CIB 6 Version française H03K 6/00-H03K 17/98

CIB ⁶ Version française

H03K 4/00 - H03K 5/26

H03K00600-H03K01798

H03K 19/00 - H03K 29/06

SECTION H– ELECTRICITE

H 03

CIRCUITS ELECTRONIQUES FONDAMENTAUX

H 03 K

TECHNIQUE DE L'IMPULSION (mesure des caractéristiques des impulsions G 01 R; compteurs mécaniques comportant un mécanisme d'entrée électrique G 06 M; dispositifs d'enregistrement de l'information en général G 11; moyens d'échantillonnage et de mémorisation dans les mémoires analogiques électriques G 11 C 27/02; structure d'interrupteurs comportant des ouvertures et fermetures de contacts en vue de la production d'impulsions, p.ex. utilisant un aimant mobile, H 01 H; transformation par des moyens statiques d'une puissance électrique H 02 M; production d'oscillations par des circuits utilisant des éléments actifs travaillant sans commutation H 03 B; modulation d'oscillations sinusoïdales par des impulsions H 03 C, H 04 L; circuits de discriminateurs faisant intervenir le comptage d'impulsions H 03 D; commande automatique des générateurs H 03 L; démarrage, synchronisation ou stabilisation des générateurs lorsque le type de générateur est indifférent ou non spécifié H 03 L; codage, décodage ou conversion de code, en général H 03 M) [4]

Manipulation d'impulsions à pente définie et non couverte par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe (circuits à réaction H 03 K 4/00)

Note

Dans le présent groupe, les signaux d'entrée sont du type impulsion. [3]

Amplification d'impulsions

Modification de pentes d'impulsions, p.ex. correction de la distorsion en S (correction de la distorsion en S pour la télévision H 04 N 3/23)

Modulation d'impulsions par un signal modulant à variation continue

Modulation d'amplitude, c.à d. P A M

Modulation de position, c.à d. P P M

Modulation de fréquence ou de vitesse, c.à d. P F M ou P R M

Modulation de durée ou de largeur

Modulation combinée, p.ex. modulation de vitesse et modulation d'amplitude

Démodulation d'impulsions qui ont été modulées par un signal à variation continue

d'impulsions modulées en amplitude

d'impulsions modulées en position

d'impulsions modulées en fréquence ou en vitesse

d'impulsions modulées en durée ou en largeur

d'impulsions ayant une modulation combinée

11/

Transformation de types de modulation, p.ex. transformation d'impulsions modulées en position en impulsions modulées en durée

12/

Production d'impulsions par distortion ou combinaison d'ondes de forme sinusoïdale (mise en forme d'impulsions H 03 K 5/01; combinaison d'ondes sinusoïdales utilisant des éléments qui fonctionnent d'une manière non commutative H 03 B) [3]

17/

Commutation ou ouverture de porte électronique, c.à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts (sélection de l'électrode auxiliaire ou du style pour l'impression électrique B 41 J 2/405; moyens d'échantillonnage et de mémorisation G 11 C 27/02; dispositifs de commutation ou d'interruption dans les guides d'ondes H 01 P; amplificateurs commandés H 03 F 3/72; dispositions de commutation pour les systèmes de centraux utilisant des dispositifs statiques H 04 Q 3/52)

17/

Modifications pour accélérer la commutation [3]

17/

041

sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande [6]

17/

0412

par des dispositions prises dans le circuit de commande [6]

17/

0414

Dispositions contre la saturation [6]

17/

0416

par des dispositions prises dans le circuit de sortie [6]

17/

042

par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande [6]

17/

0422

Dispositions contre la saturation [6]

17/

0424

par l'utilisation d'un transformateur [6]

17/

Modifications pour assurer un état complètement conducteur [3]

17/

Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension [3]

17/

081

sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande [6]

17/

0812

par des dispositions prises dans le circuit de commande [6]

17/

0814

par des dispositions prises dans le circuit de sortie [6]

17/

082

par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande [6]

17/

Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible [3]

17/

Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible [3]

17/

Modifications pour commuter lors du passage par zéro (production d'une impulsion lors du passage par zéro H 03 K 5/1536) [3]

17/

Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température [3]

17/

Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites [3]

17/

Modifications pour indiquer l'état d'un commutateur [3]

17/

Modifications pour ramener les organes de commutation à noyau à un état prédéterminé [3]

17/

Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d'alimentation a été appliquée (générateurs bistables H 03 K 3/12) [3]

17/

mettant en mémoire l'état réel quand la tension d'alimentation fait défaut [3]

17/

Modifications pour assurer un blocage temporaire après réception des impulsions de commande [3]

17/

Modifications pour introduire un retard avant commutation (modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation H 03 K 17/296) [3]

17/

284

dans les commutateurs à transistors à effet de champ [3]

17/

288

dans les commutateurs à tubes [3]

17/

292

dans les commutateurs à thyristor, à transistor unijonction ou à transistor unijonction programmable [3]

17/

296

Modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé (garde-temps électroniques comportant des moyens destinés à être actionnés à des instants choisis à l'avance ou après des intervalles de temps prédéterminés G 04 G 15/00) [3]

