| CIB 7 Version française |
 C23 - C23C 10/60 |
| C23C01200-C23C01656 |
C23C 18/00 - C23C 30/00  |
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| SECTION C – CHIMIE; MÉTALLURGIE |
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| C 23 | REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES (par métallisation des textiles D06M 11/83; décoration des textiles par métallisation locale D06Q 1/04); TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL (pour applications particulières, voir les classes appropriées, p.ex. pour la fabrication des résistances H01C 17/06); MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL (traitement de surface métallique ou revêtement de métaux par électrolyse ou électrophorèse C25D, C25F) [2] |
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| C 23 C | REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL (application de liquides ou d'autres matériaux fluides sur les surfaces, en général B05; fabrication de produits revêtus de métal par extrusion B21C 23/22; revêtement métallique par liaison d'objets avec des couches préexistantes, voir les classes appropriées, p.ex. B21D 39/00, B23K; usinage du métal par action d'une forte concentration de courant électrique sur un objet au moyen d'une électrode B23H; métallisation du verre C03C; métallisation des mortiers, du béton, de la pierre artificielle, des céramiques ou de la pierre naturelle C04B 41/00; peintures, vernis, laques C09D; émaillage ou glaçage des métaux C23D; moyens pour empêcher la corrosion des matériaux métalliques, l'entartrage ou les incrustations, en général C23F; croissance de couches monocristallines C30B; détails d'appareils à sonde à balayage, en général G12B 21/00; fabrication de dispositifs semi-conducteurs H01L; fabrication de circuits imprimés H05K) [4] |
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12/ | 00 | Diffusion à l'état solide d'au moins un élément non métallique autre que le silicium et d'au moins un élément métallique ou du silicium dans la couche superficielle de matériaux métalliques [4] |
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12/ | 02 | . | Diffusion en une seule étape [4] |
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| Revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique ou implantation d'ions [4] |
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14/ | 00 | Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement (tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge H01J 37/00) [4] |
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14/ | 02 | . | Pré-traitement du matériau à revêtir (C23C 14/04 a priorité) [4] |
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14/ | 04 | . | Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] |
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14/ | 06 | . | caractérisé par le matériau de revêtement (C23C 14/04 a priorité) [4] |
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14/ | 08 | . | . | Oxydes (C23C 14/10 a priorité) [4] |
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14/ | 10 | . | . | Verre ou silice [4] |
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14/ | 12 | . | . | Composé organique [4] |
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14/ | 14 | . | . | Matériau métallique, bore ou silicium [4] |
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14/ | 16 | . | . | . | sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium [4] |
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14/ | 18 | . | . | . | sur d'autres substrats inorganiques [4] |
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14/ | 20 | . | . | . | sur des substrats organiques [4] |
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14/ | 22 | . | caractérisé par le procédé de revêtement [4] |
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14/ | 24 | . | . | Evaporation sous vide [4] |
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14/ | 26 | . | . | . | par chauffage de la source par induction ou par résistance [4] |
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14/ | 28 | . | . | . | par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire (C23C 14/32 à C23C 14/48 ont priorité) [4] |
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14/ | 30 | . | . | . | . | par bombardement d'électrons [4] |
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14/ | 32 | . | . | . | par explosion; par évaporation suivie d'une ionisation des vapeurs (C23C 14/34 à C23C 14/48 ont priorité) [4] |
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14/ | 34 | . | . | Pulvérisation cathodique [4] |
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14/ | 35 | . | . | . | par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron [5] |
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14/ | 36 | . | . | . | Pulvérisation au moyen de diode (C23C 14/35 a priorité) [4,5] |
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14/ | 38 | . | . | . | . | par décharge luminescente à courant continu [4] |
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14/ | 40 | . | . | . | . | par décharge à courant alternatif, p.ex. par décharge haute-fréquence [4] |
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14/ | 42 | . | . | . | Pulvérisation au moyen de triode (C23C 14/35 a priorité) [4,5] |
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14/ | 44 | . | . | . | . | en utilisant des hautes fréquences et des potentiels continus additionnels [4] |
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14/ | 46 | . | . | . | par un faisceau d'ions produit par une source d'ions externe (C23C 14/40 a priorité) [4] |
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14/ | 48 | . | . | Implantation d'ions [4] |
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14/ | 50 | . | . | Porte-substrat [4] |
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14/ | 52 | . | . | Dispositifs pour observer le processus de revêtement [4] |
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14/ | 54 | . | . | Commande ou régulation du processus de revêtement (commande ou régulation en général G05) [4] |
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14/ | 56 | . | . | Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche [4] |
