducteurs et de condensateurs G11C 11/34, p.ex. G11C 11/40) [2,5]

11/

26..utilisant des tubes à décharge [2]

11/

28...utilisant des tubes à atmosphère gazeuse [2]

11/

30...utilisant des tubes à vide (G11C 11/23 a priorité) [2]

11/

34..utilisant des dispositifs à semi-conducteurs [2]

11/

35...avec stockage de charges dans une région d'appauvrissement, p.ex. dispositifs à couplage de charge [7]

 

11/

36...utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil [2]

11/

38....utilisant des diodes tunnels [2]

11/

39...utilisant des thyristors [5]

11/

40...utilisant des transistors [2]

11/

401....formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques [5]

11/

402.....avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne [5]

11/

403.....avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe [5]

11/

404......avec une porte à transfert de charges, p.ex. un transistor MOS, par cellule [5]

11/

405......avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule [5]

11/

406.....Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge [5]

11/

4063.....Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation [7]

 

11/

4067......pour des cellules de mémoire du type bipolaire [7]

 

11/

407......pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5]

11/

4072.......Circuits pour l'initialisation, pour la mise sous ou hors tension, pour l'effacement de la mémoire ou pour le préréglage [7]

 

11/

4074.......Circuits d'alimentation ou de génération de tension, p.ex. générateurs de tension de polarisation, générateurs de tension de substrat, alimentation de secours, circuits de commande d'alimentation [7]

 

11/

4076.......Circuits de synchronisation (pour la gestion de la régénération G11C 11/406) [7]

 

11/

4078.......Circuits de sécurité ou de protection, p.ex. afin d'empêcher la lecture ou l'écriture intempestives ou non autorisées; Cellules d'état; Cellules de test [7]

 

11/

408.......Circuits d'adressage [5]

11/

409.......Circuits de lecture-écriture (R-W) [5]

11/

4091........Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées [7]

 

11/

4093........Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. mémoires tampon de données (circuits de conversion de niveau en général H03K 19/0175) [7]

 

11/

4094........Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits [7]

 

11/

4096........Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie, commutateurs de lignes de bits [7]

 

11/

4097........Organisation de lignes de bits, p.ex. configuration de lignes de bits, lignes de bits repliées [7]

 

11/

4099........Traitement de cellules factices; Générateurs de tension de référence [7]

 

11/

41....formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt [5]

11/

411.....utilisant uniquement des transistors bipolaires [5]

11/

412.....utilisant uniquement des transistors à effet de champ [5]

11/

413.....Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation [5]

 

11/

414......pour des cellules de mémoire du type bipolaire [5]

11/

415.......Circuits d'adressage [5]

11/

416.......Circuits de lecture-écriture (R-W) [5]

11/

417......pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5]

11/

418.......Circuits d'adressage [5]

11/

419.......Circuits de lecture-écriture (R-W) [5]

11/

4193...Circuits auxiliaires spécifiques aux types particuliers de dispositifs de stockage à semi-conducteurs, p.ex. pour l'adressage, la commande, la lecture, la synchronisation, l'alimentation, la propagation du signal (G11C 11/4063, G11C 11/413 ont priorité) [7]

 

11/

4195....Circuits d'adressage [7]

 

11/

4197....Circuits de lecture-écriture (R-W) [7]

 

11/

42..utilisant des dispositifs opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement

11/

44..utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons [2]

11/

46.utilisant des éléments thermoplastiques

11/

48.utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction

11/

50.utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information (mémoires mécaniques G11C 23/00; interrupteurs permettant un nombre choisi d'actionnements consécutifs des contacts à la suite d'un seul actionnement manuel de l'organe moteur H01H 41/00)

11/

52..utilisant des relais électromagnétiques

11/

54.utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone

11/

56.utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence (dispositions de comptage comprenant des éléments multistables de ce type H03K 25/00, H03K 29/00) [2]

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