17/

Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation (mise en forme d'impulsions par application d'un seuil H 03 K 5/08) [3]

17/

caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés (H 03 K 17/04 à H 03 K 17/30, H 03 K 17/94 ont priorité) [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes à atmosphère gazeuse [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes à vide (utilisant des diodes H 03 K 17/74) [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs (utilisant des diodes H 03 K 17/74) [3]

17/

567

Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT [6]

17/

les dispositifs étant des diodes tunnel [3]

17/

les dispositifs étant des transistors bipolaires (transistors bipolaires comportant au moins quatre électrodes H 03 K 17/72) [3]

17/

605

avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (H 03 K 17/78 a priorité) [5]

17/

utilisant un couplage par transformateur [5]

17/

615

dans une configuration Darlington [5]

17/

Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs (circuits logiques H 03 K 19/00; convertisseurs de code H 03 M 5/00, H 03 M 7/00) [3]

17/

à charges inductives [3]

17/

Dispositifs de commutation pour faire passer le courant dans une direction ou dans l'autre à volonté; Dispositifs de commutation pour inverser le sens du courant à volonté [3]

17/

spécialement adaptée pour commuter des courants ou des tensions alternatifs [3]

17/

687

les dispositifs étant des transistors à effet de champ [3]

17/

689

avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (H 03 K 17/78 a priorité) [5]

17/

691

utilisant un couplage par transformateur [5]

17/

693

17/

695

à charges inductives (protection des circuits de commutation contre une tension induite au retour du cycle H 03 K 17/08) [6]

17/

les dispositifs comportant uniquement deux électrodes et présentant une résistance négative (des dispositifs étant des diodes tunnel H 03 K 17/58) [3]

17/

Dispositifs à semi-conducteurs bipolaires comportant au moins trois jonctions PN, p.ex. thyristors, transistors unijonction programmables, ou comportant au moins quatre électrodes, p.ex. commutateurs commandés au silicium, ou comportant deux électrodes connectées à la même région de conductivité, p.ex. transistors unijonction [3]

17/

722

avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (H 03 K 17/78 a priorité) [5]

17/

723

utilisant un couplage par transformateur [5]

17/

725

pour des tensions ou des courants alternatifs (H 03 K 17/722, H 03 K 17/735 ont priorité) [3,5]

17/

pour des tensions ou des courants continus (H 03 K 17/722, H 03 K 17/735 ont priorité) [3,5]

17/

732

Mesures pour permettre le blocage [5]

17/

735

Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs (H 03 K 17/722 a priorité; circuits logiques H 03 K 19/00; convertisseurs de code H 03 M 5/00, H 03 M 7/00) [3,5]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes (par l'utilisation, d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs H 03 K 17/567; par l'utilisation de diodes tunnel H 03 K 17/58; par l'utilisation de diodes à résistance négative H 03 K 17/70) [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs opto-électroniques, c.à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement [3]

17/

785

commandant des commutateurs à transistors à effet de champ [5]

17/

commandant des commutateurs à semi-conducteurs comportant au moins trois jonctions PN ou au moins quatre électrodes, ou au moins deux électrodes connectées à la même région de conductivité [5]

17/

795

commandant des transistors bipolaires [5]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs magnétiques ou diélectriques non linéaires [3]

17/

les dispositifs étant des transfluxors [3]

17/

les dispositifs étant à pellicule mince [3]

17/

les dispositifs étant des twistors [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes à déviation de faisceau [3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall (H 03 K 17/95, H 03 K 17/97 ont priorité) [2,3]

17/

par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs supraconducteurs [2,3]

17/

caractérisée par la manière dont sont produits les signaux de commande (détails structurels mécaniques des organes de commande d'interrupteurs ou de claviers tels que touches, boutons-poussoirs, leviers ou d'autres mécanismes de transmission de force aux parties activées, sans finalité électronique directe H 01 H; claviers pour applications particulières, voir les endroits appropriés, p.ex. B 41 J, G 06 F 3/023, H 04 L 15/00, H 04 L 17/00, H 04 M 1/00) [3,4]

17/

945

Commutateurs de proximité (H 03 K 17/96 a priorité) [3]

17/

utilisant un détecteur magnétique [3]

17/

955

utilisant un détecteur capacitif [3]

17/

Commutateurs à effleurement [3]

17/

965

Commutateurs actionnés par le déplacement d'un élément incorporé dans ce commutateur [3]

17/

967

ayant une pluralité d'éléments de commande, p.ex. clavier (H 03 K 17/969, H 03 K 17/972, H 03 K 17/98 ont priorité) [4]

17/

968

utilisant des dispositifs opto-électroniques [4]

17/

969

ayant une pluralité d'éléments de commande, p.ex. clavier [4]

17/

utilisant un élément mobile magnétique [3]

17/

972

ayant une pluralité d'éléments de commande, p.ex. clavier [4]

17/

975

utilisant un élément mobile capacitif [3]

17/

ayant une pluralité d'éléments de commande, p.ex. clavier [4]

H03K 4/00 - H03K 5/26

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