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14/ | 58 | . | Post-traitement [4] |
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| Dépôt chimique ou revêtement par décomposition; Dépôt par contact (diffusion à l'état solide C23C 8/00 à C23C 12/00) [4] |
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16/ | 00 | Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (pulvérisation cathodique réactive ou évaporation réactive sous vide C23C 14/00) [4] |
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16/ | 01 | . | sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique [7] |
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16/ | 02 | . | Pré-traitement du matériau à revêtir (C23C 16/04 a priorité) [4] |
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16/ | 04 | . | Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] |
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16/ | 06 | . | caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique [4] |
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16/ | 08 | . | . | à partir d'halogénures métalliques [4] |
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16/ | 10 | . | . | . | Dépôt uniquement de chrome [4] |
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16/ | 12 | . | . | . | Dépôt uniquement d'aluminium [4] |
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16/ | 14 | . | . | . | Dépôt d'un seul autre élément métallique [4] |
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16/ | 16 | . | . | à partir de métaux carbonyles [4] |
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16/ | 18 | . | . | à partir de composés organométalliques [4] |
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16/ | 20 | . | . | . | Dépôt uniquement d'aluminium [4] |
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16/ | 22 | . | caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques [4] |
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16/ | 24 | . | . | Dépôt uniquement de silicium [4] |
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16/ | 26 | . | . | Dépôt uniquement de carbone [4] |
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16/ | 27 | . | . | . | Le diamant uniquement [7] |
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16/ | 28 | . | . | Dépôt d'un seul autre élément non métallique [4] |
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16/ | 30 | . | . | Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures [4] |
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16/ | 32 | . | . | . | Carbures [4] |
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16/ | 34 | . | . | . | Nitrures [4] |
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16/ | 36 | . | . | . | Carbo-nitrures [4] |
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16/ | 38 | . | . | . | Borures [4] |
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16/ | 40 | . | . | . | Oxydes [4] |
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16/ | 42 | . | . | . | Siliciures [4] |
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16/ | 44 | . | caractérisé par le procédé de revêtement (C23C 16/04 a priorité) [4] |
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16/ | 442 | . | . | utilisant des procédés à lits fluidisés [7] |
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16/ | 448 | . | . | caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs [7] |
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16/ | 452 | . | . | . | par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p.ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives [7] |
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16/ | 453 | . | . | en faisant passer les gaz de réaction à travers des brûleurs ou des torches, p.ex. CVD sous pression atmosphérique (C23C 16/513 a priorité; pour la pulvérisation de matériau de revêtement à l'état fondu à l'aide d'une flamme ou d'un plasma C23C 4/00) [7] |
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16/ | 455 | . | . | caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction [7] |
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16/ | 458 | . | . | caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction [7] |
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16/ | 46 | . | . | caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat (C23C 16/48, C23C 16/50 ont priorité) [4] |
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16/ | 48 | . | . | par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire [4] |
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16/ | 50 | . | . | au moyen de décharges électriques [4] |
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16/ | 503 | . | . | . | utilisant des décharges à courant continu ou alternatif [7] |
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16/ | 505 | . | . | . | utilisant des décharges à radiofréquence [7] |
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16/ | 507 | . | . | . | . | utilisant des électrodes externes, p.ex. dans des réacteurs de type tunnel [7] |
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16/ | 509 | . | . | . | . | utilisant des électrodes internes [7] |
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16/ | 511 | . | . | . | utilisant des décharges à micro-ondes [7] |
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16/ | 513 | . | . | . | utilisant des jets de plasma [7] |
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16/ | 515 | . | . | . | utilisant des décharges pulsées [7] |
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16/ | 517 | . | . | . | utilisant une combinaison de décharges couvertes par plusieurs des groupes C23C 16/503 à C23C 16/515 [7] |
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16/ | 52 | . | . | Commande ou régulation du processus de dépôt (commande ou régulation en général G05) [4] |
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16/ | 54 | . | . | Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu [4] |
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16/ | 56 | . | Post-traitement [4] |
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| C23 - C23C 10/60 |  | C23C 18/00 - C23C 30/00 |
