CIB 6 Version française
 
  
C30-C30B01912
  C30B 21/00 - C30B 35/00  

SECTION C– CHIMIE; METALLURGIE


C 30CROISSANCE DES CRISTAUX (séparation par cristallisation en général B 01 D 9/00) [3]


C 30 BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants B 01 J 3/06); SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATERIAUX EUTECTIQUES OU DEMIXTION UNIDIRECTIONELLE DES MATERIAUX EUTECTOIDES; AFFINAGE DES MATERIAUX PAR FUSION DE ZONE (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages C 22 B); PRODUCTION DE MATERIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGENES DE STRUCTURE DETERMINEE (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages B 22 D; façonnage des matières plastiques B 29; modification de la structure physique de métaux ou alliages C 21 D, C 22 F); MONOCRISTAUX OU MATERIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGENES DE STRUCTURE DETERMINEE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATERIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGENES DE STRUCTURE DETERMINEE (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives H 01 L); APPAREILLAGES A CET EFFET [3]


 Notes

(1)Dans la présente sous-classe, les expressions suivantes ont la signification ci-dessous indiquée:

 –"monocristal" comprend aussi les mâcles et les produits à prédominance monocristalline; [3]

 –"matériau polycristallin homogène" désigne un matériau à grains cristallins ayant tous la même composition chimique; [5]

 –"structure déterminée" désigne la structure d'un matériau dont les grains sont orientés de façon préférentielle ou ont des dimensions supérieures à celles normalement obtenues. [5]

(2)Dans la présente sous-classe:

 –la préparation des monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, de composition ou de formes particulières est classée dans le groupe relatif au procédé ainsi que dans le groupe C 30 B 29/00; [3]

 –un appareillage spécialement adapté à un procédé spécifique est classé dans le groupe approprié pour le procédé. Un appareillage pouvant être utilisé pour plusieurs procédés est classé dans le groupe C 30 B 35/00. [3]


Croissance des monocristaux à partir des solides ou des gels [3]


1/

00Croissance des monocristaux à partir de l'état solide (démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes C 30 B 3/00; sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

1/

02.par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte (C 30 B 1/12 a priorité) [3]

1/

04..Recristallisation isothermique [3]

1/

06..Recristallisation dans un gradient de température [3]

1/

08...Recristallisation par zone [3]

1/

10.par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase [3]

1/

12.par traitement sous pression pendant la croissance [3]


3/

00Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes [3]


5/

00Croissance des monocristaux à partir de gels (sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

5/

02.avec addition d'un matériau de dopage [3]


Croissance des monocristaux à partir de liquides; Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques [3]


7/

00Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses (à partir de solvants fondus C 30 B 9/00; par simple solidification ou dans un gradient de température C 30 B 11/00; sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

7/

02.par évaporation du solvant [3]

7/

04..en utilisant des solvants aqueux [3]

7/

06..en utilisant des solvants non aqueux [3]

7/

08.par refroidissement de la solution [3]

7/

10.par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques [3]

7/

12.par électrolyse [3]

7/

14.le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques [3]


9/

00Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus (par simple solidification ou dans un gradient de température C 30 B 11/00; par fusion de zone C 30 B 13/00; par tirage du cristal C 30 B 15/00; sur un germe cristallin immergé C 30 B 17/00; par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide C 30 B 19/00; sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

9/

02.par évaporation du solvant fondu [3]

9/

04.par refroidissement du bain [3]

9/

06..en utilisant un des constituants du cristal solvant [3]

9/

08..en utilisant d'autres solvants [3]

9/

10...Solvants métalliques [3]

9/

12...Solvants formés de sels, p.ex. croissance dans un fondant [3]

9/

14.par électrolyse [3]


11/

00Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger (C 30 B 13/00, C 30 B 15/00, C 30 B 17/00, C 30 B 19/00 ont priorité; sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

11/

02.sans solvants (C 30 B 11/06 a priorité) [3]

11/

04.en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

11/

06..au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté [3]

11/

08..tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation [3]

11/

10...Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil [3]

11/

12...Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide [3]

11/

14.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


13/

00Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone (C 30 B 17/00 a priorité; par changement de la section transversale du solide traité C 30 B 15/00; sous un fluide protecteur C 30 B 27/00; croissance de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée C 30 B 28/00; affinage par fusion de zone de matériaux spécifiques, voir les sous-classes appropriées pour ces matériaux) [3,5]

13/

02.Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p.ex. procédé par déplacement du solvant [3]

13/

04.Homogénéisation par nivellement de zone [3]

13/

06.la zone fondue ne s'étendant pas à toute la section transversale [3]

13/

08.en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

13/

10..avec addition d'un matériau de dopage [3]

13/

12...à l'état de gaz ou de vapeur [3]

13/

14.Creusets ou récipients [3]

13/

16.Chauffage de la zone fondue [3]

13/

18..l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue [3]

13/

20..par induction, p.ex. technique du fil chaud (C 30 B 13/18 a priorité; bobines d'induction H 05 B 6/36) [3]

13/

22..par irradiation ou par décharge électrique [3]

13/

24...en utilisant des radiations électromagnétiques [3]

13/

26.Agitation de la zone fondue [3]

13/

28.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G 05) [3]

13/

30..Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal [3]

13/

32.Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage [3]

13/

34.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


15/

00Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3]

15/

02.en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3]

15/

04..avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n-p [3]

15/

06.Tirage non vertical [3]

15/

08.Tirage vers le bas [3]

15/

10.Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu [3]

15/

12..Méthodes utilisant un creuset double [3]

15/

14.Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé [3]

15/

16..par irradiation ou par décharge électrique [3]

15/

18..en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier [3]

15/

20.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G 05) [3]

15/

22..Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal [3]

15/

24...en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface C 30 B 15/34) [3]

15/

26...en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X [3]

15/

28...en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation [3]

15/

30.Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation C 30 B 15/28) [3]

15/

32.Porte-germe, p.ex. mandrins [3]

15/

34.Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage [3]

15/

36.caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]


17/

00Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos (C 30 B 15/00 a priorité) [3]


19/

00Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide [3]

19/

02.en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants [3]

19/

04..le solvant étant un constituant du cristal [3]

19/

06.Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat [3]

19/

08.Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat [3]

19/

10.Commande ou régulation (commande ou régulation en général G 05) [3]

19/

12.caractérisée par le substrat [3]

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