CIB 7 Version française C30B 21/00-C30B 35/00

CIB ⁷ Version française

C30 - C30B 19/12

C30B02100-C30B03500

SECTION C – CHIMIE; MÉTALLURGIE

C 30

CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général B01D 9/00) [3]

C 30 B

CROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants B01J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages C22B); PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages B22D; façonnage des matières plastiques B29; modification de la structure physique de métaux ou alliages C21D, C22F); MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H01L); APPAREILLAGES À CET EFFET [3]

21/

Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques [3]

21/

par simple coulée ou par solidification dans un gradient de température [3]

21/

par fusion de zone [3]

21/

par tirage à partir d'un bain fondu [3]

Croissance des monocristaux à partir de vapeurs [3]

23/

Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé [3]

23/

Croissance d'une couche épitaxiale [3]

23/

Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques [3]

23/

Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer [3]

23/

par condensation de vapeurs ionisées (par pulvérisation réactive C30B 25/06) [3]

25/

Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur [3]

25/

Croissance d'une couche épitaxiale [3]

25/

Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques [3]

25/

par pulvérisation réactive [3]

25/

Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet [3]

25/

Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat [3]

25/

Porte-substrat ou supports [3]

25/

Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs [3]

25/

Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05) [3]

25/

caractérisée par le substrat [3]

25/

le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale [3]

25/

Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces [3]

27/

Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur [3]

27/

par tirage à partir d'un bain fondu [3]

28/

Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [5]

28/

directement à partir de l'état solide [5]

28/

à partir de liquides [5]

28/

par solidification simple ou dans un gradient de température [5]

28/

par fusion de zone [5]

28/

par tirage hors d'un bain fondu [5]

28/

directement à partir de l'état gazeux [5]

28/

par réaction chimique de gaz réactifs [5]

29/

Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme (alliages C22C) [3,5]

Note

Dans les groupes C30B 29/02 à C30B 29/58, sauf indication contraire, une composition est classée à la dernière place appropriée. [3]

29/

Eléments [3]

29/

Diamant [3]

29/

Silicium [3]

29/

Germanium [3]

29/

Composés inorganiques ou compositions inorganiques [3]

29/

Halogénures [3]

29/

Phosphates [3]

29/

Oxydes [3]

29/

Quartz [3]

29/

Oxydes d'aluminium [3]

29/

Oxydes complexes [3]

29/

de formule AMeO₃, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. orthoferrites [3]

29/

de formule BMe₂O₄, dans laquelle B est Mg, Ni, Co, Al, Zn ou Cd et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al [3]

29/

de formule A₃Me₅O₁₂, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. grenats [3]

29/

Niobates; Vanadates; Tantalates [3]

29/

Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates [3]

29/

Silicates [3]

29/

Carbures [3]

29/

Nitrures [3]

29/

Composés A_III B_V [3]

29/

Arséniure de gallium [3]

29/

Phosphure de gallium [3]

29/

Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure [3]

29/

Composés A_II B_VI [3]

29/

Sulfure de cadmium [3]

29/

Alliages [3]

29/

Composés organiques [3]

29/

Tartrates [3]

29/

Composés macromoléculaires [3]

29/

caractérisés par la forme [3]

29/

Aiguilles ou "whiskers" [3]

29/

Cristaux plats, p.ex. plaques, bandes, pastilles [5]

29/

Cristaux de forme géométrique complexe, p.ex. tubes, cylindres [5]

29/

Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux [5]

30/

Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques [5]

Note

Lors du classement dans le présent groupe, un classement dans les groupes C30B 1/00 à C30B 28/00 est également attribué en fonction du procédé de croissance des cristaux. [5]

30/

en utilisant des champs électriques, p.ex. par électrolyse [5]

30/

en utilisant des champs magnétiques [5]

30/

en utilisant des vibrations mécaniques [5]

30/

dans les conditions de gravité nulle ou de microgravité [5]

Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]

31/

Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet [3,5]

31/

par contact avec la substance de diffusion à l'état solide [3]

31/

par contact avec la substance de diffusion à l'état liquide [3]

31/

par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux (C30B 31/18 a priorité) [3]

31/

la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser [3]

31/

Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet [3]

31/

Chauffage de l'enceinte de réaction [3]

31/

Porte-substrat ou supports [3]

31/

Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz [3]

31/

Commande ou régulation (commande ou régulation en général G05) [3]

31/

Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire [3]

31/

par implantation d'ions [3]

33/

Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée (C30B 31/00 a priorité; meulage, polissage B24; travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux B28D 5/00) [3,5]

33/

Traitement thermique (C30B 33/04, C30B 33/06 ont priorité) [5]

33/

en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires [5]

33/

Assemblage de cristaux [5]

33/

Gravure [5]

33/

dans des solutions ou des bains fondus [5]

33/

dans une atmosphère gazeuse ou un plasma [5]

35/

Appareillages en général, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée [3,5]

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